Лабораторная работа 5.

Расчет распределения волновой функции электрона в GaAs-квантовой проволоке

Цель работы: Рассчитать распределение волновых функций электронов в арсенид галлиевой квантовой проволоке и оценить вероятность обнаружения электрона в той или иной части поперечного сечения проволоки.

Теоретическая часть:

На рисунке ниже схематически изображена квантовая проволока. Ее размеры в поперечном сечении исоизмеримы с длиной волны электрона де Бройля и приводят к возникновению размерного квантования. Уровни размерного квантования и значения волновых функций можно рассчитать с помощью известных соотношений

,

.

Вероятность обнаружить электрон, находящегося на определенном уровне размерного квантования , в определенной точке прямоугольного сечения проволоки с координатамиравна=

Практическая часть:

1. В соответствии со своим вариантом выбрать исходные данные для исследуемой квантовой проволоки

	Вариант 1	Вариант 2	Вариант 3	Вариант 4
, нм	3	4	2	5
, нм	4	3	5	2
,	1, 2 и 2, 1	1, 3 и 3, 1	2, 3 и 3, 2	1, 3 и 3, 2

Должны быть исследованы два состояния с двумя разными наборами номеров и.

2. Рассчитать распределение волновой функции по координатам поперечного сечения. Расчет вести в соответствии с нижеприведенной таблицей, в которой записывать рассчитанные при указанных изначения .

	=0.1	=0.2	=0.4	=0.5	=0.7	=0.8	=0.95
=0.1
=0.2
=0.3
=0.5
=0.75
=0.8
=0.95

3. Найти квадрат волновой функции и таким образом оценить вероятность обнаружения электрона в следующих точках поперечного сечения квантовой проволоки: =0.1и=0.1, а также=0.5и=0.5и=0.8и=0.8.

Лабораторная работа 6.

Моделирование подвижности электронов в МОП-транзисторах с малой длиной канала

Цель работы: Научиться рассчитывать распределение подвижности в канале МОП-транзистора с помощью компьютерной программыЖSiМОП_ТР.

Теоретическая часть:

Компьютерная программа ЖSiМОП_ТРмоделирует перенос большого числа электронов в канале кремниевого МОП-транзистора методом Монте-Карло. Она позволяет с помощью данного численного моделирования рассчитать значения подвижности электронов в любой точке проводящего канала транзистора.

Практическая часть:

1. В соответствии со своим вариантом выбрать данные транзистора для моделировния

	Вариант 1	Вариант 2	Вариант 3	Вариант 4	Вариант 5	Вариант 6	Вариант 7	Вариант 8
, мкм	0.5	0.6	0.4	0.3	0.7	0.25	0.4	0.5
, нм	10	12	8	8	12	7	10	9
, нм	50	60	40	40	50	30	30	40
, В	2	3	2	1	4	2	3	3
, В	2	2	1	1	1	1	2	2

2. Запуская для моделирования в программе ЖSiМОП_ТР1000 электронов снять значения подвижности электронов в 20 различных точках проводящего канала.

3. Построить распределения подвижности электронов по длине и глубине канала МОП-транзистора.