Лабораторная работа 3.

Расчет интенсивности рассеяния на ионах и неоднородностях поверхности в двумерном электронном газе

Цель работы: Рассчитать и проанализировать зависимости интенсивностей рассеяния на ионах примеси и неоднородностях поверхности в двумерном электронном газе, находящемся в инверсионном слое кремния.

Теоретическая часть:

Интенсивность рассеяния электронов на ионах примеси в двумерном электронном газе можно рассчитать с помощью следующей формулы:

,

где – кинетическая энергия электрона;k– волновой вектор электрона;– поверхностная концентрация ионизированной примеси; – среднее значение диэлектрической проницаемости на границе раздела окисел/полупроводник;q– вектор, определяющий изменение волнового вектора электрона при рассеянии;– угол рассеяния;S–параметр экранирования, равный

,

где – поверхностная концентрация электронов,– постоянная Больцмана,– температура.

Интенсивность рассеяния на неоднородностях поверхности можно рассчитать с помощью следующей формулы

где – среднеквадратическая высота шероховатостей;– среднее расстояние между ними (корреляционная длина), функцияравна,

а функция равна.

Практическая часть:

1. Взять для исследования кремниевый МОП-транзистор. Для него выбираются следующие данные ,10^-31кг,=11.7,=3.9, Т=295 К.

2. Вариантам 1, 3, 5, 7 рассчитать интенсивность рассеяния на ионах примеси, а вариантам 2, 4, 6, 8 — интенсивность на неоднородностях поверхности.

3. Для вариантов 1, 3, 5, 7 выбрать следующие значения параметров

	Вариант 1	Вариант 3	Вариант 5	Вариант 7
, м–2	1015	21015	1015	21015
, м–2	1016	21016	21015	51015

Для вариантов 2, 4, 6, 8 выбрать следующие значения параметров

	Вариант 1	Вариант 2	Вариант 3	Вариант 4
, м–2	21015	1015	21015	1015
, м–2	1016	21016	41015	51015
, , нм	1 и 10	0.5 и 10	1 и 15	0.5 и 15

4. Рассчитать интенсивность рассеяния соответствующего своему варианту механизма для восьми значений энергии электрона, заполнив следующую таблицу

	Е= 0.02 эВ	Е= 0.05 эВ	Е= 0.08 эВ	Е= 0.1 эВ	Е= 0.2 эВ	Е= 0.3 эВ	Е= 0.5 эВ	Е= 1 эВ
W,c–1

5. Построить график зависимости W(Е). Сделать выводы о влиянии энергии электрона на изменение интенсивности рассеяния по соответствующему механизму.

Лабораторная работа 4.

Моделирование парциальных подвижностей в проводящем канале GaAs полевого транзистора

Цель работы: Рассчитать подвижность электронов в каналеGaAs-полевого транзистора с помощью парциальных подвижностей.

Теоретическая часть:

В канале GaAs-полевого транзистора основными механизмами рассеяния являются рассеяния на неоднородностях поверхности, на фоновой ионизированной примеси, на удаленной ионизированной примеси и на полярных оптических фононах отдельно с их поглощением и отдельно с их испусканием. Ниже на двух рисунках приведены зависимости интенсивности этих пяти механизмов рассеяния от энергии электронов.

Зависимости интенсивностей рассеяния нефононных механизмов от энергии электронов: 1 – рассеяние на шероховатостях поверхности; 2 – на фоновой примеси; 3 – на удаленной примеси		Зависимости интенсивности рассеяния электронов на полярных оптических фононах от энергии носителей: 1 – с поглощением фонона; 2 – с испусканием фонона

Электрон, двигаясь в канале транзистора, случайным образом рассеивается на этих пяти механизмах. При этом чаще всего он рассеивается на том механизме, интенсивность которого выше. В частности, при энергии электрона до 0.03 эВ в основном он рассеивается на полярных оптических фононах с их поглощением, а выше этой энергии — на полярных оптических фононах с их испусканием. Время же свободного пробега между рассеяниями электрона в канале транзистора прямо пропорционально суммарной интенсивности рассеяния, которую можно рассчитать по формуле

,

где задается кривой 1 на левом графике,– кривой 2 на левом графике,– кривой 3 на левом графике,– кривой 1 на правом графике,– кривой 2 на правом графике.

Подвижность электронов можно найти по формуле

Практическая часть:

1. В соответствии со своим вариантом выбрать значения энергии

	Вариант 1	Вариант 2	Вариант 3	Вариант 4	Вариант 5	Вариант 6	Вариант 7	Вариант 8
E, эВ	0.01 0.15 0.25 0.37 0.55 0.7 0.91	0.02 0.17 0.27 0.4 0.55 0.72 0.92	0.04 0.19 0.28 0.42 0.55 0.75 0.94	0.05 0.2 0.31 0.44 0.6 0.77 0.95	0.07 0.21 0.3 0.45 0.62 0.8 0.96	0.08 0.22 0.32 0.47 0.63 0.83 0.97	0.1 0.23 0.34 0.5 0.65 0.85 0.98	0.12 0.24 0.35 0.52 0.67 0.9 1.0

2. Определить по графикам для этих данных значений энергии величины ,,,,.

3. Рассчитайте по формулам значения и, и заполните таблицу

	E1, эВ	E2, эВ	E3, эВ	E4, эВ	E5, эВ	E6, эВ	E7, эВ
, с
, м/(Вс)

4. Постройте график функции (Е).