заряд в барьерной емкости

Эмиттерного

перехода

заряд в барьерной емкости

коллекторного

перехода

. (9.1.7)

Подставляя (9.1.5а,б) в (9.1.7) и решая полученное уравнение относительно , находим:

; (9.1.8)

где согласно (9.1.5а,б)

(5б)

В этих уравнениях использованы параметры: ,,и, а также функциии, определяющиеи.

9.2. Эквивалентная схема Гуммеля-Пуна

I_1nT_N /_N, I_2nT_I /_I —

токи рекомбинаци в активной базе I.

;

;

Функции I₁(V_be), I₂(V_bc) учитывают реальные ВАХ всех токов, кроме сквозного электронного тока.

9.3. Возможности модели Гуммеля-Пуна

Модель учитывает:

1). Произвольный уровень инжекции в активной базе — граничные условия (3а) и (3б).

2). Эффект Эрли — зависимости .

3). Изменение сопротивления активной базы при повышении уровня инжекции — r_B (Q_p).

Недостатки модели:

1). Сложность и отсутствие наглядности. Применяется только при численном (компьютерном) моделировании.

2). Модель не учитывает эффект оттеснения эмиттерного тока.

10. Диодное включение транзисторов

10.1. Способы реализации диодов в ИМС

Для реализации полупроводниковых диодов в ИМС используются транзисторные структуры. Возможны 6 конструктивных вариантов:

1)Диод В-С2)Диод В-С (без эмиттера)

3)Диод В-Е4)Диод В-(Е+С)

5)Диод (В+Е)-С6)Диод (В+С)-Е

10.2. Сравнительные характеристики диодов

№	Тип диода	Тепловой ток	Барьерная емкость	Диффузион-ная емкость	Сопротивление базы	Площадь
1	В-С	Малый	СЕ	Большая		Макс.
2	В-С (без Е)	Малый	СС min	Малая		Мин.
3	В-Е	Мин.	СС	Макс.		Мин.
4	В-(Е+С)	Большой	СЕ + СС	Большая		Макс.
5	(В+Е)-С	Большой	СС	Большая		Макс.
6	(В+С)-Е	Макс.	СЕ	Мин.	ôô	Макс.