МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики" МГТУМИРЭА
	Факультет радиотехнических и телекоммуникационных систем
	Кафедра конструирования и производства радиоэлектронных средств (КПРЭС)

КУРСОВОЙ ПРОЕКТ
по дисциплине
«Интегральные устройства РЭС»
Тема курсового проекта: «РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИИ И ТЕХНОЛОГИИ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХИМС ЧАСТНОГО ПРИМЕНЕНИЯ»
Студент группы РП-1-09	Шаталин А.Ф.
Руководитель курсовой работы Доцент, кандидат технических наук	Мушинский А.А.

Работа представлена к защите	«__»_______2013 г.
«Допущен к защите»	«__»_______2013 г.

Москва 2013

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ, ЭЛЕКТРОНИКИ И АВТОМАТИКИ

(ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

----------------------------------------------------------

Кафедра конструирования и производства радиоэлектронных средств

З А Д А Н И Е

на курсовой проект

Интегральные устройства радиоэлектроники

Студенту : Шаталин А.Ф.. шифр: 091353

Курс: 4 факультет РТС группа: РП-1-09

Дата выдачи задания: 21 февраля 2013г. Дата защиты _____________

Тема: РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИИ И ТЕХНОЛОГИИ

Тонкопленочной имс частного применения

Исходные данные:

1. Наименование : Дифференциальный усилитель

2. Схема принципиальная электрическая: МРАГ.978624.001 Э3 (8-5-1)

3. Краткие электрические характеристики:

Напряжение питания 12В Дополнительные

Частотный диапазон 250…400 МГц данные:

Тип транзисторов: КТ331

Тип диодов: КД913

Тип корпуса: металлостеклянный ________________

4. Габаритные размеры: минимальные

5. Температурный диапазон : -60°С…125°С

6. Дополнительные требования : _________________________________________

7. Программа выпуска : 1000 шт.

Руководитель ________________________

Исполнитель _______________________

Оглавление

I.Анализ задания 4

1.Исходные данные 4

2.Анализ предназначения устройства 5

3.Анализ элементов схемы 5

4.Поверочные расчёты 6

II.Расчёт тонкоплёночных элементов 8

1.Расчёт тонкоплёночных резисторов 8

Вычисление коэффициентов формы резисторов. 12

Расчет геометрических размеров. 12

Расчет геометрических размеров с Кф≥1 12

2.6.2. Расчет геометрических размеров с 0,1≤Кф<1. 13

Расчет толстопленочных резисторов. 18

1.Разбивка резисторов на группы. 18

2. Определение оптимального значения удельного сопротивления резистивной пасты для каждой группы. 18

3. Выбор резистивной пасты для каждой группы. 18

4. Определение коэффициентов формы резисторов. 19

5.1. Определение ширины. 21

5.2. Определение длины. 21

6. Расчет геометрических параметров резисторов с Кф<1. 22

7. Определение длин резисторов с учетом перекрытия. 23

2.Расчет тонкопленочных конденсаторов. 24

Определение расчетной емкости конденсатора. 28

4.8. Определение активной площади пленочного конденсатора. 28

4.9. Определение размеров верхней обкладки конденсатора. 29

4.10. Определение размеров нижней обкладки конденсатора. 29

4.11. Определение размера диэлектрического слоя. 29

4.12. Определение площади, занимаемой конденсатором на подложке. 29

4.13 Поверочный расчет. 30

4.14 Таблица результатов. 30

Расчет толстопленочных конденсаторов. 31

1. Анализ задания

1. Исходные данные

• Схема электрическая принципиальная

1. Электрическая принципиальная схема.

• Номиналы Резисторов и конденсаторов

№	Резисторы			Конденсаторы
	Ri, Ом	Gr, %	Ci, пФ		Gc, %
1	10000	10	1000		10
2	22000	2	1600		2
3	1300	10	3300		10
4	390	10	150		10
5	390	10	2200		10
6	300	10
7	300	10
8	220	10
9	680	10
10	82	10
11	3300	10

• Параметры транзистора:

КТ331

I_{k max}= 20 мА

I_{б max}= 1 мА

T_max= 90°C

T_min= -60°C

Диод КД913, указанный в задании, исключён из рассмотрения, ввиду отсутствия диодов на принципиальной схеме.