3.1.3 Варианты контрольных заданий

Вариант 1

Оценка параметров эмиттерного слоя диффузионной структуры (по методу тройной диффузии). Толщина слоя — 2 мкм. Поверхностная концентрация примеси в слое (n-тип) 10²⁰ см^–3. Поверхностная концентрация в базовом слое — 10¹⁸ см^–3. Глубинный переход эмиттер-база образован при концентрации доноров — 10¹⁷ см^–3. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?

Вариант 2

Оценка параметров базового слоя диффузионной структуры (по методу тройной диффузии, эмиттерный слой отсутствует). Толщина слоя — 3 мкм. Поверхностная концентрация примеси в слое (р-тип) 10¹⁸ см^–3. Поверхностная концентрация в коллекторном слое — 10¹⁷ см^–3. Глубинный переход коллектор-база образован при концентрации доноров — 10¹⁶ см³. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?

Вариант 3

Оценка параметров коллекторного слоя диффузионной структуры (по методу тройной диффузии, базовый слой отсутствует). Толщина слоя — 6 мкм. Поверхностная концентрация примеси в слое (n-тип) 10¹⁷ см^–3. Концентрация примеси в подложке — 10¹⁵ см^–3. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?

Вариант 4

Оценка параметров базового слоя под эмиттером диффузионной структуры (по методу тройной диффузии). Толщина ограниченного слоя базы — 1 мкм. Поверхностная концентрация примеси в эмиттерном слое (n-тип) — 10²⁰ см^–3.Поверхностная концентрация примеси базового слоя (р-тип) — 10¹⁸ см^–3. Поверхностная концентрация примеси в коллекторном слое — 10¹⁷ см^–3. Переход эмиттер-база образован на глубине 2 мкм при концентрации доноров — 10¹⁷ см–3. Переход коллектор-база на глубине 3 мкм образован при концентрации доноров — 10¹⁶ см^–3. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?

Вариант 5

Оценка параметров коллекторного слоя под базой диффузионной структуры (по методу тройной диффузии). Толщина ограниченного слоя — 3 мкм. Поверхностная концентрация примеси в базовом слое (р-тип) 10¹⁸ см^–3. Поверхностная концентрация в коллекторном слое — 10¹⁷ см^–3. Переход коллектор-база на глубине 3 мкм образован при концентрации доноров — 10¹⁶ см³. Переход коллектор-подложка на глубине 6 мкм образован при концентрации доноров — 10¹⁵ см^–3. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?

Вариант 6

Оценка параметров эмиттерного слоя n-типа структуры ЭПСК. Толщина слоя — 1 мкм. Поверхностная концентрация примеси в слое — 10²⁰ см^–3. Поверхностная концентрация в базовом слое — 10¹⁸ см^–3. Глубинный переход эмиттер-база образован при концентрации доноров — 2·10¹⁷ см³. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?

Вариант 7

Оценка параметров базового слоя структуры ЭПСК. Концентрация примеси на поверхности — 10¹⁸ см^–3. Толщина слоя — 2 мкм. Тип проводимости — дырочный. Концентрация примеси в коллекторном слое — 10¹⁷ см^–3. Электрическая прочность? Сопротивление квадрата? Удельная емкость?

Вариант 8

Оценка параметров базового слоя под эмиттером структуры ЭПСК. Концентрация примеси на поверхности эмиттера — 10²⁰ см^–3. Концентрация примеси на поверхности базы — 10¹⁸ см^–3. Толщина ограниченного базового слоя — 1 мкм. Толщина эмиттера — 1 мкм. Тип проводимости базы — дырочный. Концентрация примеси в коллекторном слое — 10¹⁷ см^–3. Электрическая прочность? Сопротивление квадрата? Удельная емкость?

Вариант 9

Оценка параметров коллекторного слоя (без базового слоя) структуры ЭПСК. Концентрация примеси в слое (n-тип) — 10¹⁷ см^–3. Толщина слоя — 8 мкм. Глубина разделительной диффузии — 10 мкм. Концентрация примеси в подложке — 10¹⁵ см^–3. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?

Вариант 10

Оценка параметров коллекторного слоя под базой структуры ЭПСК. Концентрация примеси в слое (n-тип) — 10¹⁷ см^–3. Толщина слоя вне топологии базы — 8 мкм. Глубина разделительной диффузии — 10 мкм. Концентрация примеси на поверхности разделительной области — 10¹⁸ см^–3. Концентрация примеси на поверхности базовой области — 10¹⁸ см^–3. Глубинный переход коллектор-база на координате 3 мкм. Концентрация примеси в подложке — 10¹⁵ см^–3. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?

Вариант 11

Оценка параметров скрытого коллекторного слоя структуры ЭПСК (со скрытым слоем в коллекторе). Максимальная концентрация примеси в слое (n-тип) — 10¹⁸ см^–3. Толщины эпитаксиального (ЭПС) и скрытого слоёв — по 8 мкм. Глубина разделительной диффузии — 10 мкм. Концентрация примеси в ЭПС-слое — 10¹⁷ см^–3. Концентрация на поверхности разделительной области –10¹⁸ см^–3. Глубинный переход коллектор-база на координате 3 мкм. Концентрация примеси в подложке — 10¹⁵ см^–3. Электрическая прочность изоляции? Удельная емкость изоляции? Сопротивление квадрата?

Вариант 12

Оценка параметров эмиттерного слоя структуры ЭПСБ. Толщина слоя — 0,5 мкм. Поверхностная концентрация примеси в эмиттерном слое (n-тип) — 10²⁰ см^–3. Концентрация примеси в базовом слое — 10¹⁸ см^–3. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?

Вариант 13

Оценка параметров базового слоя (без эмиттерного слоя) структуры ЭПСБ. Концентрация примеси в слое базы (р-тип) 10¹⁸ см^–3. Максимальная концентрация в скрытом коллекторном слое (n-тип) — 10¹⁹ см^–3. Толщина базового слоя — 2 мкм. Толщина ЭПС-слоя — 3 мкм. Поверхностная концентрация разделительной области — 10¹⁹ см^–3. Глубина разделительной диффузии — 3 мкм. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?

Вариант 14

Оценка параметров базового слоя под эмиттером структуры ЭПСБ. Концентрация примеси в слое базы (р-тип) — 10¹⁷ см^–3. Максимальная концентрация в скрытом коллекторном слое (n-тип) — 10¹⁸ см^–3. Толщина базового слоя за пределами топологии эмиттера — 2 мкм. Толщина ЭПС-слоя — 3 мкм. Поверхностная концентрация примеси в эмиттере — 10¹⁹ см^–3. Толщина эмиттера — 1 мкм. Поверхностная концентрация разделительной области — 10¹⁸ см^–3. Глубина разделительной диффузии — 3 мкм. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?

Вариант 15

Оценка параметров коллекторного слоя структуры ЭПСБ. Концентрация примеси в базовом слое (р-тип) 10¹⁸ см^–3. Максимальная концентрация в скрытом коллекторном слое (n-тип) — 10¹⁹ см^–3. Толщина базового слоя за пределами топологии эмиттера — 2 мкм. Толщина ЭПС-слоя — 3 мкм. Поверхностная концентрация разделительной области — 10¹⁹ см^–3. Глубина разделительной диффузии — 3 мкм. Концентрация примеси в подложке — 10¹⁶ см^–3. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?

Вариант 16

Оценка параметров эмиттерного слоя структуры КВД. Толщина слоя — 0,5 мкм. Поверхностная концентрация примеси в слое (n-тип) 10²⁰ см^–3. Поверхностная концентрация в диффузионном базовом слое — 10¹⁸ см^–3. Глубинный переход эмиттер-база образован при концентрации доноров — 2·10¹⁷ см³. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?

Вариант 17

Оценка параметров базового слоя (без эмиттерного слоя) структуры КВД. Поверхностная концентрация примеси диффузионного слоя базы (р-тип) — 10¹⁸ см^–3. Концентрация в коллекторном монослое (n-тип) — 10¹⁷ см^–3. Толщина базового слоя — 2 мкм. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?

Вариант 18

Оценка параметров базового слоя под эмиттерным структуры КВД. Концентрация примеси на поверхности базы — 10¹⁸  см^–3. Толщина слоя базы под эмиттером — 1,5 мкм. Поверхностная концентрация примеси эмиттерного слоя — 10¹⁹ см^–3. Толщина эмиттера — 0,5мкм. Тип проводимости базы — дырочный. Концентрация примеси в коллекторном монослое — 10¹⁷ см^–3. Электрическая прочность? Сопротивление квадрата? Удельная емкость?

Варинт 19

Оценка параметров коллекторного слоя под базовым слоем структуры КВД. Концентрация примеси в коллекторном монослое (n-тип) — 10¹⁷ см^–3. Толщина слоя коллектора под базой — 4 мкм. Концентрация примеси на поверхности базовой области — 10¹⁸ см^–3. Глубинный переход коллектор-база на координате 2 мкм. Диэлектрик изоляции — SiO2. Толщина слоя — 0,5 мкм. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?

Вариант 20

Оценка параметров коллекторного слоя со скрытым эпитаксиальным слоем коллектора структуры КВД. Концентрация примеси в коллекторном монослое — 10¹⁸ см^–3. Толщина коллекторного монослоя — 3 мкм. Концентрация примеси в эпитаксиальном слое (n-тип) — 10¹⁹ см^–3. Толщина эпитаксиального слоя — 2 мкм. Диэлектрик изоляции — SiO2. Толщина слоя — 0,3 мкм. Электрическая прочность? Удельная емкость? Сопротивление квадрата?