
- •1 Модуль - переходи в твердому тілі
- •1.1 Переходи в твердому тілі
- •Тема 1.
- •1.2 Напівпровідникові діоди
- •Тема 3. Тема 4.
- •2 Модуль 2 - біполярні транзистори (бт)
- •Тема 5. Тема 6.
- •3 Модуль – тиристори
- •Тема 7. Тема 8.
- •4 Модуль– польові транзистори
- •Тема 9.
- •4.1 Польові транзистори з управляючим р-n переходом
- •Тема 10.
- •4.2 Транзистори з ізольованим затвором
- •5 Модуль – гібридні силові прилади
- •Тема 11. Тема 12
- •6 Модуль – фотоелектричні прилади
- •Тема 13. Тема 14.
- •Модуль 7 – інтегральні схеми (іс)
- •Тема 15. - Аналогові іс.
- •Тема 16. - Цифрові іс.
- •Список використаних джерел
- •Додаток а
- •Задача №5
- •Задача №6
- •Задача №7
- •Задача 8
- •Задача 9
- •Задача 9
Задача №5
Знайти питомий опір матеріалу Si(кремній)
з легованою домішкоюND=1016
см-3 приТ=300 К.Рухливість електронів при заданій
температурі дорівнюєсм-2В-1 с-1.
РІШЕННЯ:
Питомий опір матеріалу з легованою домішкою ND
Ом·см
Знайти питомий опір матеріалу GaAs(арсенід
галію) з легованою домішкоюNА=1016
см-3 приТ=300 К.Рухливість електронів при заданій
температурі дорівнюєсм-2В-1 с-1.
РІШЕННЯ:
Питомий опір матеріалу з легованою домішкою NА
Ом·см
-
№вар
Х
ND,
см-3
NA,
см-3
,
см2В-1с-1
,
см2В-1с-1
1
Si
1016
1500
2
Si
1016
600
3
Ge
1016
3900
4
Ge
1016
1900
5
GaAs
1016
8500
6
GaAs
1016
400
Задача №6
Напівпровідниковий діод на основі матеріала Х, що має зворотній струм насичення I0, працює при прямій напрузі UПРі температурі Т. Визначити опір діода постійному струму R0, та його диференційний опір.
Розрахункові вирази:
-
№вар
Х
I0,
мкА
UПР,
В
Т, К
1
Ge
25
0,2
300
2
Si
10
0.5
300
3
Si
1
0.3
300
Задача №7
Для стабілізації напруги на навантаженні використовується напівпровідниковий стабілітрон, напруга стабілізації якого постійна та дорівнює Uст =10 В. Визначити допустимі межі зміни напруги живлення, якщо максимальний струм стабілітронаIст.max = 30мА, мінімальний струм стабілітронаIст.min = 1 мА, опір навантаженняRн = 1 кОм та опір баластного резистораRб = 0,5 кОм.
Розрахункові вирази:
.
РІШЕННЯ:
Розрахункова формула:
.
Підставляючи дані, отримаємо
При мінімальному струмі:
.
При максимальному струмі:
.
Таким чином, допустимі межі зміни напруги живлення: від 25.5 до 15.5 В.
-
№вар
Uст
Iст. max, мА
Iст.min, мА
Rн,
кОм
Rб,
кОм
1
10
30
1
1
0.5
2
5
10
1
1
0.5
3
5
30
1
1
0.5
Задача 8
Германієвий напівпровідниковий діод, який має зворотний струм насичення I0=25 мкА, працює при прямій напрузі, що дорівнює0,1 ВприТ=300 К.
Визначити опір діода постійному струму R0.
РІШЕННЯ:
Знайдемо струм діода при прямій напрузі U=0,1 Вза формулою
.
Тоді опір діода постійному струму
.
Германієвий напівпровідниковий діод, який має зворотний струм насичення I0=25 мкА, працює при прямій напрузі, що дорівнює 0,1 В при Т=300 К. Визначити диференційний опір rдиф.
РІШЕННЯ:
диференційний опір знайдемо по формулі
,
звідки
,
або наближено, з урахуванням того, що I>>I0,
,
звідки
.
Задача 9
Визначити вихідну напругу в схемі, зображеній на рисунку, якщо при кімнатній температурі використовується кремнієвий діод, зворотний струм насичення якого Is.
РІШЕННЯ:
Оскільки на діод подана пряма напруга, то опір кремнієвих діодів буде приблизно дорівнювати 200 Ом або менше, і струм у схемі буде визначатися в основному опором резистора R.
Слідуючі з цього,
А.
Підставивши це значення у вираз для струму напівпровідникового діода
і розв'язавши його відносно U, отримаємо
Звідки:
,
або
,
де
Звідки:
.
Підставимо дані:
Відповіді при варіаціях вихідних даних:
-
№вар
Uвх, В
Rн,кОм
Is , мкА
1
40
20
10
2
20
20
10
3
10
20
10