- •1. Основные понятия и определения
- •1.1. Исторический обзор
- •1.2. Полупроводниковые имс
- •1.3. Основные принципы интегральной технологии
- •1.4. Гибридные и совмещенные интегральные схемы
- •1.5. Степень интеграции
- •2. Основные сведения
- •2.1. Собственные и примесные полупроводники
- •2.2. Контакт электронного и дырочного
- •3.1. Основные этапы технологии имс
- •3.2. Выбор полупроводникового материала
- •3.3. Получение полупроводникового материала
- •3.4. Получение полупроводниковых пластин
- •3.5. Получение эпитаксиальных структур
- •3.6. Методы формирования элементов имс
- •3.7. Общая характеристика технологического процесса производства имс
- •3.8. Типы структур имс
- •3.9. Требования к кремниевым пластинам
- •3.10. Схема технологического процесса
- •3.11. Микроклимат и производственная гигиена
- •4. Основные технологические операции планарной технологии
- •4.1. Термическая диффузия примесей
- •4.2. Ионное легирование
- •4.3. Эпитаксия
- •4.4. Термическое окисление.
- •4.5. Травление
- •4.6. Нанесение тонких пленок
- •4.7. Проводники соединений и контакты в полупроводниковых имс
- •4.8. Литография
- •Библиографический список
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
Библиографический список
1. Щука А.А. Электроника. Учебное пособие / А.А. Щука. СПб.: БХВ-Петербург, 2006.
2. Аваев Н.А. Основы микроэлектроники / Н.А. Аваев, Ю.Е. Наумов, В.Т. Фролкин. М.: Радио и связь, 1991.
3. Парфенов О.Д. Технология микросхем / О.Д. Парфенов. М.: Высш. шк., 1986.
4. Лозовский В.Н. Нанотехнология в электронике. Введение в специальность / В.Н. Лозовский, Г.С. Константинова, С.В. Лозовский. СПб.: Лань, 2008.
5. Пасынков В.В. Материалы электронной техники / В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. СПб.: Лань, 2003
6. Козырь И.Я. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Кн.1. Общая технология / И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов, Ю.С. Чернозубов, А.С. Пономарев. М.: Высш.. шк., 1989.
7. Нанотехнологии в электронике / под ред. Ю.А. Чаплыгина. М.: Техносфера, 2005.
ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ 3
1. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ
МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ 4
1.1. Исторический обзор 4
1.2. Полупроводниковые ИМС 9
1.3. Основные принципы интегральной технологии 13
1.4. Гибридные и совмещенные интегральные схемы 17
1.5. Степень интеграции 20
2. ОСНОВНЫЕ СВЕДЕНИЯ О
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛАХ 22
2.1. Собственные и примесные полупроводники 22
2.2. Контакт электронного и дырочного
полупроводников (p-n переход) 29
3. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА
ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА
ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
ИМС. ТИПЫ СТРУКТУР ИМС 32
3.1. Основные этапы технологии ИМС 32
3.2. Выбор полупроводникового материала 32
3.3. Получение полупроводникового материала 33
3.4. Получение полупроводниковых пластин 36
3.5. Получение эпитаксиальных структур 38
3.6. Методы формирования элементов ИМС 39
3.7. Общая характеристика технологического
процесса производства ИМС 41
3.8. Типы структур ИМС 43
3.9. Требования к кремниевым пластинам 56
3.10. Схема технологического процесса 57
3.11. Микроклимат и производственная гигиена 60
4. ОСНОВНЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОПЕРАЦИИ
ПЛАНАРНОЙ ТЕХНОЛОГИИ 64
4.1. Термическая диффузия примесей 64
4.2. Ионное легирование 69
4.3. Эпитаксия 74
4.4. Термическое окисление. Свойства пленки
двуокиси кремния 77
4.5. Травление 79
4.6. Нанесение тонких пленок 84
4.7. Проводники соединений и контакты
в полупроводниковых ИМС 91
4.8. Литография 95
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 100
ПРИЛОЖЕНИЕ 102
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 104
Учебное издание
Новокрещенова Елена Павловна
ВВЕДЕНИЕ
В МИКРОЭЛЕКТРОНИКУ
В авторской редакции
Подписано к изданию . 2012
Объем данных 2,95 Мб
ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный технический университет»