
- •Министерство образования Республики Беларусь
- •Предисловие
- •1.Структура рынка средств производства при планово распределительной экономике и в переходный период. Формы реализации средств производства
- •1.1. Структура рынка средств производства
- •1.2. Социально-экономическое развитие Республики Беларусь в переходный период (1990-2000гг.)
- •1.3. Развитие реального сектора экономики
- •2. Технологический прогресс – основа развития общественного производства
- •2.1. Этапы технологического развития общества
- •2.2. Особенности технологического развития общества в современных условиях.
- •2.3. Основные направления научно-технологического развития на современном этапе
- •2.4. Перспективы научно-технологического развития
- •3. Классификация технологических процессов, технологичность изделий
- •3.1. Классификация технологических процессов
- •3.2. Технологичность изделий
- •4. Организация обеспечения промышленных предприятий качественным сырьем и комплектующими
- •4.3. Организация снабжения цехов материалами
- •5.1. Формирование системы качества в Республике Беларусь
- •5.2. Качество – всемирное поле конкуренции
- •5.3. Международная система управления качеством
- •6. Автоматизация производства
- •6.1 Пути автоматизации
- •6.2 Оборудование для автоматизации производств
- •6.3 Промышленные роботы
- •6.4 Автоматизированные линии и производства
- •8.Нормирование производственных запасов. Управление запасами на предприятиях
- •8.1. Виды запасов
- •8.2. Методика нормирования производственных запасов
- •8.3. Оптимизация запасов
- •8.4. Сверхнормативные и несанкционированные запасы
- •9. Организационные структуры менеджмента в промышленности
- •9.1. Сущность и общая характеристика организационных структур
- •9.2 Выбор структуры управления.
- •10. Технологические системы как экономические объекты
- •10.1 Структура технологической системы
- •10.2 Классификация технологических систем
- •11. Стандартизация товарной продукции
- •11.1. Понятие стандартизации
- •11.2. Указатели стандартов
- •11.3.Обозначение стандартов
- •12. Технология конструкционных материалов
- •12.1. Кристаллическое строение металлов Все металлы – тела кристаллические. Кристаллы хаотично ориентированы и называются зернами.
- •Дефекты подразделяются на:
- •12.3 Химико-термическая обработка стали.
- •12.4 Цветные металлы
- •12.4.1 Титан.
- •12.4.2Алюминий и его сплавы.
- •13. Технология получения и применение изделий из композиционных материалов 13.1 Свойства композиционных материалов
- •13.2. Область применения полимерных композиционных материалов.
- •13.3. Характеристики компонентов, входящих в состав полимерных км
- •13.4. Технология изготовления изделий из композиционных материалов.
- •14. Механическая обработка. Технико-экономические параметры технологических процессов механической обработки.
- •14.1 Сущность процесса механической обработки.
- •14.2. Технико-экономический анализ технологического процесса механической обработки
- •1. Штучная себестоимость изготовления одной детали.
- •2. Себестоимость заданной партии деталей.
- •15. Технологические процессы получения заготовок методами литья
- •15.1 Сущность процессов литья.
- •15.2. Технологические процессы получения отливок в разовые песчано-глинистые формы
- •15.3. Литье в многоразовые формы.
- •15.4 Литье по выплавляемым моделям
- •16. Технология пластической переработки металлов
- •16.1 Механизм пластической деформации металлов
- •16.2 Прокатка
- •16.3. Штамповка
- •16.4. Ковка
- •16.5. Волочение
- •17. Элионные, электрофизические и электрохимические методы обработки материалов
- •17.2 Плазменная обработка.
- •17.3 Электроэррозионные методы обработки.
- •17.4 Электрохимические методы обработки.
- •17.5 Анодно-механическая обработка.
- •17.6 Химические методы размерной обработки деталей.
- •18. Технология получения изделий методами порошковой металлургии
- •19. Основы мембранных технологий
- •19.2. Основные разновидности мембранных процессов и их характеристика
- •20. Технология сварки и резки металлов
- •20.1. Электродуговая сварка и резка металлов
- •20.2. Газовая сварка и резка металлов
- •20.3. Холодная сварка
- •20.4. Ультразвуковая сварка давлением
- •20.5. Электронно-лучевая сварка
- •20.6. Плазменно-дуговая сварка
- •20.7. Диффузная сварка
- •21. Неорганическое стекло
- •21.1 Свойства и получение
- •21.2. Основные виды стеклянных изделий
- •22. Технология получения каучука и резины
- •22.1 Свойства и получение
- •22.2. Технология каучука и резины
- •22.3. Резины общего назначения
- •23. Основы технологических процессов электроники и микроэлектроники
- •23.1. Технология изготовления интегральных микросхем
- •23.2. Полупроводниковые интегральные схемы
- •23.3. Фотолитография в микроэлектронике
- •23.4. Нанесение тонких пленок в вакууме
- •23.5. Технология изготовления печатных плат (пп)
- •24. Технология применения лазера в промышленности
- •24.1 Физические основы работы лазера
- •24.2. Принцип работы лазера
- •24.3. Когерентный свет
- •24.5 Лазерная сварка
- •Голографическая интерферометрия – метод неразрушающего контроля
- •25.Технология переработки топлив
- •25.1 Основные виды и методы переработки топлив
- •25.2. Методы переработки нефти
- •26. Технология сборочного производства
- •26.1 Типы сборочного производства
- •26.2 Виды сборочных соединений
- •27. Техника безопасности в производстве
- •27.1.Теоретические остовы безопасности жизнедеятельности
- •27.2. Понятие риска и безопасности жизнедеятельности
- •27.3. Формирование опасностей в производственной среде. Технические методы и средства защиты человека на производстве1
- •27.4. Взрывоопасность
- •27.5. Пожароопасность
- •27.6. Электроопасность
- •27.7. Опасности автоматизированных процессов
- •27.8.Организации и управление охраной труда на предприятии
- •27.9 Обеспечение безопасности технологических процессов
- •Оглавление
24. Технология применения лазера в промышленности
24.1 Физические основы работы лазера
В начале двадцатого века А.Эйнштейн показал, что существуют два различных процесса испускания энергии: спонтанное и вынужденное излучение. В 1916 году он опубликовал две работы, посвященные этому вопросу: «Испускание и поглощение излучения по квантовой теории», «К квантовой теории излучения».
Вынужденное излучение лежит в основе работы лазера. Слово «лазер» составлено из начальных букв английского словосочетания «усиление света вынужденным излучением».
Рассмотрим, в чем проявляются особенности вынужденного испускания света. Энергия атома квантуется. Это значит, что атомы находятся на определенном энергетическом уровне. При переходе на более низкий энергетический уровень испускается некоторое количество энергии – квант или фотон. Энергия кванта равна:
,
где
-частота излучения,
-постоянная
планка,
=6,6
10-34Дж/с.
,
это энергия фотона при переходе с уровня
Е2 на
Е1.
Эйнштейн показал, что при пропускании света через вещество он, как правило, поглощается. Это значит. Что в веществе больше электронов, находящихся на уровне Е1., чем на Е2.
В 1939 году советский физик В.А.Фабрикант предложил обращенную (инверсную) наследственность энергетических уровней в веществе. Предполагалось, что существуют вещества, способные усиливать излучение. При этом за счет вспомогательного излучения осуществляется перевод атомов с энергетического уровня Е1 на более высокий энергетический уровень Е2. При этом атомы могут накапливаться на промежуточном энергетическом уровне. В результате может быть создана инверсная наследственность.
Для
лавинообразного излучения фотонов
необходимо накопление достаточно
большого их количества на указанном
энергетическом уровне. При переходе
многих атомов с уровня Е2
на Е1
появляется лавина вторичных фотонов,
которые будут иметь одинаковую энергиюи двигаться в одном направлении.
Поскольку энергия у излученных фотонов
одинаковая, то и частота излучения тоже
одинаковая.
Установлено, что излучается одна электромагнитная волна. Вынужденное излучение – процесс управляемый. Его инициирует первичный фотон, который не только вызывает переход атомов с уровня Е2 на Е1,но и определяет направление движения.
24.2. Принцип работы лазера
Основой лазера является активный элемент. В лазерах начинали с активного элемента в виде граната с неодимом. В кристалле активными центрами являются ионы неодима. Поглощая излучение специальной лампы – осветителя ионы неодима возбуждаются, переходя на более высокий энергетический уровень. Аналогичные процессы происходят в кристалле рубина. При этом атомы накапливаются на долгоживущем промежуточном уровне. Для усиления воздействия лампы-вспышки (накачка) устанавливается специальный отражатель. Излучение из активного элемента не будет направленным. Чтобы это обеспечить, устанавливается резонатор, например, в виде двух зеркал, расположенных перпендикулярно оси основного элемента. При этом одно зеркало является отражающим, другое – полупрозрачным. При этом генерируются только фотоны, которые движутся вдоль оси кристалла. Рассмотренная схема обеспечивает импульсное излучение. В настоящее время имеется большое разнообразие лазеров. В качестве активных сред используются диэлектрические кристаллы, полупроводники, газовые смеси и т.д. С оптической накачкой в виде лампы-вспышки созданы лазеры с активным элементом в виде граната с неодимом, стекла с неодимом, рубина и т.д. Для накачки лазеров на газовых смесях используют газовый разряд. Широко используется гелий – неоновый лазер и углекислотный лазер. В первом роль активных центров выполняют атомы неона. Их возбуждают электроны, образующиеся в газовом разряде.