
- •Ухтинский государственный технический университет Расчет низкочастотного усилителя
- •Общие методические указания по курсовой работе.
- •Пример расчета усилителя звуковой частоты с бестрансформаторным выходным каскадом.
- •4. Расчёт коэффициента гармоник (по методу пяти ординат)
- •5. Расчёт первого каскада усиления.
- •6. Расчёт амплитудно-частотных искажений
- •7. Расчёт данных для построения ачх усилителя.
- •Амплитудно-частотные характеристики усилителя
Амплитудно-частотные характеристики усилителя
Приложение 1
Технические параметры и вольтамперные характеристики некоторых отечественных транзисторов.
КТ104А, КТ104Б, КТ104В, КТ104Г
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы p-n-p. Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре широкого применения.
Приложение 1 |
Параметры | |||||||||
h21э |
h21б |
fh21б, МГц |
IКБ0,мкА |
CК, пФ |
CЭ, пФ |
UКЭR.max , В |
UБЭ. max, В |
IК.max,мА |
РК.max, мВт | |
КТ104А |
9…36 |
7…40 |
≥5 |
≤1 |
≤50 |
≤10 |
-20 |
10 |
50 |
150 |
КТ104Б |
20...80 |
15…80 |
≥5 |
≤1 |
≤50 |
≤10 |
-10 |
10 |
50 |
150 |
|
40..160 |
19…160 |
≥5 |
≤1 |
≤50 |
≤10 |
-10 |
10 |
50 |
150 |
КТ104Г |
15…60 |
10…60 |
≥5 |
≤1 |
≤50 |
≤10 |
-20 |
10 |
50 |
150 |
ГТ309А, ГТ309Б, ГТ309В, ГТ309Г, ГТ309Д, ГТ309Е
Германиевые диффузионно-сплавные транзисторы p-n-p. Предназначены для работы в усилительных и генераторных миниатюрных радиоэлектронных устройствах.
Приложение 1 |
Параметры | ||||||||
h21Е |
│h21э│ |
IКБ0,мкА |
CК, пФ |
τк,пс |
UКЭR.max , В |
UКБ. max, В |
IК.max,мА |
РК.max, мВт | |
ГТ309А ГТ309Б |
20…70 60..180 |
≥6 |
≤5 |
≤10 |
500 |
-10 |
-10 |
10 |
50 |
ГТ309В ГТ309Г |
20…70 60..180 |
≥4 |
≤5 |
≤10 |
1000 |
-10 |
-10 |
10 |
50 |
ГТ309Д ГТ309Е |
20…70 60..180 |
≥2 |
≤5 |
≤10 |
1000 |
-10 |
-10 |
10 |
50 |
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И
Кремниевые планарно- эпитаксиальные усилительные транзисторы n-p-n. Предназначены для работы в усилителях высокой, низкой и промежуточной частоты радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Приложение 1 |
Параметры | ||||||||
h21Е |
│h21э│ |
CК, пФ |
τк,пс |
UКЭ.max, В |
UБЭ. max, В |
UКБ. max, В |
IК.max,мА |
РК.max, мВт | |
КТ315А КТ315Б |
20…90 50..350 |
≥2,5 |
7 |
500 |
25 20 |
6 |
25 20 |
100 |
150 |
КТ315В КТ315Г |
20…90 50..350 |
≥2,5 |
7 |
50 |
40 35 |
6 |
40 35 |
100 |
150 |
КТ315Д КТ315Е |
20…90 50..350 |
≥2,5 |
7 |
1000 |
40 35 |
6 |
40 35 |
100 |
150 |
КТ315Ж КТ315И |
30..250 30 |
≥2,5 ≥1,5 |
10 --- |
--- |
15 60 |
6 |
15 60 |
50 |
100 |
ГТ405А, ГТ405Б, ГТ405В, ГТ405Г
Германиевые сплавные транзисторы типа p-n-p. Предназначены для работы в выходных каскадах УНЧ.
Приложение 1 |
Параметры | |||||
h21Е |
fгр,МГц |
IКБ0,мкА |
UКЭR.max , В |
IК.max,мА |
РК.max, мВт | |
ГТ405А |
30…80 |
≥1 |
≤25 |
-25 |
500 |
600 |
ГТ405Б |
60..150 |
≥1 |
≤25 |
-25 |
500 |
600 |
ГТ405В |
30…80 |
≥1 |
≤25 |
-40 |
500 |
600 |
ГТ405Г |
60..150 |
≥1 |
≤25 |
-40 |
500 |
600 |
КТ604А, КТ604Б, КТ605А, КТ605Б
Кремниевые меза-планарные транзисторы n-p-n. Предназначены для использования в преобразователях напряжения, выходных каскадах усилителей и других устройствах широкого применения.
Приложение 1 |
Параметры | ||||||||
h21Е |
│h21э│ |
IЭБ0,мкА |
CК, пФ |
CЭ, пФ |
UКЭR.max , В |
UКБ. max, В |
IК.max,мА |
РК.max, мВт | |
КТ604А |
10…40 |
≥4 |
≤50 |
≤7 |
≤50 |
250 |
300 |
200 |
800 |
КТ604Б |
30..120 |
≥4 |
≤50 |
≤7 |
≤50 |
250 |
300 |
200 |
800 |
КТ605А |
10…40 |
≥4 |
≤50 |
≤7 |
≤50 |
250 |
300 |
200 |
400 |
КТ605Б |
30..120 |
≥4 |
≤50 |
≤7 |
≤50 |
250 |
300 |
200 |
400 |
КТ610А, КТ610Б
Кремниевые
эпитаксиально-планарные сверхвысокочастотные
усилительные транзисторы p-n-p.
Предназначены для работы в усилителях
напряжения и мощности.
Приложение 1
(продолжение) |
Параметры | ||||||||
h21Е |
fгр,МГц |
CК, пФ |
CЭ, пФ |
τк,пс |
UКЭR.max, В |
UКБ. max, В |
IК.max,А |
РК.ДОП, Вт | |
КТ610А |
50..300 |
≥1000 |
≤4,1 |
≤21 |
≤55 |
26 |
26 |
0,3 |
1,5 |
КТ610Б |
20..300 |
≥700 |
≤4,1 |
≤21 |
≤55 |
26 |
26 |
0,3 |
1,5 |
ГТ703А, ГТ703Б, ГТ703В, ГТ703Г, ГТ703Д
Германиевые сплавные транзисторы типа p-n-p. Предназначены для работы в выходных каскадах УНЧ.
Приложение 1
(продолжение) |
Параметры | ||||||
h21Е |
fh21э, кГц |
IКБ0,мА |
IЭБ0,мА |
UКЭR.max, В |
IК.max,А |
РК.ДОП, Вт | |
ГТ703А ГТ703Б |
30…70 50..100 |
≥10 |
≤0.5 |
≤0.5 |
-20
|
3,5 |
1,6 |
ГТ703В ГТ703Г |
30…70 50..100 |
≥10 |
≤0.5 |
≤0.5 |
-30 |
3,5 |
1,6 |
|
20…45 |
≥10 |
≤0.5 |
≤0.5 |
-40 |
3,5 |
1,6 |
ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705В, ГТ705Г, ГТ705Д
Германиевые транзисторы типа p-n-p. Предназначены для работы в радиоэлектронных устройствах широкого применения.
Приложение 1
(продолжение) |
Параметры | ||||||
h21Е |
fh21э, кГц |
IКБ0,мА |
IЭБ0,мА |
UКЭR.max, В |
IК.max,А |
РК.ДОП, Вт | |
ГТ705А ГТ705В |
30…70 |
≥10 |
≤0.0005 |
≤0.3 |
20 30 |
3,5 |
1,6 |
ГТ705Б ГТ705Г |
50..100 |
≥10 |
≤0.0005 |
≤0.3 |
20 30 |
3,5 |
1,6 |
ГТ705Д |
90..250 |
≥10 |
≤0.0005 |
≤0.3 |
20 |
3,5 |
1,6 |
КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г,
КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г
Кремниевые меза-планарно-эпитаксиальные транзисторы p-n-p (КТ814) и n-p-n (КТ815). Предназначены для работы в выходных каскадах УНЧ, ключевых каскадах и других узлах радиоэлектронной аппаратуры широког применения.
Приложение 1
(продолжение) |
Параметры | |||||||
h21Е |
fгр,МГц |
IКБ0,мА |
CК, пФ |
CЭ, пФ |
UКЭR.max, В |
IК.max,А |
РК.ДОП, Вт | |
КТ814А КТ814Б |
≥40 ≥30 |
≥3 |
≤0,05 |
≤60 |
≤75 |
-40 -50 |
1,5 |
10 |
КТ814В КТ814Г |
≥40 ≥30 |
≥3 |
≤0,05 |
≤60 |
≤75 |
-70 -100 |
1,5 |
10 |
КТ815А КТ815Б |
≥40 |
≥3 |
≤0,05 |
≤60 |
≤75 |
40 50 |
1,5 |
10 |
КТ815В КТ815Г |
≥40 ≥30 |
≥3 |
≤0,05 |
≤60 |
≤75 |
70 100 |
1,5 |
10 |
КТ902А, КТ903А, КТ903Б
Кремниевые диффузионные меза-планарные транзисторы n-p-n. Предназначены для использования в высокочастотных усилителях, генераторах и других устройствах широкого применения.
Приложение 1
(продолжение) |
Параметры | ||||||||
h21Е |
│h21э│ |
IКБ0,мА |
IЭБ0,мА |
CК, пФ |
UКЭR.max, В |
UКБ. max, В |
IК.max,А |
РК.ДОП, Вт | |
КТ902А |
≥15 |
≥3,5 |
≤10 |
≤100 |
--- |
--- |
65 |
5 |
30 |
КТ903А КТ903Б |
15…70 40..180 |
≥4 |
--- |
≤50 |
≤180 |
60 |
60 |
3 |
30 |
КТ904А, КТ904Б, КТ907А, КТ907Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы n-p-n. Предназначены для работы в усилителях мощности, умножителях частоты в диапазоне 100…400 МГц в режимах с отсечкой коллекторного тока, автогенераторах, импульсных и других устройствах.
Приложение 1
(продолжение) |
Параметры | |||||||||
h21Е |
│h21э│ |
IКБ0,мА |
IЭБ0,мА |
CК, пФ |
τк,пс |
UКЭR.max, В |
UКБ. max, В |
IК.max,А |
РК.ДОП, Вт | |
КТ904А КТ904Б |
--- |
≥3,5 ≥3 |
--- |
0,3 |
≤12 |
≤15 ≤20 |
60 |
60 |
0,8 |
5 |
КТ907А КТ907Б |
--- |
≥3,5 ≥3 |
--- |
0,3 |
≤20 |
≤15 ≤25 |
60 |
--- |
1
|
13,5 |
Приложение 2
Данные для курсовой работы по ЭМПУ.
Вариант |
Параметры | ||||||||||||
Pвых, Вт |
Rн, Ом |
Uвх,мВ |
Rвх, Ом |
н, Гц |
в, кГц |
Мн, дБ |
Мв, дБ |
Kг, |
Tокр min, C |
Tокр max, C |
S, дБ |
| |
1 |
29,06 |
11,36 |
2,98 |
536,7 |
59,03 |
9,26 |
1,24 |
0,64 |
0,65 |
-14,3 |
41,32 |
20,44 |
|
2 |
21,56 |
9,38 |
17,81 |
121,4 |
82,77 |
9,18 |
3,19 |
0,73 |
3,21 |
-5,5 |
43,41 |
27,42 |
|
3 |
11,42 |
6,79 |
13,17 |
450,5 |
59,23 |
8,78 |
1,59 |
1,49 |
1,22 |
-12,0 |
36,89 |
12,20 |
|
4 |
36,21 |
11,28 |
1,48 |
417,6 |
89,15 |
6,28 |
0,50 |
1,01 |
3,62 |
-4,24 |
36,56 |
18,49 |
|
5 |
36 |
8,12 |
3,02 |
345,5 |
56,47 |
6,39 |
1,56 |
1,07 |
3,16 |
-8,06 |
42,30 |
34,59 |
|
6 |
38,12 |
9,83 |
17,49 |
200,9 |
56,84 |
8,04 |
0,52 |
0,60 |
0,91 |
-4,01 |
32,48 |
12,17 |
|
7 |
10,67 |
8,50 |
17,54 |
492,5 |
71,52 |
7,26 |
3,03 |
1,96 |
1,83 |
-7,68 |
32,03 |
26,02 |
|
8 |
0,33 |
9,69 |
3,28 |
502,0 |
75,17 |
6,32 |
1,85 |
1,65 |
2,47 |
-7,67 |
43,79 |
25,02 |
|
9 |
11,45 |
11,70 |
11,29 |
211,8 |
62,51 |
8,93 |
3,37 |
2,21 |
3,72 |
-13,2 |
36,33 |
11,35 |
|
10 |
4,52 |
10,57 |
1,55 |
248,4 |
62,65 |
8,84 |
2,03 |
1,59 |
3,38 |
-13,4 |
40,17 |
10,29 |
|
11 |
18,56 |
7,19 |
2,68 |
456,6 |
88,46 |
7,48 |
0,91 |
1,21 |
3,61 |
-6,63 |
34,92 |
36,54 |
|
12 |
13,91 |
10,41 |
1,09 |
767,1 |
82,25 |
9,22 |
2,20 |
1,87 |
1,36 |
-3,44 |
35,72 |
35,58 |
|
13 |
9,92 |
9,21 |
12,90 |
625,2 |
60,33 |
6,83 |
2,96 |
1,40 |
2,27 |
-3,31 |
43,67 |
23,33 |
|
14 |
31,73 |
5,50 |
13,21 |
560,9 |
75,69 |
8,25 |
1,64 |
2,33 |
0,99 |
-11,4 |
39,95 |
35,81 |
|
15 |
39,81 |
5,10 |
12,64 |
153,9 |
85,42 |
9,27 |
1,23 |
1,97 |
2,91 |
-3,89 |
37,50 |
12,10 |
|
Вариант |
Параметры | |||||||||||
Pвых, Вт |
Rн, Ом |
Uвх,мВ |
Rвх, Ом |
н, Гц |
в, кГц |
Мн, дБ |
Мв, дБ |
kг, |
Tокр min, C |
Tокр max, C |
S, дБ | |
16 |
39,45 |
6,43 |
6,44 |
512,9 |
88,88 |
6,06 |
3,26 |
1,18 |
1,44 |
-7,31 |
41,28 |
32,89 |
17 |
36,59 |
3,31 |
18,76 |
281,2 |
82,62 |
9,01 |
2,90 |
2,16 |
2,50 |
-0,1 |
34,22 |
21,88 |
18 |
31,71 |
9,32 |
17,91 |
763,8 |
65,10 |
7,05 |
3,44 |
2,33 |
2,46 |
-10,1 |
36,43 |
27,36 |
19 |
6,97 |
7,66 |
3,72 |
552,9 |
68,75 |
7,77 |
2,62 |
0,97 |
3,42 |
-0,44 |
41,59 |
23,78 |
20 |
7,32 |
8,57 |
14,36 |
527,7 |
57,19 |
7,56 |
0,75 |
0,65 |
3,22 |
-12,4 |
34,95 |
34 |
21 |
14,33 |
11,03 |
15,84 |
324,1 |
61,32 |
7,61 |
0,58 |
1,09 |
1,26 |
-11,6 |
36,17 |
29,44 |
22 |
24,10 |
5,43 |
19,37 |
218,9 |
88,83 |
7,11 |
0,57 |
1,94 |
1,83 |
-12,3 |
37,33 |
12,93 |
23 |
35,25 |
8,22 |
9,28 |
432,4 |
79,51 |
7,73 |
1,97 |
1,29 |
3,33 |
-7,97 |
43,91 |
19,96 |
24 |
29,72 |
7,68 |
2,50 |
279,8 |
89,12 |
8,52 |
2,30 |
0,66 |
2,47 |
-5,53 |
37,82 |
26,60 |
25 |
31,37 |
9,14 |
12,90 |
108,2 |
72,50 |
7,17 |
2,31 |
2,15 |
3,52 |
-2,61 |
32,93 |
36,89 |
26 |
16,70 |
6,83 |
14,54 |
628,5 |
89,91 |
7,53 |
1,46 |
2,02 |
3,97 |
-2,33 |
33,73 |
23,07 |
27 |
6,58 |
7,61 |
5,32 |
527,9 |
89,16 |
6,19 |
1,34 |
0,96 |
1,67 |
-13 |
31,91 |
34,60 |
28 |
34,61 |
6,77 |
3,25 |
594,8 |
81,20 |
7,98 |
0,97 |
1,78 |
0,64 |
-8,07 |
31,26 |
10,97 |
29 |
35,61 |
6,87 |
15,22 |
676,8 |
65,61 |
8,84 |
3,13 |
1,12 |
0,90 |
-5,11 |
41,05 |
29,28 |
30 |
38,42 |
3,27 |
13,30 |
478,5 |
64,98 |
9,15 |
1,52 |
1,71 |
3,03 |
-1,42 |
31,58 |
20,91 |
Библиографический список.
1. З.Х. Ягубов, Е.Б. Голубев, «Расчёт электронных и преобразовательных устройств». Ухта 1995.
2. В.И. Галкин, А.Л. Булычев, В.А. Прохоренко, «Полупроводниковые приборы». Справочник, 2-ое издание, переработанное и дополненное,
Минск «Беларусь» 1987.
3. О.В. Головин, А.А. Кубицкий «Электронные усилители». М: Радио и связь, 1983.
4. В.Г. Герасимов «Основы промышленной электроники». М: Высшая школа, 1985.
5. Г.Н. Горбачёв, Е.Е.Чаплыгин «Промышленная электроника». Учебник для вузов под ред. В.А. Лабунцова. М: Энергоатомиздат, 1987.
6. В.С. Руденко, В.И. Сенько, В.В. Трифонюк «Основы промышленной электроники». - Киев: Высшая школа, 1985.
7. О.Г. Чебовский, Л.Г. Моисеев, Р.П. Недошивин «Силовые полупроводниковые приборы». Справочник. М: Энергоатомиздат, 1985. – 400с.
8. Справочник под редакцией Б.Л. Перельмана «Транзисторы для аппаратуры широкого применения». М: Радио и связь, 1981.-656с., ил.