1.3. Перечень дисциплин, усвоение которых необходимо студентам для изучения данной дисциплины:

Название дисциплины

Разделы (темы)

Высшая математика

Дифференциальное и интегральное исчисление, комплексные числа, специальные функции

Физика

Электричество, электромагнетизм

Тема 1

Основы физики твердого тела

Энергетические зонные диаграммы. Собственные примесные полупроводники. Генерация и реко мбинация. Основные аналитические выражения физики полупроводников.

1

Тема 2

Электронно-дырочный переход

Типы электронно-дырочных p-nпереходов. Инжекция и экстракция. Распределение и концентрация местных носителей в базе. Импульсные свойства. Пробой.

2

Тема 3

Омический контакт

Требование к омическому контакту. Параметры и энергетическая зонная диаграмма, контакты.

0,5 часа

Тема 4

Биполярные транзисторы

Общие сведения. Коэффициенты передачи тока эмиттера и базы. Статические параметры и ВАХ , частотно-импульсные свойства. Пробой транзистора

2

Тема 5

Полевые транзисторы

Идеализированные МДП структуры. МОП транзисторы. Пороговое напряжение и пути ее регулирования. Параметры. Частотные свойства.

2

Тема 6

Лавинный пробой p-nперехода и пути увеличения напряжения пробоя

Полевая обкладка. Эквипотенциальное кольцо. Резистивная полевая обкладка. Влияние геометрических размеров на величину напряжения лавинного пробоя диодов.

0,5 часа

Тема 7

Мощные биполярные и полевые транзисторы

Структура мощных биполярных и полевых транзисторов. Пути увеличения коэффициента усиления в мощных биполярных транзисторах. Эффект Кирка. Полевой транзистор как усилитель мощности.

1

Тема 8

СВЧ диоды

Туннельные, обращенные и параметрический диоды. Диоды на пролетных эффектах. Диоды Шоттки.

1

Тема 9

Мощные СВЧ биполярные и полевые транзисторы.

Физические эквивалентные схемы мощных СВЧ биполярных и полевых транзисторов. Пути увеличения мощности граничной частоты. Топология.

1

Тема 10

Полевые транзисторы с затвором Шоттки (ПТШ)

Принцип работы. Статические ВАХ, параметры. Модель идеализированного ПТШ. Эквивалетная схема. Частотные свойства.

1

Название темы

Содержание

Объем в часах

1.Исследование электрических параметров биполярных транзисторов

Измерение коэффициента передачи тока эмиттера, выходной проводимости, сопротивления базы и обратных токов коллектора.

2

2.Исследование электрических параметров МОП транзисторов.

Измерение порогового напряжения, крутизны и коэффициента влияния подложки.

2

Название темы

Содержание

Объем в часах

1. Электрические параметры биполярных транзисторов

Расчет коэффициента передачи тока эмиттера, выходной проводимости, сопротивления базы и обратных токов коллектора.

2

2. Электрические параметры МОП транзисторов.

Расчет порогового напряжения и крутизны ВАХ.

2