- •Полупроводниковые
- •Полупроводниковый диод
- •Виды полупроводниковых диодов
- •Барьер Шоттки
- •Диод Шоттки
- •p-n переход
- •p-n переходы прямое смещение
- •p-n переходы обратное смещение
- •Выпрямительные диоды
- •Выпрямительные диоды
- •Характеристическое сопротивление
- •Эквивалентная малосигнальная схема диода для низких частот
- •Варикап
- •Стабилитрон
- •Туннельный диод
- •Туннельный диод
- •Обращённый диод
- •Система обозначений диодов
- •Система обозначений диодов
- •Система обозначений диодов
- •Система обозначений диодов
- •Система обозначений диодов
Полупроводниковые
диоды
НА ОСНОВЕ P-N ПЕРЕХОДОВ И БАРЬЕРОВ ШОТТКИ
Полупроводниковый диод
Полупроводниковым диодом называют нелинейный электронный прибор с двумя выводами.
Виды полупроводниковых диодов
В зависимости от внутренней структуры, типа, количества и уровня легирования внутренних элементов диода и ВАХ различают :
1) Диод Шоттки
2)
3) Выпрямительные диоды
4)
5)Обращенные диоды
6)Туннельные
Барьер Шоттки
Рассмотрим контакт металл– полупроводник (на примере контакта Au-Si n-типа) при условии
ФМе Фп/п ; |
jMe jп/п |
Зонная диаграмма при различных значениях напряжения VG на затворе: а) VG = 0; б) VG > 0, прямое смещение; в) VG < 0, обратное смещение
; |
Барьер Шоттки |
Вольт-амперная характеристика барьера Шоттки
В условиях равновесия VG = 0
ток из полупроводника в металл уравновешивается током из металла в полупроводник . При приложении напряжения этот баланс нарушается и общий ток будет равен сумме этих токов.
J Jn / n М JM n / n 14 qns 0 (e VG 1)
Диод Шоттки
Диод Шоттки— полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении.
Диоды на основе барьера Шоттки являются быстродействующими приборами, так как в них отсутствуют рекомбинационные и диффузионные процессы. Это свойство используется в интегральных микросхемах, где диодами Шоттки
шунтируются переходы транзисторов логических элементов. В силовой электронике малое время восстановления позволяет строить выпрямители на частоты в сотни кГц и выше.
p-n переход
p-n переходы прямое смещение
JnD – диффузионная компонента электронного тока
JnD – диффузионная компонента дырочного тока
Jрек – рекомбинационный ток
p-n переходы обратное смещение
JnE – дрейфовая компонента
электронного
тока
JpE – дрейфовая компонента дырочного тока
Jген – генерационный
ток
Выпрямительные диоды
Основа – электронно- дырочный переход
ВАХ имеет ярко выраженную нелинейность