Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Методичка по курсовому ЭМПУ.doc
Скачиваний:
63
Добавлен:
02.03.2016
Размер:
2.74 Mб
Скачать

Амплитудно-частотные характеристики усилителя

Приложение 1

Технические параметры и вольтамперные характеристики некоторых отечественных транзисторов.

КТ104А, КТ104Б, КТ104В, КТ104Г

Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы p-n-p. Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре широкого применения.

Приложение 1

Тип транзистора

Параметры

h21э

h21б

fh21б,

МГц

IКБ0,мкА

CК, пФ

CЭ, пФ

UКЭR.max , В

UБЭ. max, В

IК.max,мА

РК.max,

мВт

КТ104А

9…36

7…40

≥5

≤1

≤50

≤10

-20

10

50

150

КТ104Б

20...80

15…80

≥5

≤1

≤50

≤10

-10

10

50

150

КТ104В

40..160

19…160

≥5

≤1

≤50

≤10

-10

10

50

150

КТ104Г

15…60

10…60

≥5

≤1

≤50

≤10

-20

10

50

150

ГТ309А, ГТ309Б, ГТ309В, ГТ309Г, ГТ309Д, ГТ309Е

Германиевые диффузионно-сплавные транзисторы p-n-p. Предназначены для работы в усилительных и генераторных миниатюрных радиоэлектронных устройствах.

Приложение 1

Тип транзистора

Параметры

h21Е

│h21э

IКБ0,мкА

CК, пФ

τк,пс

UКЭR.max , В

UКБ. max, В

IК.max,мА

РК.max,

мВт

ГТ309А

ГТ309Б

20…70

60..180

≥6

≤5

≤10

500

-10

-10

10

50

ГТ309В

ГТ309Г

20…70

60..180

≥4

≤5

≤10

1000

-10

-10

10

50

ГТ309Д

ГТ309Е

20…70

60..180

≥2

≤5

≤10

1000

-10

-10

10

50

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И

Кремниевые планарно- эпитаксиальные усилительные транзисторы n-p-n. Предназначены для работы в усилителях высокой, низкой и промежуточной частоты радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Приложение 1

Тип транзистора

Параметры

h21Е

│h21э

CК, пФ

τк,пс

UКЭ.max, В

UБЭ. max, В

UКБ. max, В

IК.max,мА

РК.max,

мВт

КТ315А

КТ315Б

20…90

50..350

≥2,5

7

500

25

20

6

25

20

100

150

КТ315В

КТ315Г

20…90

50..350

≥2,5

7

50

40

35

6

40

35

100

150

КТ315Д

КТ315Е

20…90

50..350

≥2,5

7

1000

40

35

6

40

35

100

150

КТ315Ж

КТ315И

30..250

30

≥2,5

≥1,5

10

---

---

15

60

6

15

60

50

100

ГТ405А, ГТ405Б, ГТ405В, ГТ405Г

Германиевые сплавные транзисторы типа p-n-p. Предназначены для работы в выходных каскадах УНЧ.

Приложение 1

Тип транзистора

Параметры

h21Е

fгр,МГц

IКБ0,мкА

UКЭR.max , В

IК.max,мА

РК.max,

мВт

ГТ405А

30…80

≥1

≤25

-25

500

600

ГТ405Б

60..150

≥1

≤25

-25

500

600

ГТ405В

30…80

≥1

≤25

-40

500

600

ГТ405Г

60..150

≥1

≤25

-40

500

600

КТ604А, КТ604Б, КТ605А, КТ605Б

Кремниевые меза-планарные транзисторы n-p-n. Предназначены для использования в преобразователях напряжения, выходных каскадах усилителей и других устройствах широкого применения.

Приложение 1

Тип транзистора

Параметры

h21Е

│h21э

IЭБ0,мкА

CК, пФ

CЭ, пФ

UКЭR.max , В

UКБ. max, В

IК.max,мА

РК.max,

мВт

КТ604А

10…40

≥4

≤50

≤7

≤50

250

300

200

800

КТ604Б

30..120

≥4

≤50

≤7

≤50

250

300

200

800

КТ605А

10…40

≥4

≤50

≤7

≤50

250

300

200

400

КТ605Б

30..120

≥4

≤50

≤7

≤50

250

300

200

400

КТ610А, КТ610Б

Кремниевые эпитаксиально-планарные сверхвысокочастотные усилительные транзисторы p-n-p. Предназначены для работы в усилителях напряжения и мощности.

Приложение 1

(продолжение)

Тип транзистора

Параметры

h21Е

fгр,МГц

CК, пФ

CЭ, пФ

τк,пс

UКЭR.max, В

UКБ. max, В

IК.max

РК.ДОП,

Вт

КТ610А

50..300

≥1000

≤4,1

≤21

≤55

26

26

0,3

1,5

КТ610Б

20..300

≥700

≤4,1

≤21

≤55

26

26

0,3

1,5

ГТ703А, ГТ703Б, ГТ703В, ГТ703Г, ГТ703Д

Германиевые сплавные транзисторы типа p-n-p. Предназначены для работы в выходных каскадах УНЧ.

Приложение 1

(продолжение)

Тип транзистора

Параметры

h21Е

fh21э,

кГц

IКБ0,мА

IЭБ0,мА

UКЭR.max, В

IК.max

РК.ДОП,

Вт

ГТ703А

ГТ703Б

30…70

50..100

≥10

≤0.5

≤0.5

-20

3,5

1,6

ГТ703В

ГТ703Г

30…70

50..100

≥10

≤0.5

≤0.5

-30

3,5

1,6

ГТ703Д

20…45

≥10

≤0.5

≤0.5

-40

3,5

1,6

ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705В, ГТ705Г, ГТ705Д

Германиевые транзисторы типа p-n-p. Предназначены для работы в радиоэлектронных устройствах широкого применения.

Приложение 1

(продолжение)

Тип транзистора

Параметры

h21Е

fh21э,

кГц

IКБ0,мА

IЭБ0,мА

UКЭR.max, В

IК.max

РК.ДОП,

Вт

ГТ705А

ГТ705В

30…70

≥10

≤0.0005

≤0.3

20

30

3,5

1,6

ГТ705Б

ГТ705Г

50..100

≥10

≤0.0005

≤0.3

20

30

3,5

1,6

ГТ705Д

90..250

≥10

≤0.0005

≤0.3

20

3,5

1,6

КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г,

КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г

Кремниевые меза-планарно-эпитаксиальные транзисторы p-n-p (КТ814) и n-p-n (КТ815). Предназначены для работы в выходных каскадах УНЧ, ключевых каскадах и других узлах радиоэлектронной аппаратуры широког применения.

Приложение 1

(продолжение)

Тип транзистора

Параметры

h21Е

fгр,МГц

IКБ0,мА

CК, пФ

CЭ, пФ

UКЭR.max, В

IК.max

РК.ДОП,

Вт

КТ814А

КТ814Б

≥40

≥30

≥3

≤0,05

≤60

≤75

-40

-50

1,5

10

КТ814В

КТ814Г

≥40

≥30

≥3

≤0,05

≤60

≤75

-70

-100

1,5

10

КТ815А

КТ815Б

≥40

≥3

≤0,05

≤60

≤75

40

50

1,5

10

КТ815В

КТ815Г

≥40

≥30

≥3

≤0,05

≤60

≤75

70

100

1,5

10

КТ902А, КТ903А, КТ903Б

Кремниевые диффузионные меза-планарные транзисторы n-p-n. Предназначены для использования в высокочастотных усилителях, генераторах и других устройствах широкого применения.

Приложение 1

(продолжение)

Тип транзистора

Параметры

h21Е

│h21э

IКБ0,мА

IЭБ0,мА

CК, пФ

UКЭR.max, В

UКБ. max, В

IК.max

РК.ДОП,

Вт

КТ902А

≥15

≥3,5

≤10

≤100

---

---

65

5

30

КТ903А

КТ903Б

15…70

40..180

≥4

---

≤50

≤180

60

60

3

30

КТ904А, КТ904Б, КТ907А, КТ907Б

Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы n-p-n. Предназначены для работы в усилителях мощности, умножителях частоты в диапазоне 100…400 МГц в режимах с отсечкой коллекторного тока, автогенераторах, импульсных и других устройствах.

Приложение 1

(продолжение)

Тип транзистора

Параметры

h21Е

│h21э

IКБ0,мА

IЭБ0,мА

CК, пФ

τк,пс

UКЭR.max, В

UКБ. max, В

IК.max

РК.ДОП,

Вт

КТ904А

КТ904Б

---

≥3,5

≥3

---

0,3

≤12

≤15

≤20

60

60

0,8

5

КТ907А

КТ907Б

---

≥3,5

≥3

---

0,3

≤20

≤15

≤25

60

---

1

13,5

Приложение 2

Данные для курсовой работы по ЭМПУ.

Вариант

Параметры

Pвых, Вт

Rн, Ом

Uвх,мВ

Rвх, Ом

н,

Гц

в,

кГц

Мн, дБ

Мв, дБ

Kг,

Tокр min, C

Tокр max, C

S, дБ

1

29,06

11,36

2,98

536,7

59,03

9,26

1,24

0,64

0,65

-14,3

41,32

20,44

2

21,56

9,38

17,81

121,4

82,77

9,18

3,19

0,73

3,21

-5,5

43,41

27,42

3

11,42

6,79

13,17

450,5

59,23

8,78

1,59

1,49

1,22

-12,0

36,89

12,20

4

36,21

11,28

1,48

417,6

89,15

6,28

0,50

1,01

3,62

-4,24

36,56

18,49

5

36

8,12

3,02

345,5

56,47

6,39

1,56

1,07

3,16

-8,06

42,30

34,59

6

38,12

9,83

17,49

200,9

56,84

8,04

0,52

0,60

0,91

-4,01

32,48

12,17

7

10,67

8,50

17,54

492,5

71,52

7,26

3,03

1,96

1,83

-7,68

32,03

26,02

8

0,33

9,69

3,28

502,0

75,17

6,32

1,85

1,65

2,47

-7,67

43,79

25,02

9

11,45

11,70

11,29

211,8

62,51

8,93

3,37

2,21

3,72

-13,2

36,33

11,35

10

4,52

10,57

1,55

248,4

62,65

8,84

2,03

1,59

3,38

-13,4

40,17

10,29

11

18,56

7,19

2,68

456,6

88,46

7,48

0,91

1,21

3,61

-6,63

34,92

36,54

12

13,91

10,41

1,09

767,1

82,25

9,22

2,20

1,87

1,36

-3,44

35,72

35,58

13

9,92

9,21

12,90

625,2

60,33

6,83

2,96

1,40

2,27

-3,31

43,67

23,33

14

31,73

5,50

13,21

560,9

75,69

8,25

1,64

2,33

0,99

-11,4

39,95

35,81

15

39,81

5,10

12,64

153,9

85,42

9,27

1,23

1,97

2,91

-3,89

37,50

12,10

Вариант

Параметры

Pвых, Вт

Rн, Ом

Uвх,мВ

Rвх, Ом

н,

Гц

в,

кГц

Мн, дБ

Мв, дБ

kг,

Tокр min, C

Tокр max, C

S, дБ

16

39,45

6,43

6,44

512,9

88,88

6,06

3,26

1,18

1,44

-7,31

41,28

32,89

17

36,59

3,31

18,76

281,2

82,62

9,01

2,90

2,16

2,50

-0,1

34,22

21,88

18

31,71

9,32

17,91

763,8

65,10

7,05

3,44

2,33

2,46

-10,1

36,43

27,36

19

6,97

7,66

3,72

552,9

68,75

7,77

2,62

0,97

3,42

-0,44

41,59

23,78

20

7,32

8,57

14,36

527,7

57,19

7,56

0,75

0,65

3,22

-12,4

34,95

34

21

14,33

11,03

15,84

324,1

61,32

7,61

0,58

1,09

1,26

-11,6

36,17

29,44

22

24,10

5,43

19,37

218,9

88,83

7,11

0,57

1,94

1,83

-12,3

37,33

12,93

23

35,25

8,22

9,28

432,4

79,51

7,73

1,97

1,29

3,33

-7,97

43,91

19,96

24

29,72

7,68

2,50

279,8

89,12

8,52

2,30

0,66

2,47

-5,53

37,82

26,60

25

31,37

9,14

12,90

108,2

72,50

7,17

2,31

2,15

3,52

-2,61

32,93

36,89

26

16,70

6,83

14,54

628,5

89,91

7,53

1,46

2,02

3,97

-2,33

33,73

23,07

27

6,58

7,61

5,32

527,9

89,16

6,19

1,34

0,96

1,67

-13

31,91

34,60

28

34,61

6,77

3,25

594,8

81,20

7,98

0,97

1,78

0,64

-8,07

31,26

10,97

29

35,61

6,87

15,22

676,8

65,61

8,84

3,13

1,12

0,90

-5,11

41,05

29,28

30

38,42

3,27

13,30

478,5

64,98

9,15

1,52

1,71

3,03

-1,42

31,58

20,91

Библиографический список.

1. З.Х. Ягубов, Е.Б. Голубев, «Расчёт электронных и преобразовательных устройств». Ухта 1995.

2. В.И. Галкин, А.Л. Булычев, В.А. Прохоренко, «Полупроводниковые приборы». Справочник, 2-ое издание, переработанное и дополненное,

Минск «Беларусь» 1987.

3. О.В. Головин, А.А. Кубицкий «Электронные усилители». М: Радио и связь, 1983.

4. В.Г. Герасимов «Основы промышленной электроники». М: Высшая школа, 1985.

5. Г.Н. Горбачёв, Е.Е.Чаплыгин «Промышленная электроника». Учебник для вузов под ред. В.А. Лабунцова. М: Энергоатомиздат, 1987.

6. В.С. Руденко, В.И. Сенько, В.В. Трифонюк «Основы промышленной электроники». - Киев: Высшая школа, 1985.

7. О.Г. Чебовский, Л.Г. Моисеев, Р.П. Недошивин «Силовые полупроводниковые приборы». Справочник. М: Энергоатомиздат, 1985. – 400с.

8. Справочник под редакцией Б.Л. Перельмана «Транзисторы для аппаратуры широкого применения». М: Радио и связь, 1981.-656с., ил.