Лаб работа 1

Формирование биполярного транзистора с помощью диффузии

Введите константы:

Предэкспоненциальный множитель для базы B

Предэкспоненциальный множитель для эм. P

Энергия активации диффузии для базы B

Энергия активации диффузии для эм. Р

Поверхностная концентрация базы B

Поверхностная концентрация эм. P

Концентрация примеси в исходном Si

Максимальная растворимость базы B в Si

Максимальная растворимость эм. Р в Si

Постоянная Больцмана

см^2/c

см^2/c

эВ

эВ

1/см^-3

1/см^-3

1/см^-3

1/см^-3

1/см^-3

эВ/К

Введите температуру и время диффузии примесей:

Загонка базы

Разгонка базы

Диффузия эмиттера

Диапазон изменения

температуры загонки - 1050 - 1100 С

Диапазон изменения

температуры разгонки - 1100 - 1200 С

Формирование биполярного транзистора с помощью диффузии

Введите константы:

Предэкспоненциальный множитель для базы P

Предэкспоненциальный множитель для эм. B

Энергия активации диффузии для базы P

Энергия активации диффузии для эм. B

Поверхностная концентрация базы P

Поверхностная концентрация эм. B

Концентрация примеси в исходном Si

Максимальная растворимость базы P в Si

Максимальная растворимость эм. B в Si

Постоянная Больцмана

см^2/c

см^2/c

эВ

эВ

1/см^-3

1/см^-3

1/см^-3

1/см^-3

1/см^-3

эВ/К

Введите температуру и время диффузии примесей:

Загонка базы

Разгонка базы

Диффузия эмиттера

Формирование биполярного транзистора с помощью диффузии

Введите константы:

Предэкспоненциальный множитель для базы B

Предэкспоненциальный множитель для эм. As

Энергия активации диффузии для базы B

Энергия активации диффузии для эм. As

Поверхностная концентрация базы B

Поверхностная концентрация эм. As

Концентрация примеси в исходном Si

Максимальная растворимость базы B в Si

Максимальная растворимость эм. As в Si

Постоянная Больцмана

см^2/c

см^2/c

эВ

эВ

1/см^-3

1/см^-3

1/см^-3

1/см^-3

1/см^-3

эВ/К

Введите температуру и время диффузии примесей:

Загонка базы

Разгонка базы

Диффузия эмиттера

Введите константы:

Предэкспоненциальный множитель для базы As

Предэкспоненциальный множитель для эм. B

Энергия активации диффузии для базы As

Энергия активации диффузии для эм. B

Поверхностная концентрация базы As

Поверхностная концентрация эм. B

Концентрация примеси в исходном Si

Максимальная растворимость базы As в Si

Максимальная растворимость эм. B в Si

Постоянная Больцмана

см^2/c

см^2/c

эВ

эВ

1/см^-3

1/см^-3

1/см^-3

1/см^-3

1/см^-3

эВ/К

Введите температуру и время диффузии примесей:

Загонка базы

Разгонка базы

Диффузия эмиттера

Формирование биполярного транзистора с помощью диффузии

Введите константы:

Предэкспоненциальный множитель для базы B

Предэкспоненциальный множитель для эм. Sb

Энергия активации диффузии для базы B

Энергия активации диффузии для эм. Sb

Поверхностная концентрация базы B

Поверхностная концентрация эм. Sb

Концентрация примеси в исходном Si

Максимальная растворимость базы B в Si

Максимальная растворимость эм. Sb в Si

Постоянная Больцмана

см^2/c

см^2/c

эВ

эВ

1/см^-3

1/см^-3

1/см^-3

1/см^-3

1/см^-3

эВ/К

9

Введите температуру и время диффузии примесей:

Загонка базы

Разгонка базы

Диффузия эмиттера

Формирование биполярного транзистора с помощью диффузии

Введите константы:

Предэкспоненциальный множитель для базыSb

Предэкспоненциальный множитель для эм. B

Энергия активации диффузии для базы Sb

Энергия активации диффузии для эм. B

Поверхностная концентрация базы Sb

Поверхностная концентрация эм. B

Концентрация примеси в исходном Si

Максимальная растворимость базы Sb в Si

Максимальная растворимость эм. B в Si

Постоянная Больцмана

см^2/c

см^2/c

эВ

эВ

1/см^-3

1/см^-3

1/см^-3

1/см^-3

1/см^-3

эВ/К

Введите температуру и время диффузии примесей:

Загонка базы

Разгонка базы

Диффузия эмиттера