- •Введение.
- •1. Глоссарий
- •2 Рабочая программа (силлабус) дисциплины
- •2.1 Данные о преподавателе Преподаватель курса: Алтайбаева Азиза Биболовна.
- •Распределение учебного времени
- •5. Краткое описание курса
- •6. Содержание курса
- •6.1 Перечень лекционных занятий
- •6.2 Перечень лабораторных занятий
- •6.3 Перечень практических занятий
- •6. 4 Примерный перечень тем курсовых работ
- •7. График выполнения и сдачи заданийСрс по дисциплине
- •8. Список рекомендуемой литературы
- •9. Политика курса:
- •10. Информация об оценке знаний
- •Шкала оценки знаний студентов
- •2.5 Краткое описание курса
- •2.6 Содержание дисциплины
- •2.6.1 Лекционные занятия
- •2.6.2 Перечень практических занятий
- •2.7. График выполнения и сдачи работ (срс).
Шкала оценки знаний студентов
|
Оценка по буквенной системе |
Цифровой эквивалент баллов |
Процентное содержание баллов |
Оценка по традиционной системе |
|
A |
4,0 |
95-100 |
отлично |
|
A- |
3,67 |
90-94 | |
|
B+ |
3,33 |
85-89 |
хорошо |
|
B |
3,0 |
80-84 | |
|
B- |
2,67 |
75-79 | |
|
C+ |
2,33 |
70-74 |
Удовлетворительно |
|
C |
2,0 |
65-69 | |
|
C- |
1,67 |
60-64 | |
|
D+ |
1,33 |
55-59 | |
|
D |
1,0 |
50-54 | |
|
F |
0 |
0-49 |
Неудовлетворительно |
При получении F студент повторяет курс данной дисциплины.
2.3 Пререквизиты: материал дисциплины базируется на знаниях курсов физики, химии, математики, «Теория электрических цепей».
2.4 Постреквизиты: «Электроника и схемотехника аналоговых устройств-2», «Цифровые устройства и микропроцессоры», «Технология беспроводной связи», «Технология цифровой связи» и др. дисциплины специализации, в курсовом и дипломном проектировании.
2.5 Краткое описание курса
Цель курса - формирование у студентов знаний о принципах действия, параметрах и характеристиках основных классов современных полупроводниковых приборов и интегральных схем и режимах их работы.
Задачи изучения дисциплины. В результате изучения курса студент должен освоить основные понятия о принципах действия электронных приборов, структуру и технологию изготовления интегральных схем, разные аспекты применения базы электроники в практической деятельности бакалавра техники.
В результате изучения дисциплины студенты должны:
знать: классификацию электронных приборов и микросхем;
представлять особенности, основные параметры и технологию изготовления электронных приборов и микросхем;
определять основные характеристики и параметры электронных приборов и микросхем;
строит простейшие электронные схемы на электронных приборах и микросхемах;
уметь снять основные характеристики электронных приборов и микросхем;
выбрать элементную базу для конкретной области применения приборов;
знать о физических принципах действия современных полупроводниковых, оптоэлектронных приборов и интегральных схем;
иметь представление о тенденциях и перспективах развития элементной базы микро-, опто- и наноэлектроники.
2.6 Содержание дисциплины
2.6.1 Лекционные занятия
|
№
|
Наименование темы |
Объем час |
Литература |
Текущий контрольбалл |
|
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
|
1 |
Введение. Цели и задачи дисциплины. Физические явления при контакте твердых тел. Физика полупродников. П/п-вые материалы. Электронно-дырочный (p-n) переход. ВАХ. |
1 |
[10] с.80-84 [14] с.21-29 |
0,8 |
|
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
|
2 |
Полупроводниковые диоды. Общие сведения. Выпрямительные и высоко-асотные диоды. Стабилитроны. |
1 |
[3] 7-20 б. [6] с. 29-42 |
0,8 |
|
3 |
Биполярные транзисторы. Свойства структуры с двумя р-n-переходами. Принцип действия и схемы включения транзисторов. |
1 |
[3] 20-28 б. [6] с.48-51 |
0,8 |
|
4 |
Статические характеристики тран-зисторов. h-параметры. Работа тран-зистора на высоких частотах и в импульсном режиме. |
1 |
[3] 20-28 б. [6] с.48-51 |
0,8 |
|
5 |
Полевые транзисторы, их типы и осо-бенности. Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом. Схемы включения, статические характеристики и параметры |
1 |
[3] 29-35 б. [6] с.59-61 |
0,8 |
|
6 |
Металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) транзисторы. Устройство и принцип действия транзисторов с индукцированным и со встроенным каналами. Статические характерис-тики и параметры МДП транзисторов. |
1 |
[3] 29-35 б. [6] с.59-61 |
0,8 |
|
7 |
Тиристоры. Тиристор, как управляе-мый п/п прибор с несколькими p-n-переходами ВАХ тиристора и статические параметры прибора.
|
1 |
[3] 36-48 б. [6] с. 67-73 |
0,8 |
|
8 |
Оптоэлектронные полупроводнико-вые приборы. Оптические излучения в структурах. Светоизлучатели. Светодиоды. |
1 |
[4] с. 53-59 |
0,8 |
|
9 |
Фотоприемники. Параметры и характеристики фотоприемников. Фотодиод |
1 |
[10] с.209-237 [18] c.78-18 |
0,8 |
|
10 |
Оптопары (оптроны). Параметры и характеристики. Индикаторы. |
1 |
[10] с.209-237 [18] c.78-18 |
0,8 |
|
11 |
Микроэлектроника, интегральные схемы (ИС). Классификация ИС: полупроводниковые, пленочные, гибридные, совмещенные.
|
1 |
[10] с.154-157 [18] с.83-87 |
0,8 |
|
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
|
12 |
Изоляция элементов. Транзисторы интегральных схем. Многоэмиттер-ный транзистор, транзистор с барьером. Шоттки. |
1 |
[1] с. 229-239 |
0,8 |
|
13 |
Логические и линейные интегральные схемы. Транзисторная логика. Схемы с инжекционным питанием. Логические элементы на МДП-транзисторах. |
1 |
[10] с.331-427 |
0,8 |
|
14 |
Линейные интегральные схемы. Дифференциальные каскады операционных усилителей. |
1 |
[10] с.608-614 |
0,8 |
|
15 |
Перспективы развития электроники. |
1 |
[10] с.680-693 |
0,8 |
|
|
Итого |
15 |
|
12 |