В зависимости от способа подключения р-n- переходов транзистора к внешним источникам питания он может работать в режиме отсечки, насыщения или активном режиме.

Режимы отсечки и насыщения используются при работе транзисторов в импульсных схемах и в режиме переключения. Для усиления сигналов применяется активный режим работы транзистора.

Режим отсечки транзистора получается тогда, когда эмиттерный и коллекторный p-n-переходы подключены к внешним источникам в обратном

рис. 2,а направлении (рис. 2а).

При работе

Статические характеристики биполярного транзистора при включении по схеме с ОБ:

- Входная характеристика – зависимость тока эмиттера от напряжения на эмиттере при постоянном напряжении на коллекторе. IЭ=f(UЭ); UK=const (рис. а)

- Выходная характеристика – зависимость тока коллектора от напряжения на коллекторе при постоянном токе эмиттера. IK=f(UK); IБ=const (рис.б)

Резистором R1 в схеме:

изменяется напряжение база-эмиттер, а резистором R2 поддерживается постоянным Uбк. Обычно входные характеристики измеряются при двух значениях постоянного напряжения Uбк (смотрите Рис.).

Входные

характеристики представляют собой прямую ветвь открытого эмиттерного перехода.

Свойства транзистора характеризуются параметрами, которые делятся на:

1) физические – коэффициент усиления по току a, сопротивления rэ, rб, rк; эти параметры характеризуют свойства самого транзистора, независимо от схемы включения;

2) схемотехнические – имеют различные значения для разных схем включения. Существуют несколько систем схемотехнических параметров, но все они основаны на том, что транзистор как элемент схемы на малом переменном сигнале рассматривается в виде линейного активного четырехполюсника.