Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
10-ПАМЯТЬ.DOC
Скачиваний:
66
Добавлен:
11.02.2016
Размер:
350.21 Кб
Скачать

Глава четвертая

УСТРОЙСТВА ПАМЯТИ ЭВМ

4.1. Общие сведения и классификация устройств памяти

Памятью ЭВМ называется совокупность устройств, служа­щих для запоминания, хранения и выдачи информации. От­дельные устройства, входящие в эту совокупность, называют запоминающими устройствами или памятями того или иного типа.

Оба эти термина в настоящее время стали почти синонима­ми. Однако термин запоминающее устройство (ЗУ) обычно употребляют, когда речь идет о принципе построения некото­рого устройства памяти (например, полупроводниковые ЗУ, ЗУ на магнитных дисках и т. д.), а термин память когда хотят подчеркнуть выполняемую устройством памяти логическую функцию или место расположения в составе оборудования ЭВМ (например, оперативная память, внешняя память и т. д.).

Производительность и вычислительные возможности ЭВМ в значительной степени определяются составом и характери­стиками ее ЗУ. В составе ЭВМ используется одновременно не­сколько типов ЗУ (несколько типов памятей), отличающихся принципом действия, характеристиками и назначением.

Основными операциями в памяти в общем случае являются занесение информации в память — запись и выборка информа­ции из памяти — считывание. Обе эти операции называются обращением к памяти или, подробнее, обращением при считы­вании и обращением при записи.

При обращении к памяти производится считывание или за­пись некоторой единицы данных — различной для устройств разного типа. Такой единицей может быть, например, байт, машинное слово или блок данных.

Важнейшими характеристиками отдельных устройств памя­ти (запоминающих устройств) являются емкость памяти и быстродействие.

Емкость памяти определяется максимальным количеством данных, которые могут в ней храниться. Емкость измеряется в двоичных единицах (битах), машинных словах, но большей частью в байтах (1 байт = 8 бит), килобайтах(1Кбайт=1024байта), мегабайтах (1Мбайт=1024Кбайта), гигабайтах (1Гбайт=19024Мбайт), терабайтах(1Тбайт-1024Гбайт).

Быстродействие памяти определяется продолжительностью операции обращения, т. е. временем, затрачиваемым на поиск нужной единицы информации в памяти и на ее считывание (время обращения при считывании), или временем на поиск ме­ста в памяти, предназначаемого для хранения данной единицы информации, и на ее запись в память (время обращения при записи).

В некоторых устройствах памяти считывание информации сопровождается ее разрушением (стиранием). В таком случае цикл обращения должен содержать операцию восстановления (регенерации) считанной информации на прежнем месте в памяти.

Продолжительность обращения к памяти (время цикла па­мяти) при считывании

tсчит обр = tсчит дост + tсчит + tрег (4.1)

где tсчит дост — время доступа, определяющееся промежутком вре­мени между моментом начала операции обращения при считы­вании до момента, когда становится возможным доступ к дан­ной единице информации; (tсчит — продолжительность самого физического процесса считывания, т. е. процесса обнаружения и фиксации состояний соответствующих запоминающих эле­ментов или участков поверхности носителя информации; tper — время, затрачиваемое на регенерацию разрушенной при считывании информации.

В некоторых ЗУ реализуется считывание без разрушения информации и tper = 0. Продолжительность обращения (время цикла) при записи

tзап обр = tзап дост + t подг + tзап (4.2)

где tсчит дост — время доступа при записи, т, е. время от момента начала обращения при записи до момента, когда становится возможным доступ к запоминающим элементам (или участкам поверхности носителя), в которые производится запись; t подг — время подготовки, расходуемое на приведение в исход­ное состояние запоминающих элементов или участков поверх­ности носителя информации для записи заданной единицы информации; (tзап — время занесения информации, т. е. измене­ния состояния запоминающих элементов (участков поверхности носителя).

Большей частью

tсчит дост = tзап дост = t дост

В качестве продолжительности цикла обращения к памяти принимается величина

tобр = max(tсчит обр, tзап обр). (4.3)

По принципу действия устройства памяти можно разделить на: а) электронные (полупроводниковые), в которых в каче­стве запоминающих элементов используются полупроводнико­вые электронные элементы; б) магнитомеханические с магнитным носителем информации; в) магнито-оптические с магнитооптическим способом записи; г) оптические с оптическим способом считывания.

В зависимости от реализуемых в памяти операций обраще­ния различают: а) память с произвольным обращением (воз­можны считывание и запись данных в память); б) память толь­ко для считывания информации («постоянная» или «односто­ронняя» память). Запись информации в постоянную память производится в процессе ее изготовления или настройки .

По способу организации доступа различают устройства па­мяти с непосредственным (произвольным), с прямым и последовательным (цикличе­ским) доступами.

В памяти с непосредственным (произвольным) доступом время доступа, а поэтому и цикл обращения не зависят от ме­ста расположения участка памяти, с которого производится считывание или в который записывается информация. В боль­шинстве случаев непосредственный доступ реализуется при по­мощи электронных, электрических или электромагнитных про­цессов коммутации в схемах ЗУ. В подобных памятях цикл обращения обычно составляет от 1 — 2 мкс до десятков наносекунд. Число разрядов, считываемых или записываемых в памяти с непосредственным доступом параллельно во времени за одну операцию обраще­ния, называется шириной выборки.

В двух других типах памяти используются более медленные электромеханические процессы. В устройствах памяти с прямым доступом, к которым относятся устройства с магнитными дисками, благодаря непрерывному вращению носи­теля информации возможность обращения к некоторому участ­ку носителя для считывания или записи циклически повторяет­ся. В такой памяти время доступа составляет обычно от нескольких долей секунды до нескольких десятков миллисе­кунд.

В памяти с последовательным доступом производится по­следовательный просмотр участков носителя информации, пока нужный участок носителя не займет некоторое исходное поло­жение. Характерным примером является ЗУ на магнитных лен­тах. Время доступа может в неблагоприятных случаях располо­жения информации достигнуть нескольких минут.

Запоминающие устройства различаются также по выпол­няемым в ЭВМ функциям, зависящим, в частности, от места расположения ЗУ в структуре ЭВМ.

Требования к емкости и быстродействию памяти являются противоречивыми. Чем больше быстродействие, тем техниче­ски труднее достигается и дороже обходится увеличение емко­сти памяти. Стоимость памяти составляет значительную часть общей стоимости ЭВМ. Поэтому память ЭВМ организуется в виде иерархической структуры запоминающих устройств, обладающих различными быстродействием и емкостью (рис. 4.1). В общем случае ЭВМ содержит сверхоперативную память (СОП), оперативную память (ОП), па­мять с циклическим доступом на магнитных и оптических дисках, память с последовательным доступом на маг­нитных лентах. Порядок

Рис 4.1. Иерархическая структура памяти ЭВМ

перечисления устройств соответствует убыванию их быстродействия и возрастанию емкости. Каждый уровень иерархии может содержать несколько экземпляров (модулей) соответствующих устройств для получения нужной емкости данного уровня памяти. На рис. 4.1 сплошными и штриховыми линиями показаны соответственно обычно и сравнительно редко реализуемые пути передачи данных ме­жду отдельными ступенями иерархической памяти. Иерархиче­ская структура памяти позволяет экономически эффективно со­четать хранение больших объемов информации с быстрым доступом к информации в процессе обработки.

Оперативной или основной памятью (ОП) называют устрой­ство, которое служит для хранения информации (данных, про­грамм, промежуточных и конечных результатов обработки), непосредственно используемой в процессе выполнения операций в арифметическо-логическом устройстве и устройстве управле­ния процессора. В процессе обработки информации осуществляется тесное взаимодействие процессора и ОП. Из ОП в процессор посту­пают команды программы и операнды, над которыми произво­дятся предусмотренные командой операции, а из процессора в ОП направляются для хранения промежуточные и конечные результаты обработки.

Характеристики ОП непосредственно влияют на основные показатели ЭВМ и в первую очередь на скорость ее работы. Оперативная память высокопроизводительных ЭВМ имеет емкость несколько десятков Мбайт и цикл обращения около 1 мкс (и менее). Запоминающие устройства ОП выпол­няются в последнее время — в основном на больших интегральных микросхемах (полупроводниковые ЗУ).

В ряде случаев быстродействие ОП оказывается недоста­точным и в состав машины приходится включать СОП (на не­сколько сотен машинных слов) с циклом обращения порядка десятков наносекунд. Такие СОП выполняются на интегральных микросхемах разной степени интеграции. Бы­стродействие СОП должно соответствовать скорости работы арифметическо-логических и управляющих устройств ЭВМ. Сверхоперативная память используется для временного хране­ния обрабатываемых участков программы, в качестве рабочих ячеек программы, индексных регистров, для хранения служеб­ной информации, используемой при управлении вычисли­тельным процессом. Она выполняет роль согласующего звена между быстродействующими логическими устройствами про­цессора и более медленной ОП. В качестве ОП и СОП используются быстродействующие ЗУ с произвольным досту­пом, которые называют оперативными памятями.

Емкость ОП недостаточна для хране­ния всех необходимых данных в ЭВМ, поэтому ЭВМ содержит в своем составе ЗУ с прямым доступом на дисках (емкость одного ЗУ на дисках порядка 0,3-10 Гбайт), и может содержать ЗУ с последовательным доступом на магнитных лентах (емкость одного ЗУ 20—40 Мбайт).

Оперативная память вместе с СОП и некоторыми другими специализированными памятями процессора образуют вну­треннюю память ЭВМ (рис. 4.1). Электромеханические ЗУ ча­сто связаны с процессором не непосредственно, а через ОП. Эти устройства образуют внешнюю память ЭВМ, а сами они по­этому называются внешними запоминающими устройствами (ВЗУ).

Современные ЭВМ содержат ряд специализированных бы­стродействующих памятей: памяти каналов, ключей защиты памяти, отдельных типов терминалов (дисплеев и др.), раз­личные буферные памяти для промежуточного хранения ин­формации при обмене ею между устройствами машины, рабо­тающими с различными скоростями. Наряду с этим исполь­зуются также постоянные памяти, в основном для хранения микропрограмм, а в специализированных ЭВМ — и для хране­ния основных программ.

Запоминающее устройство любого типа состоит из запоми­нающего массива, хранящего информацию, и блоков, служа­щих для поиска в массиве, записи и считывания (а в ряде слу­чаев и для регенерации) информации.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]