- •Предмет и цели курса.
- •Принципы изучения дисциплины.
- •Источники напряжения и тока.
- •Основные виды электрических колебаний.
- •Источники сигналов в сапр Micro-Cap8.
- •Резисторы. Основные параметры и характеристики.
- •Конденсаторы. Основные параметры и характеристики.
- •Катушки индуктивности. Основные параметры и характеристики.
- •Интегрирующие цепи. Переходная характеристика.
- •Интегрирующие цепи. Амплитудно-частотная характеристика.
- •Интегрирующие цепи. Фазо-частотная характеристика.
- •Дифференцирующие цепи. Переходная характеристика.
- •Дифференцирующие цепи. Амплитудно-частотная характеристика.
- •Дифференцирующие цепи. Фазо-частотная характеристика.
- •Включение в цепь rc постоянного напряжения.
- •1 При t 0 сопротивление конденсатора хс 0.
- •3 На начальном участке выходной сигнал представляет собой интеграл от входного воздействия.
- •Электронно-дырочный переход и его свойства.
- •Свойства p-n-перехода при наличии внешнего напряжения.
- •Вольт-амперная характеристика p-n-перехода.
- •Вольт-резистивная характеристика p-n-перехода.
- •Температурные свойства p-n-перехода.
- •Частотные свойства p-n-перехода.
- •Эквивалентные схемы p-n – перехода.
- •Полупроводниковые диоды. Их основные параметры и характеристики.
- •Переходная характеристика импульсного диода на 1-м участке.
- •Переходная характеристика импульсного диода на 2-м участке.
- •Переходная характеристика импульсного диода на 3-м участке.
- •Выпрямительные диоды.
- •Импульсные диоды.
- •Стабилитроны.
-
Импульсные диоды.
Импульсные диоды предназначены для работы в быстродействующих импульсных схемах с временем переключения 1мкс и менее. При столь коротких рабочих импульсах необходимо учитывать инерционность процессов включения и выключения диодов и принимать конструктивно-технологические меры, направленные на снижение барьерной емкости и сокращение времени жизни неравновесных носителей заряда в области p - n -перехода.
Основные специфические параметры импульсных диодов:
импульсное прямое сопротивление Rимп.пр - отношение наибольшего импульсного прямого напряжения на диоде к вызвавшему его импульсу тока;
время восстановления обратного сопротивления в - время с момента смены направления тока через диод с прямого на обратное до того момента, когда обратный ток уменьшится до заданного значения;
выпрямленный ток I.вып - среднее значение тока через диод с учетом частоты следования импульсов;
максимальный импульсный ток I.имп.max - наибольшее допустимое значение тока в импульсе заданной длительности;
наибольшая емкость диода Сд — емкость между выводами диода при заданном напряжении /
Основной характеристикой импульсных диодов является их переходная характеристика.
Анализ переходных процессов проводится обычно по схеме а) для ступенчатого сигнала, когда диод попеременно работает в прямом и обратном направлениях (в частном случае обратное переключение может отсутствовать - на диод подается нулевое напряжение).
При попеременном переключении диода различают следующие участки переходной характеристики:
I - установление прямого напряжения при заданном прямом токе;
II - рассасывание избыточных носителей в базе при заданном обратном токе;
III - восстановление обратного тока (сопротивления) при заданном обратном напряжении
Рассмотрим эти участки, для чего уточним эквивалентную схему. Она имеет вид.
-
Стабилитроны.
Стабилитронами и стабисторами называют полупроводниковые приборы, предназначенные для стабилизации напряжения.
Работа стабилитрона основана на использовании явления электрического пробоя p - n перехода при включении диода в обратном направлении.
Работа стабистора основана на использовании слабой зависимости прямой ветви ВАХ диода то тока, протекающего через него.
ВАХ стабилитрона в прямом направлении практически не отличается от прямой ветви любого кремниевого диода. Обратная ветвь ее имеет вид линии, проходящей почти параллельно оси токов. Поэтому при изменении в широких пределах тока падение напряжения на приборе практически не изменяется. Это свойство кремниевых диодов позволяет использовать их в качестве стабилизаторов напряжения.
УГО стабилитрона .
Основные параметры стабилитрона:
-
номинальное напряжение стабилизации Uст.nom - падение напряжения на диоде при номинальном токе стабилизации Iст.nom ;
-
допустимое отклонение напряжения стабилитрона от номинального значения Uст;
-
минимальный ток стабилизации Iст.min ;
-
максимальный ток стабилизации Iст.max . При превышении начинается тепловой пробой;
-
минимальное напряжение стабилизации Uст.min ;
-
максимальное напряжение стабилизации Uст.max ;
-
дифференциальное сопротивления стабилитрона rд = (Uст.max - Uст.min) / (Iст.max - Iст.min);
-
температурный коэффициент напряжения стабилизации (TKН) – отношение относительного изменения напряжения стабилизации к абсолютному изменению температуры окружающей среды: TKН = ∆Uст / (Uст.nom *∆T);
-
максимальная мощность рассеивания Pmax .
-
Стабисторы.