- •Министерство образования и науки Украины
- •Содержание
- •1 Оценки «черного ящика» для импульсных источников питания
- •2.Расчет трансформаторов
- •2.1 Расчет трансформатора однотактного прямоходового
- •2.2 Расчет трансформаторов однотактного обратноходового
- •2.3 Расчет трансформатора двухтактного мостового пре-
- •2.4 Трансформатор тока
- •3 Дроссели
- •3.1 Сглаживающие дроссели
- •3.2. Дроссели переменного тока
- •4 Проектирование выпрямителей
- •4.1 Выходной фильтр
- •4.2 Проектирование секции входного выпрямителя фильтра
- •5 Силовые ключи
- •5.1 Проектирование ключа и секции драйвера мощного биполярного транзистора
- •5.2 Проектирование ключа и секции драйвера на мощном
- •5.3 Управление мощными полевыми транзисторами
- •5.4 Транзистор igbt в качестве ключа
- •5.5 Драйверы управления мощными транзисторами
- •5.5.1 Быстродействующие драйверы, управляющие mosfet
- •5.5.2 Одноканальный драйвер с защитой по току управляемо-
- •5.5.3 Драйверы igbt с расширенными функциональными
- •5.5.4 Защита от выхода в активную область силового ключа
- •5.5.5 Включение драйвера без цепей защиты
- •5.5.6 Включение драйвера с использованием датчика тока
- •5.5.7 Драйверы, управляющие стойкой транзисторов
- •5.6 Трансформаторное управление силовыми ключами
- •6 Особенности управления иип
- •6.1 Краткий обзор схемы управления импульсными
- •6.2 Источники опорного напряжения
- •6.2.1 Источники опорного напряжения на стабилитронах
- •6.2.2 Регулируемые источники опорного напряжения высокой
- •6.2.3. Формирование участка постоянной мощности в dc-dc
- •6.3 Проектирование цепи обратной связи по напряжению
- •6.4 Обратная связь по току
- •6.5 Проектирование схемы запуска и смещения
- •6.6 Характеристика Боде типичных цепей, используемых в
- •7 Варианты заданий к курсовой работе
- •8 Требования к работе
- •Пример оформления титульного листа (обложки)
- •Согласование диаметров проводов
- •Параметры ферримагнитных материалов
- •Типоразмеры сердечников из ферритов
- •Методические указания
- •142/2007 Підп. До друку Формат 60х84/16
- •84313, М. Краматорськ, вул. Шкадінова, 72
6.2.2 Регулируемые источники опорного напряжения высокой
точности
Регулируемые источники опорного напряжения (РИОН),выполненные в виде интегральных микросхем и известные под названием TL431, предоставляют разработчику преимущества по сравнению с аналогичными устройствами на основе стабилитронов:
ТНК микросхемы значительно меньше, чем ТНК стабилитрона;
выходное (опорное) напряжение можно изменять в широких пределах, используя только два резистора внешнего делителя; рабочий ток микросхемы допустимо изменять с кратностью 100;
комплексное выходное сопротивление на низких частотах в десятки или сотни раз меньше динамического сопротивления стабилитрона;
допуск выходного (опорного) напряжения значительно более узкий, чем при использовании стабилитрона.
Обозначение РИОН показан на рис. 42, а структурная схема – на рис. 44. Микросхема имеет три вывода: силовые анод (А) и катод (К), а также управляющий вывод, обозначенный как R (reference). Смысл упрощенной структурной схемы на рис. 43 заключатся в том, чтобы показать близость напряжения на управляющем выводе эталонному источнику напряжения 2,5 В, подключенному к инверсному входу ОУ. Схема на рис. 43 показывает также, что ток, проходящий через вывод R, должен быть очень мал, что соответствует правилу работы ОУ. Используя микросхему РИОН на выходе преобразователя, можно избавиться от трудоемкой и нетехнологичной операции настройки блока на требуемое напряжение. Необходимо только, чтобы резисторы, подключаемые к выводу R, имели допуск, соответствующий требуемой точности установки напряжения на выходе.
Для микросхем
серии TL431 диапазон изменения катодного
тока составляет от 1 до 100 мА и при расчете
элементов схемы необходимо, чтобы ток
катода оставался в этих пределах.
Максимальный ток, входящий в вывод R, не
превышает нескольких микроампер во
всем диапазоне рабочих температур.
Напряжение Uref
на управляющем выводе R составляет 2,495
В при токе катода Iк=10
мА, UКа=Uref
и Т=25оС.
Технологический разброс напряжения
Uref
зависит от типа микросхемы и составляет
%.
Покажем одно из возможных применений микросхемы на примере схемы, приведенной на рис. 44. Подключение делителя R1, R2 приводит к тому, что напряжение на катоде (UКа) становится больше Uref. Выясним, чему равно и от каких параметров зависит напряжение UКа. Учитывая, что через управляющий вывод проходит ток Iref, можно от исходной схемы перейти к схеме замещения на рис. 45, в которой ток катода Iк не показан.
Ток в сопротивлении R1 на схеме рис. 45 равен:
(6.2.2.1)
Ток в сопротивлении R2:
(6.2.2.2)


Рисунок 42 Обозначение РИОН на Рисунок 43 Структурная
принципиальных электрических схемах. схема РИОН.

Рисунок 44 Подключение микросхемы Рисунок 45 Схема замещения
микросхемы РИОН
без участия
тока катода
.
Напряжение на выводе R можно выразить, учитывая (6.2.2.1) и (6.2.2.2):
![]()
Из последнего соотношения выразим напряжение на катоде:
(6.2.2.3)
Из соотношения (6.2.2.3) можно сделать следующие выводы:
напряжение Uка в схеме рис. 45 всегда превышает Uref, если R1
0;напряжение Uка определяется напряжением на выводе R и не зависит от входного напряжения Uвх.
Напряжение Uка в схеме рис. 45 можно, следовательно, использовать как выходное напряжение параллельного стабилизатора.
Оценим влияние
первого слагаемого в правой части
(6.2.2.3), обусловленного прохождением тока
Iref,
на значение выходного напряжения
стабилизатора. Ток через делитель R1, R2
(схема рис. 45) во много раз превышает ток
Iref,
а значения сопротивлений резисторов
R1 и R2 обычно килоомы. Пусть R1=5,1 кОм,
R2=1кОм. Если типовое значение Iref
составляет, например, 1,8 мкА, то
мВ. При этом вторая составляющая в правой
части (6.2.2.3), определяющая напряжение
Uка=
Uвых,
равна:
В.
Таким образом, вклад слагаемого Iref R1 в правой части (6.2.2.3) в данном случае составил менее 0,1%. В результате технологического разброса параметров микросхемы, если максимальное значение тока Iref составит 4 мкА, влияние слагаемого IrefR1 на уровень напряжения Uвых возрастет не более чем на 0,2%.
Рассотрим влияние нагрузки на работу параллельного стабилизатора (рис. 45). Пусть входное напряжение (Uвх) изменяется в диапазоне 20…30 В. Тогда при отсутствии нагрузки ток катода будет максимальным и при Uвх=30 В равен:
(6.2.2.4)
В выражении (6.2.2.4) не учитывается ток Iref, который намного меньше тока через делитель R1, R2.
Взяв из справочных данных на микросхему TL431 значение тока Ik max(Ik max=100 мА) и задав максимальное значение тока катода в рассматриваемом примере равным 0,9Ik max, из (6.2.2.4) определим требуемое значение сопротивления резистора R3. Сопротивления R1 и R2 известны (5,1 и 1 кОм):
(6.2.2.5)
В последнюю формулу подставляем значение Uвых = 0,0108 + 15,22 = 15,23 В. В результате получим:
Ом.
Минимально допустимое значение тока Ik min (из справочных данных) составляет 1 мА. Приняв, что в данном примере минимальное значение тока катода составит 1,1Ik min, определим наименьшее сопротивление нагрузки, допустимое в данном случае, учитывая, что Uвх=Uвх min:
(6.2.2.6)
В результате расчета получим Rmin = 0,58 кОм. Следовательно, максимальный ток, отдаваемый стабилизатором в нагрузку при заданных условиях работы, составит:
мА. (6.2.2.7)
Рассмотрим еще два примера применения РИОН, часто встречающихся при проектировании различных преобразователей. На рис. 46 показано использование микросхемы на выходе преобразователя в качестве усилителя ошибки. Точно подобранные сопротивления резисторов R1 и R2 при соответствующих их допусках позволяют обеспечить точность установки выходного напряжения 1...2% без какой-либо регулировки. Комплексное сопротивление Zк — аналог сопротивления обратной связи в обычном ОУ. Изменение тока коллектора транзистора Л воздействует на ШИМ схемы управления преобразователем, восстанавливая изменившийся уровень напряжения на выходе Iвых.
На рис. 47 показано использование РИОН в качестве усилителя ошибки на вторичной стороне преобразователя, гальванически не связанной с первичной, где

Рисунок 46 — Использование микросхемы РИОН в качестве усилителя ошибки на выходе преобразователя.

Рисунок 47 — Использование микросхемы РИОН в качестве усилителя ошибки на вторичной стороне преобразователя.
находятся
источник входного напряжения, силовые
ключи и ШИМ-контроллер. Общие точки
первичной и вторичной сторон показаны
знаками ┴ и
соответственно. Передача сигнала на
первичную сторону выполняется оптрономDA1,
светодиод
которого включается последовательно
с резистором R3
в
цепь катода микросхемы РИОН. Резистор
R3
ограничивает
мощность, рассеиваемую в микросхеме.
Покажем еще один интересный пример применения микросхемы РИОН в преобразователях.
