Принцип дії польового транзистора

Докладніше у статті польовий транзистор

В польовому транзисторі струм протікає від витокудостокучерезканалпідзатвором. Канал існує в легованому напівпровіднику в проміжку між затвором і нелегованою підкладкою, в якій немає носіїв заряду, й вона не може проводити струм. Безпосередньо під затвором існуєобласть збіднення, в якій теж немає носії заряду завдяки утворенню між легованим напівпровідником і металевим затворомконтакту Шотткі. Таким чином ширина каналу обмежена простором між підкладкою та областю збіднення. Прикладена до затвору напруга збільшує чи зменшує ширину області збіднення, а тим самим ширину каналу, контролюючи струм.

Перший патент на польовий транзистор отримав у 1925році в Канаді уродженецьЛьвоваЮліус Едгар Лілієнфельд^[1], однак він не опублікував жодних досліджень, пов'язаних із своїм винаходом. У 1934 році німецький фізик Оскар Гайльзапатентував ще один польовий транзистор^[2]. У 1947роціДжон БардінтаВолтер Браттейн із AT&T Bell Labsвідкрили ефект підсилення в кристалігерманію.Вільям Шоклі побачив у цьому явищі значний потенціал. Завдяки своїй роботі над новим явищем він може вважатися батьком транзистора. Термін «транзистор» запропонував Джон Пірс.

у 1956 році Бардін, Шоклі і Браттейн отримали за винахід транзистора Нобелівську премію.

Перший кремнієвий транзистор виготовили в Texas Instrumentsу 1954^[3]. Це зробив Гордон Тіл, фахівець із вирощування кристалів високої чистоти, який раніше працював у Bell Labs^[4]. Перший МОН-транзисторзробили Канг та Аталла в Bell Labs у 1960^[5].

У 50-х та 60-х роках 20 ст. транзистори швидко витіснили вакуумні лампи майже з усіх областей застосування, завдяки своїй компактності, технологічності, довговічності та можливості інтегрування у великі й надвеликі електронні схеми.

[Ред.] Різновиди

	PNP		P-канальний
	NPN		N-канальний
Біполярні		Польові

Позначення біполярних та польових транзисторів

				P-канальний
				N-канальний
Польові	Метал-оксидні збагачення		Метал-оксидні збіднення

Позначення різних типів польових транзисторів

Окрім поділу на біполярні та польові транзистори, існує багато різних типів, специфічних за своєю будовою.

Біполярні транзистори розрізняються за полярністю: вони бувають p-n-p та n-p-n типу. Середня літера в цих позначеннях відповідає типу провідності матеріалу бази.

Польові транзистори розрізняються за типом провідності в каналі: на p-канальні (основний тип провідності — дірковий) та n-канальні — основний тип провідності електронний.

Серед польових транзисторів найпоширеніші транзистори типу метал-оксид-напівпровідник, які можуть використовувати або область збагачення або область збіднення. Свою назву МДН-транзистор (метал-діелектрик-напівпровідник) отримав завдяки тому, що в ньому металевий затвор відділений від напівпровідника шаром діелектрика. Для транзисторів на основікремніюцим діелектриком єдіоксид кремнію, що технологічно утворюється при вибірковому окисленні напівпровідника.

Своєрідним гібридом біполярного та польового транзистора є IGBT-транзистор (анг. Isolated Gate Bipolar Transistor — біполярний транзистор із ізольованим переходом), що зараз широко використовується в силовій електроніці.

У флеш-пам'ятівикористовуються польовітранзистори з плавни́м затвором— ізольованоюдіелектриком провідною областю всередині каналу, яка може захоплювати носії заряду й зберігати їх, таким чином створюючи можливість для запису й зчитування інформації.

Транзистори розрізняються також за матеріалом, за максимальноюпотужністю, максимальноючастотою, за призначенням, за типом корпуса.

Найпоширеніший напівпровідниковий матеріал для виробництва транзисторів — кремній. Використовуються такожгерманій,арсенід галіюта інші бінарні напівпровідники.