Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Курсовой проект(doc).doc
Скачиваний:
62
Добавлен:
20.04.2015
Размер:
844.29 Кб
Скачать

3.5 Эффект Холла

Большинство современных датчиков, которые используются в автомобилестроениях для измерения скорости, основаны на эффекте Холла.

Эффектом Холла называется появление в провод­нике с током плотностью j, помещён­ном в магнитное полеН, электрического поляЕх, перпендикулярногоНиj. При этом на­пряжённость электрического поля, называемого ещё полем Холла, равна

Ex = RHj sin , (1):

Рис 1.1

где угол между векторамиНиJ (<180°). КогдаHj, то величина поля ХоллаЕх максимальна:Ex = RHj. Ве­личинаR, называемая коэффициентом Холла, является основной характеристикой эффекта Холла. Эффект открыт Эдвином Гербертом Холлом в 1879 в тонких пла­стинках золота. Для наблюдения Холла эффекта вдоль прямоугольных пластин из иссле­дуемых веществ, длина которыхlзначитель­но больше шириныbи толщиныd, про­пускается ток:

I = jbd(см. рис.);

здесь маг­нитное поле перпендикулярно плоскос­ти пластинки. На середине боковых граней, перпендикулярно току, распо­ложены электроды, между которыми из­меряется ЭДС Холла Vx:

Vx = Ехb = RHjd. (2)

Так как ЭДС Холла меняет знак на обратный при изменении направления магнитного поля на обратное, то Холла эффект относится к не­чётным гальваномагнитным явлениям.

Простейшая теория Холла эффекта объясняет появление ЭДС Холла взаимодействием носителей тока (электронов проводимости и дырок) с магнитным полем. Под дейст­вием электрического поля носители заряда приобретают направленное движе­ние (дрейф), средняя скорость которого (дрейфовая скорость) vдр0. Плотность тока в проводникеj = n*evдр, гдеn — концентрация чи­сла носителей,е — их заряд. При наложе­нии магнитного поля на носители действу­ет Лоренца сила:F = e[Hvдp], под действием которой частицы отклоняются в направлении, перпендикулярномvдр иН. В результате в обеих гранях провод­ника конечных размеров происходит на­копление заряда и возникает электростатическое поле — поле Холла. В свою очередь поле Холла действует на заряды и урав­новешивает силу Лоренца. В условиях равновесияeEx = еНvдр,Ex =1/ne Hj, отсюдаR = 1/ne(cмз/кулон). ЗнакRсов­падает со знаком носителей тока. Для металлов, у которых концентрация носи­телей (электронов проводимости) близка к плотности атомов (n1022См-3),R~10-3(см3/кулон), у полупроводников кон­центрация носителей значительно меньше иR~105(см3/кулон). Коэффициент ХоллаRмо­жет быть выражен через подвижность носителей заряда = е/m*и удельную электропроводность = j/E = еnvлр:

R=/ (3)

Здесь m*— эффективная масса носи­телей, — среднее время между двумя последовательными соударениями с рассеивающи­ми центрами.

Иногда при описании Холла эффекта вводят угол Холла между токомjи направлением суммарного поляЕ:tg= Ex/E=, где— циклотронная частота носи­телей заряда. В слабых полях(<<1)угол Холла, можно рассматривать как угол, на который отклоняется движу­щийся заряд за время. Приведённая те­ория справедлива для изотропного про­водника (в частности, для поликристал­ла), у которогоm*иих— постоянные вели­чины. Коэффициент Холла (для изотроп­ных полупроводников) выражается через парциальные проводимостиэиди концентрации электроновnэи дырокnд:

(a) для слабых полей

(4)

(б) для сильных полей.

При nэ = nд, = nдля всей области магнитных полей :

,

а знак Rуказывает на преобладающий тип про­водимости.

Для металлов величина Rзависит от зонной структуры и формы Ферми поверхности. В случае замкнутых по­верхностей Ферми и в сильных магнит­ных полях(»1)коэффициент Холла изо­тропен, а выражения дляR совпадают с формулой 4,б. Для открытых поверхно­стей Ферми коэффициентRанизотропен. Одна­ко, если направлениеНотносительно кристаллографических осей выбрано так, что не возникает открытых сечений поверхности Ферми, то выражение дляR аналогич­но 4,б.

Заключение

В работе были рассмотрены общие свойства датчиков измерения скорости и область их применения. Более подробно затрагиваются датчики скорости, объясняется принцип действия на примере конкретных моделей.

Сегодня индустрия полупроводниковых датчиков уже использует второе поколение активных сенсорных технологий, включающих схемы компенсации ошибок и обработки сигнала. Новейшее направление развитие новых цифровых интерфейсов для аналоговых линейных датчиков, оснащенных блоком управления, которые характеризуются как повышенной помехоустойчивостью, так и большей эффективностью коммуникации в реальном времени. Преимуществом датчиков, созданных на основе новых технологий, является их бесконтактность, но, несмотря на это, потенциометры очень не скоро сдадут свои рыночные позиции, поскольку имеют низкую цену и увеличенную надежность.

Список используемой литературы.

  1. «Современные датчики. Справочник» Под ред. Дж. Фрайден,— Млсква: Техносфера,2006.

  2. http://www.freepatent.ru;

  3. Пат. 2150114 Российская Федерация, МПК G01P3/48. Датчик измерения скорости/ Дремов М.В. , Каплунов Г.В., Россия; заявитель и патентообладатель ООО «Счетмаш» . - ; заявл. 30.06.1998; опубл. 20.04.2000.

  4. Пат. 2270452Российская Федерация, МПК G01P3/488. Бесконтактный датчик скорости автомобиля/ Захаров И.С., Яцун С.Ф., Россия; заявитель и патентообладатель «ГОУ КурскГТУ». - ; заявл. 26.01.2004; опубл. 20.02.2006.

  5. Пат. 2260188Российская Федерация, МПК G01P3/488. Бесконтактный датчик скорости автомобиля/ Сысоева С.С., Яцун С.Ф., Россия; заявитель и патентообладатель «ГОУ КурскГТУ» . - ; заявл. 26.01.2004; опубл. 10.09.2005.

  6. http://www.luksavtoservis.ru/ds.html;

  7. https://blamper.ru/auto/wiki/salon/spidometr-3660

  8. https://wikipedia.ru/wiki/

Изм.

Лист

документа

Подпись

Дата

КР УЛГТУ-20010062 12/437-2014 ПЗ

стр.