Список використаних джерел

1. Т. В. Критская. Современные тенденции получения кремния для устройств электроники. – Запоріжжя, ЗДІА, 2013 р. – 356 с.

2. Тугов Н.Н., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы – М.: Энергоиздат, 1990 – 676 с.

3. А.В.Переверзєв, О.В.Василенко. Моделювання в електроніці. – Запоріжжя, ЗДІА, 2003 р. – 160 с.

4. Василенко О.В. Моделювання в електроніці. Методичні вказівки до лабораторних робіт. Запоріжжя, ЗДІА, 2011 р. – 60 с.

5. Переверзєв А.В., Тімовський А.К., Василенко О.В. Моделювання елементів силової електроніки. – Запоріжжя: ЗДІА, 1998. – 117с.

6. Micro-Cap 10, Analog and Digital Behavioral Modeling [Електронний ресурс]. – Режим доступу: http://www.spectrum-soft.com/demo/abm.shtm

7. CoolMOS TM Technology and Design Guide/ Application Note AN 2013-04 [Електронний ресурс]. – Режим доступу: http://www.spectrum-soft.com/demo/abm.shtm

8. В.С.Руденко, В.И.Сенько, В.В.Трифонюк. Приборы и устройства промышленной электроники. – К.: Техніка, 1990. – 368 с.

9. Петухов В.М. Полевые и высокочастотные биполярные транзисторы средней и большой мощности. Справочник. Т.3– М.:КубК-а, 1997. – 672 с.

10. Блихер А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов.– Л.:Энергоатомиздат, 1986. – 248 с.

11. Окснер Э.С. Мощные полевые транзисторы и их применение: Пер.с англ. – М: Радио и связь, 1985. – 288с.

12. Поташников М.Ю. Сool MOStm: Siemens прорывает барьер //Электротехника. –1999. –№4. – С.18-23.

13. Siemens. Силовые IGBT модули. Материалы по применению. – М.:ДОДЭКА, 1997. – 157с.

14. Переверзев А.В. Интегральные модули на составных и функционально-интегрированных приборах. – Запорожье: ЗГИА. – 1998. – 190 с.

15. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. –М.: Сов. радио, 1980. – 424 с.

16. Силовые полупроводниковые приборы. Applications handbook. IRF. – Воронеж: Элист. – 1995. – 661с.

17. В.С. Руденко, В.И. Сенько, В.В. Трифонюк. Приборы и устройства промышленной электроники. – К.: Техніка, 1990. – 368 с.

18. ABB в Україні. Продукція і послуги [Електронний ресурс]. – Режим доступу: http://www.abb.ua/ProductGuide/Alphabetical.aspx

19. Internatonal Rectifier. Product Line [Електронний ресурс]. – Режим доступу: http://www.irf.com/indexsw.html

20. Гуртов, В.А. Твердотельная электроника: Учебное пособие / В.А. Гуртов. – М.: Энергия, 2005. – 492 с.

21. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем.– М.: Энергия, 1977. – 671с.

22. Гершунский Б.С. Основы электроники и микроэлектроники. – К.: Вища школа, 1989. – 423 с.

23. Остренко В.С. Навчально-методичний посібник. Сучасна елеменна база силової електроніки. ­ Запоріжжя: ЗДІА, 2010. - 276 с.

24. О. Резніков, П. Воронін, М. Щепкін. Гібридний IGBT - статичні і динамічні характеристики // Силова Електроніка. - №3, 2006. – С. 28-30 [Електронний ресурс]. – Режим доступу: http://www.power-e.ru/2006_03_28.php

25. Алексей Рябов. FAQ про LED. Часть первая: LED тронулся // Цоколь No1, 2004г, январь-февраль/ [Електронний ресурс]. – Режим доступу: http://www.

26. AVAGO TECHNOLOGIES. Оптроны нового поколения. [Електронний ресурс]. – Режим доступу: http://www.icgamma/ru

27.  Никифоров С. «S-класс» полупроводниковой светотехники // Компоненты и технологии : журнал. — 2009. — № 6. — С. 88—91.

28. Шутов Д.А., Ситанов Д.В. Процессы микро и нанотехнологий. Лабораторный практикум. Иваново: ИГХТУ, 2006. – 135 с. [Електронний ресурс]. – Режим доступу:http://window.edu.ru/resource/526/69526/files/pmnt2.pdf

29. Материалы силовой электроники. [Електронний ресурс]. – Режим доступу:http://eef.misis.ru/sites/default/files/lectures/1-3-3.pdf

30. А.Васильев, В.Данилин, Т.Жукова. Новое поколение полупроводниковых материалов и приборов. Через GaN к алмазу//Электроника. Наука, технология, бизнес. №4, 2007. [Електронний ресурс]. – Режим доступу: http://www.electronics.ru/journal/article/572

31. Hudgins J. L. – Journal of Electronic Materials. – 2003, v.32, No.6. – P. 471–477

32. Zimmer J., Chandler G., Aidala D. Compound Semiconductor, Jan/Feb 2007, p.29–31.

33. Taniuchi H., Umezawa H. et al. – IEEE Electron Device Letters, Aug. 2001, v.22, No8. – P. 390–392.

34. Tallaire A., Kasu M. et al. – MRS Fall meeting, Symposium J: Diamond electronics – Fundamentals to applications. – Nov.27Dec.1, 2006, – Abst.J9.7.

35. Перспективные материалы в электронике // Электроника НТБ. Выпуск #4/2007. [Електронний ресурс]. – Режим доступу:www.compoundsemiconductor.net/articles/news/10/8/4/1.

36. www.group4labs.com