- •3. Случайные сигналы и шумы
- •3.1 Математический аппарат случайных сигналов
- •3.2 Тепловой шум в резисторе (шум Джонсона )
- •3.4. Фликкер шум
- •3.5. Шумовые модели компонентов ис
- •3.5.1 Диод в виде p-n перехода
- •3.5.2.Биполярный транзистор
- •3.5.3.Мдп транзистор
- •3.5.4.Конденсаторы и катушки индуктивности.
- •3.6. Расчет шума в схемах
3. Случайные сигналы и шумы
3.1 Математический аппарат случайных сигналов
Раздел математики - теория вероятности, исследует случайные процессы. Отличительной чертой случайного процесса является то, что его значения (например: напряжение или ток) нельзя заранее предсказать. Поэтому, когда говорят о конкретной величине какого-нибудь случайного процесса (например: напряжение на зажимах разогретого до температуры резистора), то подразумевают его статистическую характеристику.
В теории вероятностей введены понятия:
- функции распределения случайной величины , т.е. вероятность того, что случайная величина из множества примет значение, равное или меньшее чем .
Для функции распределения справедливы два предельных равенства:
(3.1)
- производная от функции распределения - есть плотность вероятности:
. (3.2)
Плотность вероятности удовлетворяет условию нормировки,
т.е. (3.3)
Для случайных величин из множества введены понятия:
-
Математическое ожидание ( m ) - среднее значение, которое может принимать случайная величина :
(3.4)
-
Дисперсия или среднеквадратичное отклонение , которое характеризует меру разброса результатов испытаний относительно математического ожидания.
(3.5)
Пример 1 Равномерное распределение.
Пусть случайная величина может принимать значения из интервала , причем вероятности попадания в любые внутренние интервалы равны.
Функцию распределения находят путем интегрирования плотности вероятности.
График плотности вероятности и функции распределения показан на рис.3.1.
Математическое ожидание:
Дисперсия:
Пример 2: Гауссово (нормальное) распределение.
Плотность вероятности Гауссового распределения (рис.3.2), , содержит два параметра . и . График данной функции представляет собой колоколообразную кривую с максимумом в точке .
Непосредственным вычислениями можно показать, что есть математическое ожидание, а есть среднеквадратичное отклонение . Тогда плотность вероятности записывается в виде:
Функция распределения имеет вид:
График этого распределения приведен на рис.3.2.
К случайным процессам также относятся флуктуации напряжения и тока, связанные с шумовыми явлениями в полупроводниковых приборах. Шумы определяют нижнюю границу величины электрического сигнала, который необходимо усиливать или преобразовывать с помощью полупроводниковых приборов. Поэтому необходимо знать величину и природу шумовых явлений.
3.2 Тепловой шум в резисторе (шум Джонсона )
Причиной возникновения теплового шума являются флуктуации носителей заряда в проводящих телах под действием температуры. Это могут быть резисторы или проводники в виде металлической (Al, Au, Cr, W, V) пленки, используемой в ИМС, а также пленки или объемы полупроводниковых структур. Спектр шумового напряжения теплового шума очень широк из‑за высокой плотности упаковки и высокой скорости носителей заряда.
Среднеквадратичное отклонение напряжения теплового шума резистора связано с величиной его сопротивления R выражением Джонсона - Найквиста:
, (3.6)
где - сопротивление резистора; Дж/K - постоянная Больцмана, Дж при ; - полоса пропускания, в которой измеряется шум.
Cпектральная плотность среднеквадратичного отклонения напряжения теплового шума составит:
(3.7)
Пример 1. При и спектральная плотность напряжения теплового шума составит . Найти чему равно шумовое напряжение.
Решение:
Формула (3.6) для среднеквадратичного отклонения тока теплового шума резистора имеет вид:
(3.6а)
или для спектральной плотности среднеквадратичного отклонения шумового тока:
(3.7а)
Аналогичный расчет для и показывает, что величина шумового тока составит:
Эквивалентная схема резисторов соответствующих выражениям (3.6) и (3.6а) имеют вид, показанный на рис.3.3.
Ш умовые источники на эквивалентных схемах обычно заштриховывают.
Источником дробового шума в полупроводниках является упорядоченное (под действием электрического поля) перемещение носителей, имеющих разную энергию. Проявляется он, например, в диодах или транзисторах, при прохождении носителями потенциального барьера.
Рассмотрим простую модель дробового шума. Пусть роль потенциального барьера выполняет p-n переход. Предположим, что концентрация электронов существенно превосходит концентрацию дырок. Тогда ток через p-n переход будет определяться потоком электронов как
,
где - полный заряд, перенесенный электронами; - интервал времени переноса заряда через p‑n переход.
Для единичного электрона этот ток можно приблизительно рассчитать следующим образом:
,
где [кулон] - заряд электрона; [сек] - время пролета через p-n переход.
Обычно ток через p-n переход составляет несколько миллиампер. Это означает, что единичные вклады тока от отдельных электронов перекрываются во времени (рис.3.4).
Каждый электрон, движущийся в этом направлении, может иметь разную скорость, следовательно, и разную энергию. Это означает, что не все электроны преодолевают потенциальный барьер p-n перехода, а только те, энергия которых больше величины .
Хаотический шум, возникающий при преодолении потенциального барьера, называется дробовым. Среднеквадратичное отклонение дробового шума определяется выражением Шоттки :
, (3.8)
где - величина заряда носителей; - ток через соответствующий полупроводниковый прибор; - частотная полоса пропускания, в которой измеряется шум.
Спектральная плотность шума Шоттки имеет вид
(3.9)
Э квивалентная схема идеального диода с p-n переходом, содержащая дробовой шум, имеет вид показанный на рис.3.5, где - дифференциальное сопротивление диода.
Следует отметить, что спектральные плотности теплового и дробового шума не зависят от частоты. Шум такого типа называется белым шумом. Спектр частот белого шума бесконечен.