- •202-2007 Методические указания
- •1.Теоретическое введение к лабораторным работам по полупроводникам
- •1.1. Образование энергетических зон
- •1.2. Заполнение энергетических зон электронами и электрические свойства твердых тел
- •1.3. Собственные полупроводники
- •1.4. Примесные полупроводники
- •2. Определение энергии активации примеси в полупроводнике
- •2.1 Теоретическое введение
- •2.2 Описание установки
- •3. Исследование вольт - амперной характеристики термосопротивления
- •3.1 Теоретическое введение
- •3.2 Описание установки
- •3.3 Порядок выполнение работы
- •3.4 Теоретический минимум
- •4. Изучение фотопроводимости в полупроводниках
- •4.1 Теоретическое введение
- •4.2 Описание установки
- •4.3 Порядок выполнение работы
- •4.4 Теоретический минимум
- •5.2 Описание установки
- •5.3 Порядок выполнения работы
- •5.4 Теоретический минимум
- •6. Определение закона затухания кристаллофосфора
- •6.1. Теоретическое введение
- •6.2 Описание установки
- •6.3 Порядок выполнения работы
- •6.4 Теоретический минимум
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
6.4 Теоретический минимум
Фотолюминесценция. Неравновесный характер люминесценции. Классификация люминофоров по длительности свечения. Зонные структуры флуоресцирующего и фосфоресцирующего кристаллов. Закон Стокса. Антистоксовое излучение. Энергетический выход люминесценции. Закон Вавилова. Закон затухания кристаллофосфора.
методические указания
к лабораторным работам по полупроводникам
по дисциплине «Общая физика»
для студентов всех специальностей
очной формы обучения
Составители:
Москаленко Александр Георгиевич
Матовых Николай Васильевич
Гаршина Мария Николаевна
Долгачев Александр Александрович
Татьянина Елена Павловна
В авторской редакции
ГОУВПО «Воронежский государственный
технический университет»
394026 Воронеж, Московский просп., 14