3.4 Система h-параметров биполярных транзисторов

Связь между малыми приращениями токов и напряжений, действующих в транзисторе, устанавли-вается так называемыми характеристическими параметрами. Эти параметры определяются схемой включения транзистора. Существует несколько систем характеристических параметров. Наибольшее распространение получила система h-пара-метров, называемая смешанной или гибридной, так как среди параметров этой системы имеется одно сопротивление, одна проводимость и две безразмерные величи-ны.

h-параметры связывают входные и выходные токи и напряжения. Зависимости между входным на-пряжением U₁ = U_бэ, входным током I₁ = I_б, выходным напряжением U₂ = U_кэ и выходным током I ₂ = I_к могут быть выражены системой двух уравнений:

∆U₁ = h₁₁∆I₁ + h₁₂∆U₂,

∆I₂ = h₂₁∆I₁ + h₂₂∆U₂,

где h_11э – входное сопротивление транзистора при коротком замыкании (по переменному току) на выхо-де транзистора; h_12э – коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе (разомкнутом входе по переменному току); h_21э – коэффициент усиления по току при коротком замыкании (по пере-менному току) на выходе транзистора; h_22э – выходная проводимость транзистора при разомкнутом (по переменному току) входе.

h11э = ∆Uбэ / ∆Iб	при	Uкэ = const;	h12э = ∆Uбэ / Uкэ при Iб = const;
h21э = ∆Iк / ∆Iб	при	Uкэ = const;	h22э = ∆Iк / Uкэ при Iб = const.

Индекс «Э» обозначает, что данная система параметров относится к схеме с общим эмиттером. Для любой схемы включения транзисторов h-параметры могут быть определены по статическим характери-стикам транзистора: параметры h₁₁ и h₁₂ – по входным (рис. 19, а, б), параметры h₂₁ и h₂₂ – по выходным

(рис. 19, в, г).

Iб	Uкэ = сonst	Iб	∆Uкэ
		Uкэ1	Uкэ2
∆Iб
		Iб = сonst
0	Uб	0
			Uб
	∆Uб
			∆Uб
		а)	б)
Iк	Iб2	Iк	Iб = сonst
∆Iк	∆Iб	∆Iк
	Iб1
0	Uк = сonst Uкэ	0	Uкэ
		∆Uкэ

в) г)

Рис. 19 Определение h-параметров биполярного транзистора по семействам входных и выходных характеристик