- •Экзаменационные вопросы по курсу минералогии с основами кристаллографии Билет 1
- •Билет 2
- •Билет 3.
- •Билет 4.
- •Билет 5.
- •Билет 6.
- •Билет 7.
- •Билет 8.
- •Билет 9.
- •Билет 10.
- •Билет 11.
- •Билет 12.
- •Билет 13
- •Билет 14.
- •Билет 15.
- •Билет 16
- •Билет 17.
- •Билет 18.
- •Билет 19.
- •Билет 20.
- •I) Плутоногенные гидротермальные месторождения:
- •II)Вулканогенные гидротермальные ассоциации:
- •III)Телетермальные ассоциации минералов.
- •Билет 21.
- •Билет 22.
- •Билет 23
- •Билет 24.
- •Билет 25.
- •Билет 26.
- •Билет 27.
- •Билет 28.
- •Билет 29.
Билет 27.
Индексы Миллера в ортогональной трехосной системе координат. Правило возрастания индексов.
Чем круче угол наклона к оси, тем выше индекс Миллера для этой оси.
Ортогональная трехосная система координат характерна для ромбической, тетрагональной и кубической сингоний. Приводится три индекса Миллера, характеризующие координатные параметры граней.
Гетеровалентный и изовалентный изоморфизм. Факторы изоморфизма.
Изоморфизм – способность катионов одного химического элемента заменять катионы другого элемента в структуре минерала. Фактором является сходный размер замещающихся ионов, а также заряд.
Гетеровалентный изоморфизм – замещение катионов химического элемента катионами элемента, которые имеют другой заряд, нежели первый. Изоморфный ряд – альбит – олигоклаз – андезин – лабрадор – битовнит – анортит.
Изовалентный изоморфизм – заряд замещающего иона равен заряду заменяемого: ряд форстерит – фаялит.
Фактором изоморфизма является структура минерала, точнее способность структуры к присоединению катионов разных элементов.
Билет 28.
Символы граней тригональных и гексагональных кристаллов.
Система осей также является ортогональной. Индексы Миллера вводятся по аналогии с трехосной системой координат. Отличие состоит в том, что вводится четвертая ось u, лежащая в плоскости x,y и перпендикулярная z. Горизонтальные оси образуют между собой угол 1200
Для единичной грани возможны два случая:
А) Грань, отсекающая равные отрезки на двух соседних горизонтальных осях, образующих друг с другом угол 600, проходит параллельно третьей горизонтальной оси. Символ: (10-11)
Б) Грань отсекает на смежных осях равные отрезки и ортогональна третьей. Символ: (11-21)C Отрезок, отсекаемый на вертикальной оси вдвое меньше.
Полиморфизм. Параморфозы. Энантиотропные и монотропные превращения.
Явление автотропии – существования химического соединения в двух или нескольких модификациях, различающихся между собой кристаллическими структурами, а, следовательно, и физическими свойствами, и есть полиморфизм.
Аллотропия – полиморфизм простых веществ.
Энантиотропное превращение – точка перехода из одной модификации в другую лежит ниже температуры плавления вещества. Существует температура, при которой обе модификации находятся в равновесии. Превращение обратимо. Например моноклинная и ромбическая модификации серы.
Монотропное превращение – точка температуры перехода из одной модификации в другую лежит выше температуры плавления. Переход необратим, может осуществиться только при разрушении структуры, или при повышении давления. Например: кальцит – арагонит, графит – алмаз.
Псевдоморфоза (параморфоза) – в ходе перестройки структуры внешняя форма не успевает за изменением структуры и остается первоначальной. Если химический состав остается без изменения то такое явление называется параморфизмом, если же изменяется, то псевдоморфизмом.
Билет 29.
Символы ребер. Закон Вейса.
Символы рядов или ребер – символы кристаллографических направлений.
Координаты какого либо узла N, выраженного через единичные отрезки и приведенные к целым числам, называют индексами узла. Они же являются индексами ряда ON. Символ ребра записывается в квадратных скобках. Ребра соответствуют наиболее упакованным рядам.
Индекс ребра определяет направление вектора параллельного данному.
Поясом или зоной называется совокупность граней кристалла, пересекающихся по параллельным ребрам.
Закон Вейса: Грани кристаллов располагаются зонами и каждая грань принадлежит по крайней мере двум зонам.
Пьезоэлектрические и пироэлектрические свойства кристаллов.
Пьезоэлектричество – способность кристаллов электризоваться при механических деформациях и деформироваться в электрическом поле.
Возникает только у кристаллов, имеющих полярные направления.
Типичный пример кварц – полярные оси второго порядка.
Вдавливание и растяжение вдоль одной из осей приводят к перераспределению зарядов и возникновению разности потенциалов.
Пироэлектричество – способность кристалла нагреваться при нагревании. Возможно у кристаллов обладающих единичным направлением – турмалин.