Приблизні параметри активних схем ввімкнення

Схема ввімкн. Параметр	CE	СБ	СК
KI	÷ 100	>1	10 ÷ 100
KU	10 ÷ 100	10 ÷ 100	>1
KP	100 ÷ 10000	10 ÷ 100	10 ÷ 1000
Rвх	Сотні Ом, одиниці кОм	Одиниці, десятки Ом	Десятки, сотні кОм
Rвих	Одиниці, десятки кОм	Сотні кОм, Одиниці МОм	Сотні Ом, Одиниці кОм
Фазовий зсув між Uвх і Uвих	180°	0	0

Статичні вах біполярних транзисторів

Є дві основні характеристики – вхідна і вихідна. Найчастіше розглядають для схеми зі спільним емітером.

Вхідна характеристика – це залежність базового струму від напруги між базою і емітером при різних значеннях напруги між колектором і емітером для біполярного транзистора це сім’я характеристик, тобто декілька кривих, тому що для біполярного транзистора режим роботи вихідного кола впливає на режим роботи вхідного кола.

Вихідна характеристика – це залежність колекторного струму від напруги між колектором і емітером при різних значеннях базового струму.

Вхідна характеристика по інакшому називається характеристикою керування.

І – початкова ділянка (не застосовується)

ІІ – область лінійної залежності між струмами (в ній ми працюємо)

ІІІ – область лавинного розмноження (в ній не можна працювати, транзистор швидко зруйнується).

І_к – початковий струм колектора зумовлений неосновними носіями, чим менший, тим кращий, зумовлений неосновними носіями, швидко зростає при збільшені температури.

Р_с < 1 Вт – малопотужні

1 Вт < P_c < 10 Вт – середньої потужності

P_c > 10 Вт – великої потужності

f_гр < 30 мГц – низько частотні

30 мГц < f_гр < 300 МГц – середньо частотні

f_гр > 300 МГц – високо частотні

Приклад:

2Т3115А – кремнієвий біполярний транзистор загального призначення, малопотужний, високочастотний, порядок розробки 115, класифікаційна літера по важливому параметру А

КП955А – кремнієвий польовий транзистор великої потужності, високочастотний, порядок розробки 55, класифікаційна літера А

Транзистор як активний чотирьохполюсник

Часто електронні та інші пристрої розглядають, як активний чотирьохполюсник, який має дві вхідні клеми, дві вихідні клеми та здатність підсилювати потужність, такий пристрій називається активним чотирьохполюсником. При аналізі таких пристроїв оперують вхідними та вихідними опорами, провідностями, не вникаючи в суть процесів, що проходять в самому приладі.

І₁ і U₂ – незалежні змінні величини

U₁ i I₂ – Залежні змінні величини

U₁ = f₁(І₁, U₂); I₂ = f₂(І₁, U₂)

Диференціюємо U₁ та І₂ по U₂ та І₁

Складові рівнянь позначимо через літери h з індексами.

Якщо розглядати зміни напруг і струмів, як малі прирости постійних складових, то рівняння (1), (2) можна записати:

Величини h₁₁, h₁₂, h₂₁, h₂₂ – називають n-параметрами і вони мають фізичний зміст:

h₁₁ – вхідний опір транзистора, при короткому замиканні на виході (U₂=0)

h₁₁ = [Ом]

Індекс (h_11l) означає для якої схеми ввімкнення.

h₁₂ – відношення вхідної напруги до вихідної при розімкнутому вхідному колі, характеризує вплив вихідної напруги на вхід, коефіцієнт зворотного зв’язку.

h₂₁ – відношення вихідного струму до вхідного, коефіцієнт підсилення по струму

h₂₂ – вихідна провідність транзистора при розімкнутому вхідному колі