Skhemotekhnika_PE

Отсюда

CВХ = CЗИ + (1+ KU )×CЗС » (1+ KU )×CЗС .

Наличие СВХ придает комплексный характер входному сопротивле-

нию каскада

Z&ВХ = RД P ХC (ВХ ) .

Выходная емкость каскада аналогично рассмотренному определяется

Сквозной коэффициент усиления каскада с ОИ по напряжению в ВЧ-

области

K&е = RГZ&+BXZ&BX S ×(ri P RС P RH P ХС(ВЫХ ) ).

Выходное сопротивление каскада меньше, чем у каскада с ОИ и опре-

деляется

RВЫХ ≈ 1 / S.

Емкостной входной ток каскада

СВХ.ОС ≈ СЗС << СВХ.ОИ,

СВЫХ.ОС ≈ ССИ < СВЫХ.ОИ,

т.е. в каскаде с ОС практически исключается влияние проходной емкости, поэтому каскад с ОИ имеет большую fВ при том же типе транзистора и при- меняется в качестве ВЧ-согласующего каскада.

Усилительный каскад с общим затвором по своим свойствам аналоги- чен каскаду с ОБ, он имеет малое входное сопротивление (до 1 кОм) и ни по одному из параметров не может конкурировать с каскадом с ОЭ, поэтому кас- кад с ОЗ практически не применяется.

2.8 Фазоинверсный каскад

Фазоинверсный каскад (ФИК) (каскад с разделенной нагрузкой) ис-

пользуется в качестве предоконечного каскада для двухтактного усилителя мощности на транзисторах одного типа проводимости. Этот УМ требует подачи на входы плеч противофазных управляющих напряжений. Схема ФИК (обобщенная) представлена на рис. 2.29. Выходная цепь ФИК пред-

ставляет собой двухступенчатый делитель с противофазными сигналами на каждой из ступени.

Рассмотрим основные параметры ФИК на биполярном транзисторе

45

Рис. 2.29

Величины RВЫХ по обоим выходам можно определить из схемы заме-

щения. Как правило, RН1 = RН2, RК = RЭ, тогда KU.1 ≤ 1, т.е. KU.1 ≈ KU.2, их зна- чения получаются практически одинаковыми при h21.Э >> 1.

2.9 Составные транзисторы

Составным транзистором называется комбинация двух или большего числа транзисторов, включенных так, что два электрода полученного тран- зистора являются электродами отдельных транзисторов, а третий получает- ся соединителем электродов отдельных транзисторов (рис. 2.30).

З

Рис. 2.30

Составной транзистор может быть образован полевым и биполярным транзисторами разных структур. Всего может быть около 50 практически

46

используемых составных транзисторов (из двух отдельных). В результате получается сложный полупроводниковый прибор, имеющий оригинальные характеристики.

Обозначают эти структуры по типу соединенных вместе электродов. Например, транзистор 2.30, б называется «составной транзистор ОБ – ОЭ», рис. 2.30, в – «составной транзистор ОС – ОК». Наибольшее распростране-

ние получила комбинация двух биполярных транзисторов по схеме ОК – ОК, называемая схемой Дарлингтона (рис. 2.31). При соединении би- полярного транзистора по схеме Дарлингтона образуется биполярный тран- зистор с параметрами, существенно отличающимися от параметров отдель- ных транзисторов. Рассмотрим схему замещения составного транзистора ОК – ОК (рис. 2.32).