5.3.Eeprom память данных. Flash память программ.

Данные из EEPROM памяти данных и FLASH памяти программ могут быть прочитаны /перезаписаны в нормальном режиме работы МК во всем диапазоне напряжения питания. Операции выполняются с одним байтом для EEPROM память данных и одним словом для FLASH память программ. Запись производится по принципу "стирание-запись" для каждого байта или слова. Сформированная кодом программы операция стирания не может быть выполнена при включенной защите записи.

Доступ к памяти программ позволяет выполнить вычисление контрольной суммы. Данные, записанные в памяти программ, могут быть использованы в виде: 14-разрядных чисел, калибровочной информации, серийных номеров, упакованных 7-разрядных символов ASCII и т.д. В случае обнаружения недействительной команды в памяти программ, выполняется пустой цикл NOP.

Число циклов стирания/записи определяется электрическими характеристиками этих устройств. Число циклов стирания/записи для FLASH памяти программ значительно ниже по сравнению с EEPROM памятью данных, поэтому EEPROM память данных должна использоваться для сохранения часто изменяемых данных. Время записи данных управляется внутренним таймером, оно зависит от напряжения питания, температуры и имеет небольшой технологический "разброс".

При записи байта или слова автоматически стирается соответствующая ячейка, а затем выполняется запись. Запись в EEPROM память данных не воздействует на выполнение программы, а при записи во FLASH память программ выполнение программы останавливается на время записи. Нельзя обратиться к памяти программ во время цикла записи. В течение операции записи тактовый генератор продолжает работать, периферийные модули включены и генерируют прерывания, которые "ставятся в очередь" до завершения цикла записи. После завершения записи выполняется загруженная команда (из-за конвейерной обработки) и происходит переход по вектору прерываний, если прерывание разрешено, и условие прерывания возникло во время записи.

Доступ к функциям записи/чтения EEPROM памяти данных и FLASH памяти программ выполняется через шесть регистров специального назначения:

EEDATA; EEDATH; EEADR; EEADRH; EECON1; EECON2.

Операция чтения/записи EEPROM память данных не приостанавливают выполнение программы. В регистре EEADR сохраняется адрес ячейки EEPROM память данных. Данные сохраняются/читаются из регистра EEDATA. В микроконтроллерах 877 объем EEPROM память данных 256 байт.

Чтение FLASH памяти программ не влияет на выполнение программы, а во время операции записи выполнение программы приостановлено. В спаренных регистрах EEADRH:EEADR сохраняется 13-разрядный адрес ячейки памяти программ, к которой необходимо делать обращение. Спаренные регистры EEDATH:EEDATA содержат 14 разрядные данные для записи и отображают значение из памяти программ при чтении. В регистры EEADRH:EEADR должен быть загружен адрес физически реализованной памяти программ (от 0000h до 1FFFh), потому что циклическая адресация не поддерживается.