Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
лабор работы по КС UKR 2013-14.doc
Скачиваний:
52
Добавлен:
09.02.2016
Размер:
4.09 Mб
Скачать

Лабораторна робота № 5 Зняття статичних характеристик біполярного транзистора

 

Мета роботи: Зняття і аналіз вольтамперних характеристик біполярного транзистора, включеного за схемою з загальним емітером. Визначення h -параметрів за характеристиками.

Питання для самопідготовки:

1. Що таке біполярний транзистор?

2. З яких матеріалів виготовляються транзистори?

3. Скільки PN- переходів містить біполярний транзистор?

4. Чим відрізняються транзистори різних типів?

5. Намалюйте умовні графічні позначення транзисторів різних типів . Запишіть назви висновків на малюнку .

6. Які прилади необхідні для зняття характеристик транзистора?

7. Намалюйте вхідні і вихідні характеристики транзистора. Розкажіть про про-процесах, відповідних характерних ділянках ВАХ.

8.Перечислите основні параметри транзисторів. Охарактеризуйте кожен з ніх.

9. Як визначити h - параметри за характеристиками транзистора.

10. Поясніть особливості та область застосування біполярних транзисторів.

Порядок виконання роботи:

  1. Зібрати схему дослідження транзистора, зображену на малюнку 30. Для дослідження використовується транзистор MPS3709 (nationl1), вітчизняний аналог - КТ3102A.

Рисунок 30 – Схема для исследования биполярного транзистора

  1. Построить таблицу для записи результатов измерений (Таблица 3).

  2. Встановити на генераторі напруги G2 напруга UКЕ1 = 0 В.

Таблица 3 – Данные для построения входных характеристик транзистора

Вхідний струм IБ, мкА

1

5

10

20

50

100

200

300

400

500

Вхідна напруга UБЕ, мВ, при UКЕ1 = 0 В,

Вхідна напруга UБЕ, мВ, при UКЕ2=15, В

4. Змінюючи значення струму генератора G1 від 1 до 500 мкА, записати відповідні значення напруги UБЕ (вольтметр PV1) в таблицю.

5. Повторити вимірювання при вихідному напрузі UКЕ2 = 15 В.

6. Побудувати таблицю для запису результатів вимірювань (Таблиця 4).

Таблиця 4 - Дані для побудови вихідних характеристик транзистора

Вихідна напруга, UКЕ, В

0,1

1

2

5

10

15

20

25

30

35

Вихідний струм IК, мA, при вхідному струмі IБ1 = 100 мкА

Вихідний струм IК, мA, при вхідному струмі IБ2 = 300 мкА

Вихідний струм IК, мA, при вхідному струмі IБ3 = 500 мкА

7. Встановити на генераторі струму G1 ток IБ1 = 100 мкА.

8. Змінюючи значення напруги генератора G1 від 0,1 до 35 В, записати відповідні значення струму IК (амперметр PА2) в таблицю.

9. Повторити вимірювання при вхідних токах IБ2 = 300 мкА і IБ3 = 500 мкА.

10. За результатами вимірювань побудувати вхідні і вихідні характеристики транзистора.

11. Визначити h-параметри транзистора за отриманими характеристиками.

12. Зробити висновок. Висновок повинен містити опис теоретичних положень, підтверджених експериментально в процесі виконання роботи.