- •1.2. Получение и регистрация рентгеновских лучей
- •Методы регистрации рентгеновского излучения
- •Общая теория возникновения дифракционного максимума
- •Вычисление структурного фактора
- •Атомный множитель
- •Температурный фактор
- •Множитель Лоренца
- •Множитель поглощения
- •Множитель повторяемости
- •Понятие о динамической теории рассеяния
- •Регистрация дифрактометром
- •Индицирование порошковых рентгенограмм
- •Метод Лауэ
- •Рис.27. Геометрия интерференционной картины
- •Рис.28. Формирование интерференционной картины в методе Лауэ
- •Метод вращения монокристалла
- •Рис.29. Геометрия интерференционной картины при вращении монокристалла
- •Определение типа твердого раствора
- •Исследование границ растворимости
- •Фазовый анализ
- •Количественный фазовый анализ
- •Метод измерения отношений интенсивностей линий
- •Определение макронапряжений
- •Плосконапряженное состояние
- •Исследование микронапряжений
- •Статические искажения
- •Рентгенографическое определение величины кристаллитов
- •Таким образом, полезное увеличение М = 1300x для обычного освещения и М = 2000x для ультрафиолетового.
- •2.2.Формирование изображения в электронном микроскопе
- •Приготовление образцов для электронной микроскопии
- •Области применения нейтронографии
Плосконапряженное состояние
Схема равновесия касательныхt и нормальныхs напряжений в элементе объема следующая, рисунок 34,:
Рис.34. Схема равновесия касательных t и нормальных s напряжений в элементе объема
Всегда можно выбрать такую ориентацию куба, чтобы касательные напряжения были равны нулю. Тогда для характеристики напряженного состояния достаточно знать три нормальные составляющие:
s1, s2 и s3.
Для плосконапряженного состояния:
где m - коэффициент Пуассона.
На свободной поверхности можно считать, что s3 = 0, но e3 ¹ 0. Тогда получаем, что
s1 + s2 = - (E/m) e3 = - (E/m) (d^ – d0)/d0 |
(64) |
поскольку, как и в случае, линейно напряженного состоянияe3 определяется для плоскостей почти параллельных поверхности образца.
Т.о. из одной съемки удается определить только сумму главных напряже-
ний.
Для того, чтобы раздельно определитьs1 и s2, проводят съемку образца, наклоненного относительно пучка на углы ±f.
Исследование микронапряжений
Как указано выше микронапряжения возникают вследствие:
55
