Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Skhemotekhnika_PE

.pdf
Скачиваний:
178
Добавлен:
12.05.2015
Размер:
1.28 Mб
Скачать

31

При уменьшении UЭ, UВХ > 0 и возрастает, т.е. на нагрузке формиру- ется положительная полуволна. Каскад имеет высокую температурную ста- бильность за счет связи выходной цепи и входной цепей через резистор RЭ.

Расчет каскада с ОК по постоянному току

 

 

Исходными данными являются UВЫХ.М и RН.

 

 

1)

Задают RЭ = (3 ¸ 5) × RН ;

UВЫХ

 

2)

Определяется амплитуда тока эмиттера IЭ.М =

;

 

 

 

RЭ P RН

3) Задаются координаты точки покоя выходной цепи

UКЭ.П ³UВЫХ .М + DUКЭ ; IК.П ³ IЭ.М + IК.0 ;

4)Определяется ЕК = IК.П × RЭ +UКЭ.П ;

5)Выбирается транзистор;

6)

Определяется IБ =

IК

 

и по входной ВАХ → UБЭ.П. Проверяется

h21.Э

 

 

 

 

 

 

 

 

нахождение точки покоя входной цепи на линейном участке ВАХ.

7)

Задается ток делителя

I Д = (2 ¸ 5) × IБ.П и определяются сопротив-

ления резисторов входного делителя

 

 

 

R =

UKЭ.П UБЭ.П

 

;

R =

EK UКЭ.П +UБЭ.П

.

 

I Д + IБ.П

 

 

1

 

2

I Д

 

 

 

 

Все напряжения в формулах берутся по абсолютной величине.

Расчет каскада с ОК по переменному току

Схема замещения каскада представлена на рис. 2.14.

Iвх=IГ IБ

+

RГ

+ UВХ

еГ

+UhБЭ11.Э

IК =h21·IБ

 

+

 

 

 

 

RД

1h22.Э

RЭ

RН

UН

IД

IЭ

IН

Рис. 2.14

Коллектор транзистора по переменному току подключен к общей точ- ке схемы, отсюда и ее название. Из схемы замещения видно, что UН дейст- вительно меньше UВХ и совпадает с ним по фазе.

Параметры каскада по переменному току

32

RВХ = UIВХ = RД P RВХ .ТР ,

Г

где сопротивление входной цепи транзистора

R

=

U

ВХ

=

U

БЭ

+U

Н = h

+

((1 h22.Э ) P RЭ P RН )× IЭ

=

 

 

 

 

ВХ .TP

 

IБ

 

 

 

IБ

11.Э

 

IБ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

= h11.Э + (1+ h21.Э )×((1h22.Э )P RЭ P RН ).

Входное сопротивление каскада с ОК намного больше, чем у каскада с ОЭ на том же типе транзистора. Средние значения составляют 104 ¸ 105 Ом, против 10 ¸ 102 Ом у каскада с ОЭ. Это является важным пре- имуществом каскада с ОК.

Выходное сопротивление определяется относительно выходных за- жимов при еГ = 0 и RН =

R =

UИСТ

,

 

 

 

 

 

 

ВЫХ

IЭ

 

 

 

 

где UИСТ напряжение источника измерительного сигнала.

 

æ

 

ö

 

 

RВЫХ = RЭ

 

1

 

÷ P RЭКВ ,

 

 

 

 

 

è h22.Э ø

где RЭКВ эквивалентное сопротивление цепи.

UИСТ = IБ ×(h11.Э + RГ P RД ) ;

R =

h11.Э P RГ P RД

;

 

 

 

ЭКВ

1

+ h21.Э

 

RВЫХ = RЭ P(1 h22.Э ) P

h11.Э P RГ P RД

.

 

 

 

 

 

 

 

 

1+ h

 

 

 

 

 

 

 

 

21.Э

Последняя составляющая в RВЫХ мала, поэтому она и определяет его величину в целом. Выходное сопротивление каскада с ОК намного меньше, чем у каскада с ОЭ на том же типе транзистора, что является вторым важ-

ным преимуществом каскада с ОК.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ìI

 

= I

 

×

 

(1 h22.Э ) P RЭ P RH

= I

 

×(1+ h

 

 

)

(1 h22.Э ) P RЭ P RH

ü

 

 

 

H

Э

 

 

 

 

Б

 

 

 

 

 

ï

 

I

ï

 

 

 

 

RH

 

 

 

 

 

 

 

 

21.Э

 

 

 

 

 

RH

KI =

ï

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ï

 

H

í

 

 

 

 

 

RД P RВХ .ТР

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ý

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RВХ

 

 

 

 

 

 

 

 

RВХ .ТР

 

 

IГ ïI

Б

= I

Г

×

= I

Г

×

 

;I

Г

= I

Б

×

 

ï

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ï

 

 

 

RВХ .ТР

 

RВХ .ТР

 

 

 

 

 

 

RВХ

ï

 

 

î

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

þ

 

 

 

 

 

KI = (1+ h21.Э )×

(1 h22.Э ) P RЭ P RH

×

 

 

RВХ

 

?1;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R

 

 

 

 

 

 

R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

H

 

 

 

 

 

 

 

ВХ .ТР

 

KI может составлять (0,7 – 0,85) h21.Э.

 

UH

 

RH

= (1+ h21.Э )×

(1 h22.Э ) P RЭ P RH

KU =

 

= KI ×

 

 

.

UВХ

RВХ

h11.Э + (1+ h21.Э )×((1 h22.Э )P RЭ P RH )

33

Знаменатель больше числителя на величину h11.Э, которая много меньше второго слагаемого в знаменателе, поэтому KU 1 и может состав- лять (0,9 ¸ 0,99). По величине KU определяется необходимое для управления каскадом UВХ или еГ по величине Kе.

Применение каскада с ОК.

Недостатком каскада с ОК является KU 1, преимуществом по срав- нения с каскадом с ОЭ высокое входное и низкое выходное сопротивле- ния. Каскад с ОК применяется в качестве согласующего, или в качестве входного каскада усилителя для повышения его входного сопротивления и, при низкоомной нагрузке в качестве выходного каскада для уменьшения выходного сопротивления.

Рассмотрим на примере преимущества каскада с ОК.

Пусть RГ = 103 Ом; еГ = 1 В. При усилении сигнала каскадом с ОЭ с KU = 100 и RВХ = 10 Ом при RН = , получим

UВЫХ .ХХ = еГ × Kе =

еГ ×γ ВХ × KU = еГ ×

RВХ

 

× KU ;

R + R

 

 

 

 

 

10

 

 

ВХ

Г

UВЫХ .ХХ =1

×

 

 

×100

= 0,99 В;

 

 

10

+1000

 

 

 

 

 

 

 

 

 

т.е. фактически усиления каскада по напряжению не произошло, несмотря

на то, что каскад с ОЭ имеет высокий KU.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Пусть теперь входным каскадом является каскад с ОК с RВХ = 105 Ом и

KU 1.

 

 

 

 

 

 

 

RВХ

 

 

UВЫХ .ХХ .ОК = еГ × Kе = еГ ×γ ВХ × KU = еГ ×

 

 

× KU ;

R + R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ВХ

Г

UВЫХ .ХХ .ОК =1×

105

 

 

×1= 0,99 В.

 

 

105 +103

 

 

Это напряжение является для следующего каскада с ОЭ.

Пусть RВЫХ.ОК = RГ = 10 Ом. Тогда на выходе каскада с ОЭ

UВЫХ .ХХ =UВЫХ .ХХ .ОК ×

 

 

RВХ

 

 

× KU ;

 

 

R

 

+ R

Г

 

 

 

 

10

 

ВХ

 

 

 

 

 

UВЫХ .ХХ = 0,99 ×

 

×100 = 49,5 В.

 

 

10 +10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таким образом, использование каскада с ОК в качестве входного су- щественно повышает эффективность работы всех последующих каскадов. Строго говоря, того же эффекта можно было достичь применением двух каскадов с ОЭ.

Есть и второе важное преимущество использования каскада с ОК: ко- эффициент Kе усилителя становится независимым от RГ, что повышает уни-

34

 

 

 

 

версальность усилителя. Аналогичный анализ можно провести для выход-

ной цепи при малом RН.

 

 

 

 

2.4 Каскад с общей базой

 

 

 

 

Каскад с общей базой (ОБ) не инвертирует сигнал, KU >> 1, KI < 1,

имеет входное сопротивление RВХ.ОБ < RВХ.ОЭ,

выходное

сопротивление

RВЫХ.ОБ RВЫХ.ОЭ. Преимуществом каскада с ОБ является большая предель-

ная частота транзистора fПР.ОБ > fПР.ОЭ. Вторым преимуществом является

большая линейность выходных ВАХ транзистора (рис. 2.15), что позволяет

при том же типе транзистора обеспечить большой размах неискаженного

выходного сигнала. С появлением высокочастотных и мощных транзисто-

ров, эти преимущества потеряли свою актуальность. Каскад с ОБ находит

ограниченное применение в схемах усиления мощности. Каскад охвачен

100 % параллельно-последовательной (параллельной по току) отрицатель-

ной обратной связью.

 

 

 

 

Каскад с общей базой (ОБ) получил такое название из-за того, что ба-

за транзистора является общей для входной и выходной цепей для перемен-

ной составляющей (для сигнала). Например, у каскада, схема которого при-

ведена на рис. 2.16, база через малое сопротивление конденсатора СР2 со-

единена по переменной составляющей с общей точкой (с корпусом) и, та-

ким образом, является общей для входной и выходной цепей. Емкость кон-

денсатора СР2 специально подбирается такой, чтобы ее сопротивление в ра-

бочем диапазоне частот было приблизительно равно нулю (XCр2 ≈ 0).

 

IД

 

 

–EК

 

 

 

 

IК

R1

RК

Cр3

 

 

 

 

 

 

IК.П

 

 

 

 

 

Cр2

IБ.П

 

 

 

Cр1

VT1 UКЭ.П

RН

 

 

UБЭ.П

 

 

Uвх

R2 UЭ.П

RЭ

 

СЭ

UКБ

 

 

 

 

Рис. 2.15

Рис. 2.16

 

 

 

Назначение элементов каскада. Резисторы R1 и R2 задают потенциал

базы в режиме покоя каскада (в отсутствие сигнала) и, следовательно, уча-

ствуют в задании положения точки покоя на линии нагрузки.

 

 

35

Резистор RК задает, совместно с источником питания, положение ли- нии нагрузки, служит для выделения выходного сигнала и, одновременно, определяет коэффициент усиления каскада.

Резистор RЭ в цепи эмиттера предназначен для термостабилизации режима работы каскада. При повышении температуры транзистора увели- чивается ток покоя коллектора за счет возрастания числа неосновных носи- телей заряда в полупроводнике. Это вызывает смещение точки покоя на ли- нии нагрузки, что может вызвать нарушение нормальной работы усили- тельного каскада. Термостабилизация происходит следующим образом: при увеличении температуры увеличивается ток покоя коллектора IК0. Это ведет к увеличению напряжения на резисторе RЭ (URЭ = RЭIК0). Поскольку сопро- тивления R1 и R2 практически не зависят от температуры, постоянное на- пряжение базы покоя UБ.П при изменении температуры не изменится. Тогда, согласно уравнению, записанному по 2-му закону Кирхгофа для контура R2, UБЭ.П, RЭ, напряжение база-эмиттер UБЭ.П уменьшится, что приведет к уменьшению тока покоя коллектора. Уменьшение тока покоя коллектора за счет действия резистора RЭ не может полностью скомпенсировать его рост за счет повышения температуры, но влияние температуры на ток IК0 при этом во много раз снижается.

Резистор RЭ совместно с базовым делителем, состоящим из сопротив- лений R1 и R2 участвует в создании начального смещения UБЭ.П. Применение резистора RЭ для термостабилизации ведет к уменьшению коэффициента усиления каскада из-за возникающей при этом отрицательной обратной свя- зи. Конденсатор СР1 разделяет по постоянному току источник сигнала и усилительный каскад. Конденсатор СР3 разделяет по постоянному току уси- лительный каскад и нагрузку.

Сравнение параметров каскадов приведено в табл. 2.1.

 

 

 

 

 

Таблица 2.1

Схема

RВХ

RВЫХ

KU

KI

Инверсия

ОЭ

h11.Э

RК

>> 1

>> 1

да

ОК

>> RВХ.ОЭ

<< RВХ.ОЭ

1

>> 1

нет

ОБ

= RВХ.ОЭ

= RВХ.ОЭ

>> 1

1

нет

При сравнении параметров необходимо выполнить сравнение харак- теристик каскадов: амплитудных, амплитудно-частотных, фазо-частотных и т.д.

 

 

 

 

36

 

 

 

 

2.5 Усилительный каскад с общим истоком

 

 

Назначение элементов и работа схемы

 

 

 

Рассмотрим работу каскада с общим истоком (ОИ) на полевом тран-

зисторе с p-n-переходом и каналом n-типа. Простейшая схема каскада пред-

ставлена на рис. 2.17. Резистор и выходная цепь транзистора образуют рези-

стивный делитель. Резисторы RИ и RЗ служат для задания тока покоя. Поле-

вой транзистор управляется напряжением, причем для задания режима по-

коя выходной цепи (точки покоя П) UСИ.П, IС.П во входную цепь необходимо

подать отрицательное смещение UЗИ.П < 0 (рис. 2.18).

организуется

 

 

 

 

 

Это

смещение

 

 

 

+EС

следующим образом: на резисторе

 

 

RС

 

RИ от протекания тока IС.П = IИ.П вы-

 

 

Cр1

деляется

падение

напряжения

 

 

 

UИ.П > 0. Резистор RЗ подает потен-

 

 

 

 

 

 

 

 

циал общей точки схемы на затвор

 

 

 

 

(UЗ.П = 0). В результате

 

 

 

VT1

 

 

UЗИ.П = UЗ.П UИ.П < 0.

 

UЗИ.П

UСИ.П

RН

Сопротивление RИ выбирают

 

 

 

Uвх

RЗ U

R

СИ

так,

чтобы IС.П · RИ =

UЗИ.П. Со-

противление RЗ выбирают на один

 

И.П

И

 

 

IС.П

 

два порядка меньше.

 

 

 

 

 

 

Входное сопротивление поле-

 

Рис. 2.17

 

вого транзистора RВХ.ПТ велико, со-

 

 

 

 

ставляет сотни тысячи мега Ом.

UЗИ=0

IС

IС

А

UЗИ<0

A/

IC.П

П

/

 

 

П

=

ЕС

UСИ

UВЫХ.ХХ.М

UСИ

–UЗИ

UЗИ.П

UЗИ.MIN

 

 

 

 

+

 

 

 

 

UBX.M

 

 

 

 

 

Рис. 2.18

37

Чтобы исключить влияние температуры на входное сопротивление каскада, обычно задают RЗ = (1 ¸ 2) МОм.

Резистор RИ одновременно является звеном температурной стабили-

зации режима покоя. При ↑Т, IС.П, UИ.П, ↑│UЗИ.П│ и ↓IС.П. Для исключения влияния RИ на параметры каскада по переменному току резистор RИ шунти-

руют емкостью СИ. В процессе работы схемы UСИ практически не меняется,

так что UИП = const.

В схеме отсутствует разделительный конденсатор во входной цепи, т.к. цепь для протекания тока от ЕС по цепи еГ RГ отсутствует.

Рассмотрим реакцию схемы на подачу синусоидального входного сигнала при RН = . Пусть UВХ > 0. Это напряжение подается на затвор и UЗ > 0. Тогда

UЗИ = UЗ UИП

остается меньше нуля, но │UЗИ< UЗИ.П. Здесь важно подчеркнуть, что

UИ = UИП = const,

т.к. по RИ протекает постоянная составляющая IИ, а переменная замыкается по СИ. Емкость СИ выбирается большой, так чтобы при усилении сигнала

UС = UИ = const = UИП.

Изменение UЗИ вызывает увеличение тока IС (до точки А/ на стоко затворной ВАХ). Рабочая точка выходной цепи перемещается по нагрузоч-

ной прямой до пересечения со стоковой ВАХ, снятой при UЗИ = UЗИ.MIN (точка А). Напряжение UСИ уменьшается относительно UСИ.П. Напряжение в

точке подключения нагрузки при этом

UН = UСИ UСИ.П < 0,

т.е. на выходе схемы формируется отрицательная полуволна сигнала. Каскад с ОИ, подобно каскаду с ОЭ, инвертирует входной сигнал.

Расчет каскада с ОИ по постоянному току

Исходными данными являются UВЫХ.М и RН.

1) Задают RС = (3 ¸ 5) RН. По переменному току сопротивления RС и

RН включены параллельно.

UВЫХ .М .

2) Определяется IC.M =

 

RC P RH

3) Задаются координаты точки покоя выходной цепи

IC.П > IC.M ; UСИ.П ³UВЫХ .М + DUСИ

4) Для обеспечения высокой температурной стабильности режима покоя задают UИП = (0,1 – 0,3) ЕС, тогда напряжение питания схемы опреде-

ляют выражением

Е =

IC × RC +UСИ.П

.

С

0,7 ¸ 0,9

 

 

 

5) Выдирается транзистор из условий

38

UСИ. ДОП > ЕС ; IC. ДОП > IC.П + IC.М ; РMAX >UCИ.П × IC.П .

Частотные свойства полевого транзистора описываются частотой fS,

информация о ее конкретной величине для данного типа транзистора в справочной литературе отсутствует. На частотные свойства каскадов на по-

левых транзисторах существенное влияние оказывают междуэлектродные емкости, поэтому полевые транзисторы выбираются с большим запасом по частоте. Оценить возможную величину fS можно по условному обозначе- нию типа транзистора, в котором третий элемент несет информацию о его частотных свойствах. Классификация полевых транзисторов по частотным свойствам представлена в табл. 2.2.

 

 

 

Таблица 2.2

Предельная частота

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

малая

средняя

большая

транзистора, МГц

РМАХ 0,3

0,3 < РМАХ 1,5

РМАХ > 1,5

 

Низкая fS 3

1

4

7

Средняя 3 < fS 30

2

5

8

Высокая fS > 30

3

6

9

РМАХ это максимальная мощность, рассеиваемая в полевом транзи- сторе (мощность рассеивается во всем канале).

6) По стоко затворной ВАХ определяется UЗИ.П. В рассматриваемой схеме │UЗИ.П= UИП = (0,1 ¸ 0,3) ЕС. Практически никогда не удается обес- печить UИП равным требуемому │UЗИ.П. Уменьшение UИП ухудшает тем- пературную стабильность каскада, поэтому входную цепь каскада выпол- няют, как показано на рис. 2.19.

Определяют

 

UЗ.П =UИП

 

UЗИ.П

 

;

 

 

 

 

 

 

UЗ.П = I Д × R2 =

 

 

 

EC

 

× R2

,

R1

+ R2

 

тогда

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

EC

× R2

=UИП

-

 

UЗИ.П

 

;

 

 

 

 

R1 + R2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

EC × R2 = (UИП - UЗИ.П )×(R1 + R2 ),

откуда

EC × R2

 

R1 = UИП - UЗИ.П

- R2 .

Организуется делитель R1 R2. Через него протекает ток делителя IД. На сопротивлении R2 выделяется напряжение UЗ.П.

 

 

 

 

 

 

39

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+EК

 

 

Для защиты цепи источни-

 

 

 

 

 

 

 

ка сигнала от протекания тока от

 

 

R1

 

RС

Cр2

 

ЕС

применен

разделительный

 

 

 

 

 

 

конденсатор СР1. Резистор R2

 

 

 

 

 

 

 

 

Cр1

 

 

 

 

 

выбирают равным (1÷2) МОм, а

 

 

 

 

 

 

R1 рассчитывают из следующих

 

 

 

 

VT1

 

 

соображений

 

 

 

 

UЗИ.П

UСИ.П

RН

 

UЗИ.П = UЗ.П UИ.П ,

 

 

 

 

 

 

 

UВХ

UЗ.П

R2

U

R

СИ

 

 

7) Сопротивление RИ опре-

 

 

 

И.П

И

 

деляется по формуле R

= UИП .

 

 

 

 

IС.П

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

И

IС.П

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IД

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 2.19

 

 

 

 

 

 

Расчет каскада с ОИ по переменному току

Расчет производится по схеме замещения каскада по переменному то- ку. Линейная схема замещения полевого транзистора имеет вид (рис. 2.20).

Входное сопротивление полевого транзистора RВХ.ПТ составляет 10 ÷ 103 МОм, его влиянием на работу транзистора и каскада пренебрегают, схема замещения приобретает вид (рис. 2.21).

З

С

С

 

IC =S·UЗИ

IC =S·UЗИ

RВХ.ПТ

ri

ri

И

И

Рис. 2.20

Рис. 2.21

Параметры схемы замещения S и ri определяются по ВАХ транзистора в окрестностях точки покоя (по стоковой ВАХ, соответствующей

UЗИ = UЗИ.П )

Статическая крутизна S =

IC

,

 

 

 

 

 

 

 

 

UЗC

UCИ

 

 

Внутреннее сопротивление канала ri =

 

.

 

 

 

IC

 

UЗИ = UЗИ.П

 

 

 

 

Схема замещения каскада с ОИ имеет вид (рис. 2.22). На схеме обо- значено RД = R1 R2.

40

IВХ=IГ

 

+

 

IC =S·UЗИ

 

RГ

 

 

 

UВХ

RД

ri

 

RН UН

+

 

 

 

 

 

 

еГ

 

 

IС

IН

 

– –

IД

+

 

 

 

 

 

Рис. 2.22

 

 

По схеме замещения определяются

RBX = UIBX = RД = R1 P R2 ;

Г

т.к. R1 >> R2, то RВХ близко к R2, т.е. имеется возможность задавать RВХ кас- када в широких пределах. Высокое RВХ является преимуществом каскада с ОИ перед каскадом на биполярных транзисторах.

Выходное сопротивление

RBЫX = RС P ri

сравнимо при том же RН с RВЫХ каскада с ОЭ.

Коэффициент усиления по напряжению

KU =

UH

=

UH

=

IC ×(ri P RC P RH )

=

S ×UЗИ ×(ri P RC P RH )

= S × (ri P RC P RH ) .

 

 

 

 

UBX

UЗИ

UЗИ

UЗИ

Поскольку крутизна S для маломощных полевых транзисторов может составлять 1 ¸ 10 мА/В, КU >> 1 достигается при больших значениях RН (бо- лее 1 ¸ 10 кОм).

Коэффициент усиления по току КI для каскада на полевых транзисто- рах не определяют, т.к. IГ 0, поэтому КI → ∞.

По КU

определяют UBX .M = UBЫX .M , т.к. γ BX =

RBX

®1, т.к. для

 

 

KU

RГ + RBX

реальных источников сигналов RГ << RВХ, поэтому Ке = КU. Каскад с ОИ применяется в качестве каскада предварительного усиления и входного кас- када усилителя. Если каскад с ОИ является нагрузкой другого КПУ, то со- противления RК (ОЭ), RЭ (ОК) и RИ (ОИ) выбираются не из условия Ri = (3 ¸ 5) RН (при этом напряжение питания получается недопустимо большим, т.к. Ii.мало, но Ii.П приходится задавать большим, чтобы обеспе- чить линейный режим работы на входной ВАХ), а произвольно, исходя из обеспечения высокого КU при малом ЕС.