
Добавил:
Upload
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:metoda_TTE.doc
X
- •1 Модуль - переходи в твердому тілі
- •1.1 Переходи в твердому тілі
- •Тема 1.
- •1.2 Напівпровідникові діоди
- •Тема 3. Тема 4.
- •2 Модуль 2 - біполярні транзистори (бт)
- •Тема 5. Тема 6.
- •3 Модуль – тиристори
- •Тема 7. Тема 8.
- •4 Модуль– польові транзистори
- •Тема 9.
- •4.1 Польові транзистори з управляючим р-n переходом
- •Тема 10.
- •4.2 Транзистори з ізольованим затвором
- •5 Модуль – гібридні силові прилади
- •Тема 11. Тема 12
- •6 Модуль – фотоелектричні прилади
- •Тема 13. Тема 14.
- •Модуль 7 – інтегральні схеми (іс)
- •Тема 15. - Аналогові іс.
- •Тема 16. - Цифрові іс.
- •Список використаних джерел
- •Додаток а
- •Задача №5
- •Задача №6
- •Задача №7
- •Задача 8
- •Задача 9
- •Задача 9
Задача 9
У р-п-р-транзисторі концентрація донорів в емітері Nд, концентрація акцепторів в базі Nа. Вважаючи, що рухливості електронів і дірок рівні 0,4 і 0,2 м2/(В∙с) відповідно, визначити відношення діркового струму до електронного на переході емітер-база.
РІШЕННЯ:
Відношення діркового струму до електронного на р-п-переході дорівнює відношенню питомих провідностей матеріалів бази та емітера, які утворюють р-п-перехід, для будь-яких напруг зміщення.
Отже,
,
де Na та Nд – концентрації акцепторів та донорів.
Для даного випадку
.
Відповіді при варіаціях вихідних даних:
-
№вар
Nд, м-3
Nа, м-3
μp ,м2/(В∙с)
μn ,м2/(В∙с)
1
l024
1022
0.2
0.4
2
1022
1020
0.2
0.4
3
1021
1019
0.2
0.4
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]