Лабораторная работа № 3
Исследование выпрямительных свойств полупроводниковых диодов
Цель работы: экспериментальные исследования вольтамперных характеристик (ВАХ) выпрямительных диодов при комнатной и повышенной температурах, определение основных параметров.
Вычислить сопротивление кремниевых и германиевых диодов на основании ВАХ по формулам:
где Rпр, Ом и Rобр, Ом - сопротивление соответственно при прямом и обратном
включении диодов.
Вычислить температурные коэффициенты сопротивления диодов
(TKR). Вычисление TKR производится по формуле:
где
I1
и
I2
,
А
-
значения прямого тока, измеренные для
температур, соответственно Т1
и
T2
при
одном и том же напряжении по таблице 1.
Для этого выбирают примерно одинаковое
напряжение, затем соответствующие им
токи и температуры для каждого образца.
Данные для построения вах (при комнатной температуре)
|
Образец № |
1 |
2 |
3 |
4 |
|
Марка диода |
Д303 |
КД411ГМ |
Д7Ж |
Д245Б |
|
Материал |
Ge |
Si |
Ge |
Si |
|
Uобр.В |
Iобр, мкА |
Iобр, мкА |
Iобр, мкА |
Iобр, мкА |
|
0 |
-25 |
-0,5 |
-10 |
-0,5 |
|
-10 |
-30 |
-1,4 |
-13 |
-0,5 |
|
-20 |
-34 |
-2,5 |
-14 |
-2,2 |
|
-30 |
-36 |
-3,3 |
-16 |
-3,5 |
|
-40 |
-36 |
-4 |
-19 |
-3,7 |
|
-60 |
-40 |
-5,5 |
-19 |
-5,5 |
|
-80 |
-44 |
-7,5 |
-22 |
-7,5 |
|
-100 |
-46 |
-9 |
-24 |
-9,2 |
|
-120 |
- |
-11 |
-26 |
-11 |
|
-140 |
- |
-12,5 |
-30 |
-12,5 |
|
-160 |
- |
-14,5 |
-33 |
-14,5 |
|
-180 |
- |
-16 |
-47 |
-16,5 |
|
-200 |
- |
-18 |
-40 |
-18 |
|
Iпр, мА |
Uпр,В |
Uпр,В |
Uпр,В |
Uпр,В |
|
0 |
165 |
0,54 |
263 |
0,5 |
|
5 |
174 |
0,6 |
275 |
0,53 |
|
10 |
213 |
0,65 |
318 |
0,56 |
|
20 |
240 |
0,7 |
363 |
0,58 |
|
30 |
262 |
0,8 |
393 |
0,56 |
|
40 |
278 |
0,8 |
0,4 |
0,62 |
|
60 |
298 |
0,85 |
0,44 |
0,64 |
|
80 |
315 |
0,88 |
0,46 |
0,65 |
|
100 |
327 |
0,91 |
0,49 |
0,66 |
|
120 |
338 |
0,93 |
0,5 |
0,67 |
|
140 |
348 |
0,95 |
0,53 |
0,68 |
|
160 |
357 |
0,96 |
0,54 |
0,69 |
|
180 |
364 |
0,98 |
0,55 |
0,7 |
|
195 |
- |
- |
- |
- |
Данные для построения вах (при повышенной температуре)
|
Образец № |
1 |
2 |
3 |
4 |
|
Марка диода |
Д303 |
КД411ГМ |
Д7Ж |
Д245Б |
|
Материал |
Ge |
Si |
Ge |
Si |
|
Uобр.В |
Iобр, мкА |
Iобр, мкА |
Iобр, мкА |
Iобр, мкА |
|
0 |
-1120 |
-3 |
-310 |
-1 |
|
-10 |
-1180 |
-6 |
-325 |
-3 |
|
-20 |
-1210 |
-7,5 |
-1335 |
-4 |
|
-30 |
-1235 |
-9,5 |
-342 |
-5 |
|
-40 |
-1245 |
-10 |
-345 |
-6 |
|
-60 |
-1285 |
-12,5 |
-360 |
-7,7 |
|
-80 |
-1325 |
-15,5 |
-375 |
-10 |
|
-100 |
-1365 |
-17,5 |
-390 |
-11,5 |
|
-120 |
- |
-20 |
-405 |
-13,5 |
|
-140 |
- |
-22 |
-435 |
-15 |
|
-160 |
- |
-25 |
-450 |
-17 |
|
-180 |
- |
-26,5 |
-475 |
-19 |
|
-200 |
- |
-29 |
-510 |
-21,5 |
|
Iпр, мА |
Uпр,В |
Uпр,В |
Uпр,В |
Uпр,В |
|
0 |
89 |
0,4 |
173 |
0,4 |
|
5 |
110 |
0,5 |
210 |
0,41 |
|
10 |
145 |
0,57 |
240 |
0,47 |
|
20 |
170 |
0,6 |
290 |
0,5 |
|
30 |
186 |
0,65 |
320 |
0,53 |
|
40 |
205 |
0,68 |
345 |
0,54 |
|
60 |
226 |
0,73 |
380 |
0,56 |
|
80 |
245 |
0,76 |
0,4 |
0,58 |
|
100 |
258 |
0,79 |
0,42 |
0,59 |
|
120 |
270 |
0,81 |
0,45 |
0,6 |
|
140 |
281 |
0,83 |
0,46 |
0,61 |
|
160 |
290 |
0,85 |
0,48 |
0,62 |
|
180 |
298 |
0,87 |
0,5 |
0,63 |
|
195 |
- |
- |
- |
- |