Kniga_16_Fizicheskie_osnovy_nanoinzhenerii-1
.pdf
Конспект лекций |
163 |
шего сквозь барьер; k – константа затухания волновой функции в области, соответствующей потенциальному барьеру; Z – ширина барьера. Для туннельного контакта двух металлов константу затухания можно представить в виде:
k = 2 2mϕ ,
где m – масса электрона; ϕ – средняя работа выхода электрона;
– постоянная Планка, деленная на 2π. При приложении к туннельному контакту разности потенциалов U между зондом и образцом появляется туннельный ток (рис. 1.98).
EF1
qU
EF 2
Рис. 1.98. Энергетическая диаграмма туннельного контакта металлической иглы
и металлического образца
Плотность туннельного тока описывается следующим выражением:
jt = j0 (ϕ exp(−A ϕΔZ )−(ϕ+ qU )exp(−A ϕ+ qU Z )), (1.56)
где
j |
= |
q |
; A = |
4π |
2m. |
|
|
||||
0 |
|
2πh( Z )2 |
|
h |
|
|
|
|
|||
При малом напряжении смещения (qU < ϕ) выражение для плотности туннельного тока можно представить в следующем ви-
164 |
Физические основы наноинженерии |
де. Линеализуя вторую экспоненту в выражении для туннельного тока по параметру qU , получаем:
jt = j0 exp(−A |
|
|
− |
AqU |
Z |
|
ϕΔZ ) |
ϕ − (ϕ+ qV ) 1 |
. |
||||
|
|
|
|
2 ϕ |
|
|
|
|
|
|
|
|
Поскольку экспоненциальная зависимость очень сильная, то часто пользуются упрощенной формулой:
j |
= j |
(U )exp |
|
− 4π |
2mϕΔZ |
. |
t |
0 |
|
|
h |
|
|
|
|
|
|
|
|
Для больших напряжений смещения (qU > ϕ) из выражения
(1.56) получается хорошо известная формула Фаулера–Нордгейма для полевой эмиссии электронов в вакуум:
|
q3U 2 |
|
8π |
2m (ϕ)3 2 Z |
|
J = |
|
exp − |
|
|
. |
8πhϕ( Z )2 |
|
3qhU |
|||
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
СТМ представляет собой электромеханическую систему с отрицательной обратной связью. Экспоненциальная зависимость туннельного тока от расстояния позволяет осуществлять регулирование расстояния между зондом и образцом в туннельном микроскопе с высокой точностью. Система обратной связи поддерживает величину туннельного тока между зондом и образцом на заданном уровне, выбираемом оператором (рис. 1.99). Контроль величины туннельного тока, а следовательно, и расстояния зонд– поверхность осуществляется посредством перемещения зонда вдоль оси Z с помощью пьезоэлектрического элемента.
Изображение рельефа поверхности в СТМ формируется двумя методами: методом постоянного тока (МПТ) (рис. 1.100) и методом постоянной высоты (МПВ) (рис. 1.101).
Метод постоянного тока предполагает поддержание в процессе сканирования постоянной величины туннельного тока с помощью системы обратной связи. При этом вертикальное смещение сканера (сигнал обратной связи) отражает рельеф поверхности. Скорость сканирования в МПТ ограничивается использованием системы обратной связи. Большие скорости сканирования могут быть достигнуты при использовании метода постоянной высоты, однако МПТ позволяет исследовать образцы с развитым рельефом.
Конспект лекций |
165 |
I0
ОС
Рис. 1.99. Упрощенная схема туннельного микроскопа [20]
При использовании МПВ сканер СТМ перемещает зонд только в плоскости, так что изменения тока между острием зонда и поверхностью образца отражают рельеф поверхности. Поскольку по этому методу нет необходимости отслеживать зондом расстояние до поверхности образца, скорости сканирования могут быть более высокими. МПВ может быть применен, таким образом, к образцам с очень ровной поверхностью, поскольку неоднородности поверхности выше 5–10 Å будут приводить к разрушению кончика зонда.
Характерные величины туннельных токов при СТМ, регистрируемых в процессе измерений, являются достаточно малыми – вплоть до 0,03 нÅ (а со специальными измерительными СТМголовками – до 0,01 нÅ), что позволяет также исследовать плохо проводящие поверхности, в частности, биологические объекты. Среди недостатков СТМ можно упомянуть сложность интерпретации результатов измерений некоторых поверхностей, поскольку СТМ-изображение определяется не только рельефом поверхности, но также и плотностью состояний, величиной и знаком напряжения смещения, величиной тока.
166 |
Физические основы наноинженерии |
U
Z 
I |
|
|
|
x |
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
x
Рис. 1.100. Схема метода постоянного тока [20]
U
Z 
I |
|
x |
|
|
|||
|
|
|
|
x
Рис. 1.101. Схема метода постоянной высоты [20]
Конспект лекций |
167 |
1.11.2. АТОМНАЯ СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ
Атомно-силовой микроскоп (АСМ) был изобретен в 1986 г. Гердом Биннигом, Кэлвином Куэйтом и Кристофером Гербером. В основе работы АСМ лежит силовое взаимодействие между зондом и поверхностью, для регистрации которого используются специальные зондовые датчики, представляющие собой упругую консоль с острым зондом на конце. В воздухе практически всегда присутствует некоторая влажность, и на поверхностях образца
ииглы присутствуют слои адсорбированной воды. Когда кантилевер достигает поверхности образца, возникают капиллярные силы, которые удерживают иглу кантилевера в контакте с поверхностью
иувеличивают минимально достижимую силу взаимодействия. Электростатическое взаимодействие между зондом и образцом может проявляться довольно часто. Оно может быть как притягивающим, так и отталкивающим. Ван-дер-ваальсовы силы притя-
жения, капиллярные, электростатические и силы отталкивания в точке, где зонд касается образца, в равновесии уравновешиваются силой, действующей на кончик зонда со стороны изогнутого кантилевера.
Сила, действующая на зонд со стороны поверхности, приводит к изгибу консоли. Регистрируя величину изгиба, можно контролировать силу взаимодействия зонда с поверхностью. Энергию ван- дер-ваальсова взаимодействия двух атомов, находящихся на расстоянии r друг от друга, аппроксимируют степенной функцией – потенциалом Леннарда–Джонса (рис. 1.102):
|
r |
|
6 r |
12 |
|
|
|||
|
|
φ |
|
|
|
||||
ULD (r )=U0 −2 |
|
0 |
|
+ |
|
|
|
, |
|
r |
r |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
где r0 – равновесное расстояние между атомами; U0 – значение
энергии в минимуме.
Первое слагаемое в данном выражении описывает дальнодействующее притяжение, обусловленное в основном диполь-диполь- ным взаимодействием атомов. Второе слагаемое учитывает отталкивание атомов на малых расстояниях.
Общую энергию системы можно получить, суммируя элементарные взаимодействия для каждого из атомов зонда и образца. В общем случае данная сила имеет как нормальную к поверхности,
168 |
Физические основы наноинженерии |
так и латеральную (лежащую в плоскости поверхности образца) составляющие. Реальное взаимодействие зонда с образцом имеет более сложный характер, однако основные черты данного взаимодействия сохраняются – зонд АСМ испытывает притяжение со стороны образца на больших расстояниях и отталкивание – на малых. Получение АСМ-изображений рельефа поверхности связано с регистрацией малых изгибов упругой консоли зондового датчика. В атомно-силовой микроскопии для этой цели широко используются оптические методы (рис. 1.103).
ULD
r0 |
r |
U0
Рис. 1.102. Зависимость потенциальной энергии от расстояния
Наряду с отображением рельефа в процессе сканирования могут отображаться и другие характеристики исследуемого образца. Если кантилевер с зондом являются проводящими, появляется возможность отображения сопротивления растекания образца. Если сканирование проводится в направлении, перпендикулярном продольной оси кантилевера (в латеральном направлении), силы трения вызывают его скручивание. Измеряя это скручивание с помощью четырехсекционного фотодетектора, можно одновременно с отображением рельефа отображать также и распределение сил трения по поверхности образца.
Сила отталкивания F, действующая на зонд, связана с величиной отклонения кантилевера x законом Гука: F = −kx, где k явля-
ется жесткостью кантилевера. Величина жесткости для различных кантилеверов варьируется от 0,01 до нескольких Н/м. Основным достоинством метода постоянной высоты (рис. 1.104) является высокая скорость сканирования. Она ограничивается практически только резонансными свойствами кантилевера. К недостаткам метода постоянной высоты относится требование достаточной глад-
Конспект лекций |
169 |
кости поверхности образцов. При исследованиях достаточно мягких образов (подобно полимерам, биологическим объектам, ЛБ-пленкам и т. д.) они могут разрушаться (процарапываться), поскольку зонд находится в непосредственном механическом контакте с поверхностью. При сканировании относительно мягких образцов с развитой поверхностью сила давления зонда на поверхность варьируется, одновременно неравномерно прогибается и поверхность образца. В результате полученный рельеф поверхности может быть искажен. Возможное наличие существенных капиллярных сил, обусловленных наличием слоя воды, также приводит к ухудшению разрешения.
Фотодиод |
Лазер |
|
IZ
Z
ОС
Z
ИЭ
Рис. 1.103. Упрощенная схема атомно-силового микроскопа [4]
При использовании АСМ-метода постоянной силы (рис. 1.105) величина изгиба кантилевера поддерживается в процессе сканирования постоянной при помощи системы обратной связи. Таким образом, вертикальные смещения сканера отражают рельеф поверхности исследуемого образца.
170 |
Физические основы наноинженерии |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Z 
x
F
x
Рис. 1.104. Схема АСМ-метода постоянной высоты [20]
Z 
x
F
x
Рис. 1.105. Схема АСМ-метода постоянной силы [20]
Основным достоинством метода постоянной силы является возможность наряду с измерениями рельефа поверхности проводить измерения и других характеристик – сил трения, сопротивления растекания и др.
Конспект лекций |
171 |
1.11.3. МЕТОДЫ СКАНИРУЮЩЕЙ ЗОНДОВОЙ МИКРОСКОПИИ
СЗМ обладает достаточно широким набором методик для исследования поверхностей. Однако общим для всех методов является наличие заостренного зонда как инструмента работы с поверхностью образцов. Существуют контактные, полуконтактные и бесконтактные режимы работы, а также различные режимы работы, среди которых: туннельный режим, атомно-силовой режим, режим спектроскопии, метод зонда Кельвина, режимы электросиловой, магнитносиловой, ближнепольной оптической, конфокальной микроскопии и др. С помощью этих методик можно измерять не только топологию структуры, но и множество специальных свойств, таких как модули упругости, распределение различных веществ по поверхности, степень шероховатости поверхности, распределение статического заряда, ориентация магнитных доменов, и многие другие (табл. 1.1).
|
|
Таблица 1.1 |
|
|
Характеристики основных методов |
||
|
и методик микроскопии |
||
|
|
|
|
№ |
Наименование |
Общие характеристики |
|
п/ п |
|||
|
|
||
1 |
2 |
3 |
|
|
1. Сканирующая |
туннельная микроскопия |
|
|
|
Измерение рельефа поверхности при сканиро- |
|
|
Метод постоянного тока |
вании образца проводящим зондом, при этом |
|
1.1 |
система обратной связи поддерживает посто- |
||
|
(Constant Current mode) |
янной величину туннельного тока между зон- |
|
|
|
дами и поверхностью |
|
|
|
Измерение рельефа поверхности при сканиро- |
|
|
|
вании образца проводящим зондом, при этом |
|
1.2 |
Метод постоянной высо- |
система обратной связи поддерживает посто- |
|
ты (Constant Height mode) |
янной величину туннельного тока между зон- |
||
|
|
дом и поверхностью, и z-координата сканера |
|
|
|
поддерживается постоянной |
|
|
|
Измерение рельефа поверхности получается |
|
1.3 |
Метод отображения |
путем поточечного измерения логарифмиче- |
|
работы выхода |
ских изменений туннельного тока при изме- |
||
|
|
нении расстояния зонд–образец |
|
|
Метод I(z)-спектроскопии |
Измеряет туннельный ток в зависимости от |
|
1.4 |
расстояния зонд–образец в каждой точке |
||
|
|
СТМ-изображения |
|
172 |
|
Физические основы наноинженерии |
|
|
|
|
Продолжение табл. 1.1 |
|
|
|
|
|
1 |
2 |
3 |
|
|
МетодI(V)-спектроскопии |
Предполагает одновременное получение |
|
1.5 |
обычного изображения рельефа при фиксиро- |
|
|
(or Current Imaging Tun- |
ванных значениях тока I0 и напряжения сме- |
|
|
|
neling Spectroscopy, CITS) |
щения V |
|
|
|
0 |
|
|
2. Контактная сканирующая |
атомно-силовая микроскопия (КАСМ) |
|
|
|
Измерение рельефа поверхности при сканиро- |
|
|
Метод постоянной силы |
вании образца зондом, находящимся с ним |
|
2.1 |
(Constant Force mode) |
внепосредственном контакте, при этомсисте- |
|
|
|
ма обратной связи поддерживает постоянной |
|
|
|
силуприжима зонда кповерхности |
|
|
|
Измерение рельефа поверхности при сканиро- |
|
|
Метод постоянной высо- |
вании образца зондом, находящимся с ним в |
|
2.2 |
ты (Constant Height mode) |
непосредственном контакте, при этом система |
|
|
|
обратной связи разомкнута и z-координата |
|
|
|
сканера поддерживается постоянной |
|
|
|
Отображение сигнала рассогласования на |
|
|
Контактный метод рассо- |
входе системы обратной связи в процессе реа- |
|
2.3 |
гласования (Contact Error |
лизации метода постоянной силы, обеспечи- |
|
|
mode) |
вает подчеркивание малоразмерных деталей |
|
|
|
рельефа поверхности |
|
2.4 |
Микроскопия латераль- |
Отображение распределения локальной силы |
|
ных сил (Lateral Force |
трения по поверхности образца |
|
|
|
Microscopy) |
|
|
|
|
|
|
2.5 |
Метод модуляции силы |
Отображение распределения локальной упру- |
|
|
(Force Modulation mode) |
гости по поверхности образца |
|
2.6 |
Отображение силы расте- |
Отображение распределения локальной про- |
|
кания (Spreading Resis- |
водимости образца |
|
|
|
tance Imaging) |
|
|
|
|
|
|
|
Контактная электростати- |
Отображение распределения электрического |
|
2.7 |
ческая силовая микроско- |
потенциала по поверхности образца, характе- |
|
|
пия (ЭСМ) (Contact EFM) |
ризуется повышенным разрешением |
|
|
Атомно-силоваяакустиче- |
|
|
2.8 |
скаямикроскопия(АСАМ) |
Отображение распределения локальной упру- |
|
(Atomic-force acoustic |
гости по поверхности образца |
|
|
|
microscopy, AFAM) |
|
|
|
АСАМ-резонансная спек- |
Отображение распределения локальной упру- |
|
2.9 |
гости по поверхности образца с возможностью |
|
|
троскопия (AFAM |
получения количественных данных по рас- |
|
|
|
Resonance Spectroscopy) |
|
|
|
пределению приведенного модуля Юнга |
|
|
|
3. Прерывисто-контактная |
сканирующая силовая микроскопия |
|
|
|
Измерение рельефа поверхности с использо- |
|
3.1 |
Прерывисто-контактный |
ванием колеблющегося с резонансной часто- |
|
метод |
той зонда. В процессе сканирования острие |
|
|
|
|
зонда в нижней точке колебаний слегка каса- |
|
|
|
ется поверхности образца |
