Физические основы электронной техники

Рабочая учебная программа,

методические указания и контрольные работы

Учебно-методическое пособие

для студентов специальности 1-36 04 02

«Промышленная электроника»

вечерней и заочной форм обучения

Минск 2010

Учреждение образования

«Белорусский государственный университет

информатики и радиоэлектроники»

УТВЕРЖДАЮ

Проректор по учебной работе БГУИР

______________ (Живицкая Е.Н.)

Регистрационный № УД-____/

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА

по дисциплине Физические основы электронной техники

для специальности 360402 «Промышленная электроника»

факультет компьютерных технологий

кафедра ИСиТ

курс - второй

семестр – третий

лекции - 6 часов

практических занятий - 4 часа

лабораторных занятий - 4 часа

самостоятельная работа - 106 часов

контрольная работа – 3 семестр

зачет – 3 семестр

всего - 116 часа

Минск 2010

Составитель программы:

А.П. Казанцев, кандидат технических наук, доцент кафедры Информационных систем и технологий Института информационных технологий Учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники».

Рассмотрена и рекомендована к утверждению на заседании кафедры

_ Информационных систем и технологий _________

протокол № __ от _____ ____

Заведующий кафедрой (В.И. Пачинин)

Одобрена и рекомендована к утверждению Советом Института информационных технологий Учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники»

протокол № __ от _____ ___

Председатель (В.Г. Назаренко)

СОГЛАСОВАНО

Начальник ОМОУП______________Ц.С.Шикова

1. Цели и задачи дисциплины

1. Цель преподавания дисциплины.

Дисциплина «Физические основы электронной техники» обеспечивает изучение дисциплины: «Электронные приборы».

1.2. Задачи изучения дисциплины

В результате изучения дисциплины «Физические основы электронной техники» студенты должны:

знать:

- электрические характеристики полевых и биполярных транзисторов, туннельных параметрических , обращенных диодов и диодов Шоттки;

уметь характеризовать:

- причины, приводящие к уменьшению коэффициента усиления по току в мощных транзисторах;

- причины, вызывающие ограничения величин частоты отсечки мощных биполярных и МОП- транзисторов;

уметь анализировать:

- физические процессы, влияющие на выбор структуры кремниевых и арсенид-галлиевых транзисторов ВЧ и СВЧ диапазонов ;

- компромиссы в выборе предельных электрических параметров мощных НЧ и СВЧтранзисторов;

приобрести навыки:

- в расчете основных электрических параметров биполярных и полевых транзисторов;

• в расчете основных электрических параметров СВЧ диодов