Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
сессия - 2 / ФПЦП / teoria-kvantrazm-struktur.doc
Скачиваний:
41
Добавлен:
19.02.2016
Размер:
2.29 Mб
Скачать

Лабораторный практикум Лабораторная работа 1.

Моделирование процесса туннелирования электронов через систему барьеров в структурах наноэлектроники

Цель работы: Рассчитать значения двух нижних уровней размерного квантования в прямоугольной яме, имеющей в своем центре прямоугольный провал.

Теоретическая часть:

На рисунке ниже представлена энергетическая схема исследуемой системы барьеров. Энергия электрона меньше высоты первого барьера, но выше высоты второго.

Коэффициенты прохождения и отражения электрона от данной системы барьеров можно найти с помощью следующих соотношений

,

где ,,.

Практическая часть:

1. Выберите данные о структуре исследуемых барьеров в соответствии со своим вариантом

Вариант 1

Вариант 2

Вариант 3

Вариант 4

Вариант 5

Вариант 6

Вариант 7

Вариант 8

, эВ

2

3

4

5

10

4

5

7

, эВ

0.5

1

1

1

2

1

1

2

, нм

4

3

2

1

1

2

3

4

2. Рассчитайте значения DиRдля пяти значений энергии в соответствии с нижеприведенной таблицей

Е = 0.1 (-)

Е = 0.3 (-)

Е = 0.5 (-)

Е = 0.7 (-)

Е = 0.9 (-)

D

R

3. Постройте зависимости D(Е) иR(Е) и проанализируйте их

Лабораторная работа 2.

Моделирование туннельного тока в двухбарьерном резонансно-туннельном диоде

Цель работы: Рассчитать распределение волновых функций электронов в арсенид галлиевой квантовой проволоке и оценить вероятность обнаружения электрона в той или иной части поперечного сечения проволоки.

Теоретическая часть:

На рисунке ниже схематически представлена энергетическая схема двухбарьерного резонансно-туннельного диода и показано протекание туннельного тока. Данный диод создается на основе арсенида галлия. При этом обычно области эмиттера состоит из p-GaAs, а коллектора —n-GaAs. При подаче на диод

Плотность туннельного тока

Эмиттер

Коллектор

Напряжение U

Туннельный ток составляют электроны с разной энергией. Электроны с конкретной энергией Есоздают туннельный ток величиной

,

где =0.067,,,=21012м–3– собственная концентрация в арсениде галлия, – постоянная Больцмана,– температура, аесть коэффициент прозрачности двухбарьерной структуры для электронов с энергиейЕ. Значение этого коэффициента можно рассчитать согласно.

,

где ,,L– высота барьеров,W– расстояние между ними.

Практическая часть:

1. В соответствии со своим вариантом выбрать исходные данные

Вариант 1

Вариант 2

Вариант 3

Вариант 4

Вариант 5

Вариант 6

Вариант 7

Вариант 8

p, м–3

2

3

4

5

10

4

5

7

E, эВ

0.5

1

1

1

2

1

1

2

U, В

1

1

1

1

2

2

2

2

, эВ

2

3

4

5

10

4

5

7

, нм

4

3

2

1

1

2

3

4

W, нм

2

2

2

2

3

3

3

3

2. рассчитать для этих данных значение туннельного тока

Соседние файлы в папке ФПЦП