- •Теория квантоворазмерных
- •Лекция 2.
- •Лекция 3.
- •Лекция 4.
- •Лекция 5.
- •Лекции 6–8.
- •Лекция 9.
- •Лекция 10.
- •Лекция 11.
- •Лекция 12.
- •Лекции 13–14.
- •Лекции 15–16.
- •Лекция 17.
- •Лекция 18.
- •Лекция 19.
- •Лекция 20.
- •Лекция 21.
- •Лекция 22.
- •Лекция 23.
- •Лекция 24.
- •Лекция 25.
- •Лабораторный практикум Лабораторная работа 1.
- •Лабораторная работа 2.
- •Лабораторная работа 3.
- •Лабораторная работа 4.
- •Лабораторная работа 5.
- •Лабораторная работа 6.
- •Тесты по всему курсу
Лабораторный практикум Лабораторная работа 1.
Моделирование процесса туннелирования электронов через систему барьеров в структурах наноэлектроники
Цель работы: Рассчитать значения двух нижних уровней размерного квантования в прямоугольной яме, имеющей в своем центре прямоугольный провал.
Теоретическая часть:
На рисунке ниже представлена энергетическая схема исследуемой системы барьеров. Энергия электрона меньше высоты первого барьера, но выше высоты второго.
Коэффициенты прохождения и отражения электрона от данной системы барьеров можно найти с помощью следующих соотношений
,
где ,,.
Практическая часть:
1. Выберите данные о структуре исследуемых барьеров в соответствии со своим вариантом
|
Вариант 1 |
Вариант 2 |
Вариант 3 |
Вариант 4 |
Вариант 5 |
Вариант 6 |
Вариант 7 |
Вариант 8 |
, эВ |
2 |
3 |
4 |
5 |
10 |
4 |
5 |
7 |
, эВ |
0.5 |
1 |
1 |
1 |
2 |
1 |
1 |
2 |
, нм |
4 |
3 |
2 |
1 |
1 |
2 |
3 |
4 |
2. Рассчитайте значения DиRдля пяти значений энергии в соответствии с нижеприведенной таблицей
|
Е = 0.1 (-) |
Е = 0.3 (-) |
Е = 0.5 (-) |
Е = 0.7 (-) |
Е = 0.9 (-) |
D |
|
|
|
|
|
R |
|
|
|
|
|
3. Постройте зависимости D(Е) иR(Е) и проанализируйте их
Лабораторная работа 2.
Моделирование туннельного тока в двухбарьерном резонансно-туннельном диоде
Цель работы: Рассчитать распределение волновых функций электронов в арсенид галлиевой квантовой проволоке и оценить вероятность обнаружения электрона в той или иной части поперечного сечения проволоки.
Теоретическая часть:
На рисунке ниже схематически представлена энергетическая схема двухбарьерного резонансно-туннельного диода и показано протекание туннельного тока. Данный диод создается на основе арсенида галлия. При этом обычно области эмиттера состоит из p-GaAs, а коллектора —n-GaAs. При подаче на диод
Плотность
туннельного тока
Эмиттер
Коллектор
Напряжение U
Туннельный ток составляют электроны с разной энергией. Электроны с конкретной энергией Есоздают туннельный ток величиной
,
где =0.067,,,=21012м–3– собственная концентрация в арсениде галлия, – постоянная Больцмана,– температура, аесть коэффициент прозрачности двухбарьерной структуры для электронов с энергиейЕ. Значение этого коэффициента можно рассчитать согласно.
,
где ,,L– высота барьеров,W– расстояние между ними.
Практическая часть:
1. В соответствии со своим вариантом выбрать исходные данные
|
Вариант 1 |
Вариант 2 |
Вариант 3 |
Вариант 4 |
Вариант 5 |
Вариант 6 |
Вариант 7 |
Вариант 8 |
p, м–3 |
2 |
3 |
4 |
5 |
10 |
4 |
5 |
7 |
E, эВ |
0.5 |
1 |
1 |
1 |
2 |
1 |
1 |
2 |
U, В |
1 |
1 |
1 |
1 |
2 |
2 |
2 |
2 |
, эВ |
2 |
3 |
4 |
5 |
10 |
4 |
5 |
7 |
, нм |
4 |
3 |
2 |
1 |
1 |
2 |
3 |
4 |
W, нм |
2 |
2 |
2 |
2 |
3 |
3 |
3 |
3 |
2. рассчитать для этих данных значение туннельного тока