- •В зависимости от способа подключения р-n- переходов транзистора к внешним источникам питания он
- •Режимы отсечки и насыщения используются при работе транзисторов в импульсных схемах и в
- •Режим отсечки транзистора получается тогда, когда эмиттерный и коллекторный p-n-переходы подключены к внешним
- •При работе
- •Статические характеристики биполярного транзистора при включении по схеме с ОБ:
- •Резистором R1 в схеме:
- •2) Статические характеристики транзистора по схеме ОЭ
- •Свойства транзистора характеризуются параметрами, которые делятся на:
- •1.Выходные характеристики – зависимость тока коллектора Iк от напряжения на коллекторе Uк при
- •1.Дифференциальный коэффициент передачи тока:
- •h - параметры можно определить с помощью статических характеристик методом измерения их на
- •Основной для БТ является система h-параметров:
1.Выходные характеристики – зависимость тока коллектора Iк от напряжения на коллекторе Uк при постоянном токе базы Iб (рис.9а).
Iк = f(Uк); |
Iб = const, Iб3> Iб2> Iб1. |
2.Входная характеристика – зависимость тока базы Iб от напряжения на базе Uб при постоянном напряжении на коллекторе Uк (рис.9б):
Iб = f(Uб); Uк = const.
3.Переходная характеристика – зависимость тока колллектора Iк от тока базы Iб при постоянном напряжении на коллекторе Uк (рис.9в):
Iк = f(Iб); Uк = const.
1.Дифференциальный коэффициент передачи тока: |
|
dIK |
|
|
||
|
|
|||||
|
|
|
|
dIэ |
|
uк const |
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
2.Сопротивление эмиттерного перехода: |
rэ |
|
dU э |
(Iк=const) |
||
|
dI э |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
3.Сопротивление коллекторного перехода: |
rк |
|
|
|
|
4.Коэффициент обратной связи: |
|
dU K |
эк |
|
dUэ |
5.Дифференциальный коэффициент передачи тока (для схемы с общим эмиттером):
|
dUк |
(Iэ=cons |
|
dIк |
|||
|
t) |
(Iэ=const)
dIк
dI Б uк const
h - параметры можно определить с помощью статических характеристик методом измерения их на постоянном токе. Тогда роль малого переменного тока и напряжения будут играть малые приращения постоянных токов Iб, Iк,
и напряжений Uк, Uб.
Для схемы с общим эмиттером.
В справочниках чаще указаны h-параметры для схемы с ОБ (hб), которые можно найти путем
h11э h12э h21э h22э
U б / Iб rб , при U к constU б / U к бк , при Iб constI к / Iб , при U к constI к / U к 1/ rк , при Iб const
h |
|
|
h11э |
|
|
|
||
|
|
|
||||||
11б |
1 h21э |
|||||||
|
||||||||
h |
h11эh22э h12э (1 h21э ) |
|||||||
12б |
|
|
|
|
|
1 h21э |
||
|
|
|
|
|
|
|||
h21б |
|
h21э |
|
|||||
1 h21э |
||||||||
|
|
|
|
|||||
h |
|
h22э |
|
|||||
|
||||||||
22б |
|
1 h21э |
||||||
|
|
|||||||
Основной для БТ является система h-параметров:
U1 h11 I1 h12U 2
I2 h21I1 h22U 2
Каждый из h-параметров имеет определенный физический смысл:
1)Параметр h11 представляет собой величину входного сопротивле-ния транзистора Rвх при коротком замыкании на выходе (U2=0) и измеряется в Ом. h11 = U1/I1, при U2=0;
2)Параметр h12 называется коэффициентом обратной связи и равен отношению входного напряжения U1 к выходному U2 при разом-кнутой входной цепи (I1=0). h12 = U1/U2, при I1=0;
3)Параметр h22 представляет собой выходную проводимость транзис- тора при разомкнутом входе (I1=0) и измеряется в мкСм ( 1 мкСм= =10-6 См = 1 мкА/В). h22 = I2/U2, при I1=0;
4)Параметр h21 – коэффициент прямой передачи тока при коротком замыкании на выходе. h21 = I2/I1, при U2=0.
