- •Реферат
- •1.Патентно-аналитический обзор
- •Регламент поиска
- •1.1 Патент №2150114
- •1.2 Патент №2270452
- •1.3 Патент №2260188
- •2. Техническое задание
- •3. Основная часть
- •3.1 Датчики и их классификация
- •3.2 Общие сведения
- •3.3Спидометр
- •Назначение
- •Устройство и принцип действия
- •Достоинства и недостатки
- •3.4 Какие датчики применяются в современном автомобиле?
- •3.5 Эффект Холла
3.5 Эффект Холла
Большинство современных датчиков, которые используются в автомобилестроениях для измерения скорости, основаны на эффекте Холла.
Эффектом Холла называется появление в проводнике с током плотностью j, помещённом в магнитное полеН, электрического поляЕх, перпендикулярногоНиj. При этом напряжённость электрического поля, называемого ещё полем Холла, равна
Ex = RHj sin , (1):
Рис 1.1
где угол между векторамиНиJ (<180°). КогдаHj, то величина поля ХоллаЕх максимальна:Ex = RHj. ВеличинаR, называемая коэффициентом Холла, является основной характеристикой эффекта Холла. Эффект открыт Эдвином Гербертом Холлом в 1879 в тонких пластинках золота. Для наблюдения Холла эффекта вдоль прямоугольных пластин из исследуемых веществ, длина которыхlзначительно больше шириныbи толщиныd, пропускается ток:
I = jbd(см. рис.);
здесь магнитное поле перпендикулярно плоскости пластинки. На середине боковых граней, перпендикулярно току, расположены электроды, между которыми измеряется ЭДС Холла Vx:
Vx = Ехb = RHjd. (2)
Так как ЭДС Холла меняет знак на обратный при изменении направления магнитного поля на обратное, то Холла эффект относится к нечётным гальваномагнитным явлениям.
Простейшая теория Холла эффекта объясняет появление ЭДС Холла взаимодействием носителей тока (электронов проводимости и дырок) с магнитным полем. Под действием электрического поля носители заряда приобретают направленное движение (дрейф), средняя скорость которого (дрейфовая скорость) vдр0. Плотность тока в проводникеj = n*evдр, гдеn — концентрация числа носителей,е — их заряд. При наложении магнитного поля на носители действует Лоренца сила:F = e[Hvдp], под действием которой частицы отклоняются в направлении, перпендикулярномvдр иН. В результате в обеих гранях проводника конечных размеров происходит накопление заряда и возникает электростатическое поле — поле Холла. В свою очередь поле Холла действует на заряды и уравновешивает силу Лоренца. В условиях равновесияeEx = еНvдр,Ex =1/ne Hj, отсюдаR = 1/ne(cмз/кулон). ЗнакRсовпадает со знаком носителей тока. Для металлов, у которых концентрация носителей (электронов проводимости) близка к плотности атомов (n1022См-3),R~10-3(см3/кулон), у полупроводников концентрация носителей значительно меньше иR~105(см3/кулон). Коэффициент ХоллаRможет быть выражен через подвижность носителей заряда = е/m*и удельную электропроводность = j/E = еnvлр/Е:
R=/ (3)
Здесь m*— эффективная масса носителей, — среднее время между двумя последовательными соударениями с рассеивающими центрами.
Иногда при описании Холла эффекта вводят угол Холла между токомjи направлением суммарного поляЕ:tg= Ex/E=, где— циклотронная частота носителей заряда. В слабых полях(<<1)угол Холла, можно рассматривать как угол, на который отклоняется движущийся заряд за время. Приведённая теория справедлива для изотропного проводника (в частности, для поликристалла), у которогоm*иих— постоянные величины. Коэффициент Холла (для изотропных полупроводников) выражается через парциальные проводимостиэиди концентрации электроновnэи дырокnд:
(a) для слабых полей
(4)
(б) для сильных полей.
При nэ = nд, = nдля всей области магнитных полей :
,
а знак Rуказывает на преобладающий тип проводимости.
Для металлов величина Rзависит от зонной структуры и формы Ферми поверхности. В случае замкнутых поверхностей Ферми и в сильных магнитных полях(»1)коэффициент Холла изотропен, а выражения дляR совпадают с формулой 4,б. Для открытых поверхностей Ферми коэффициентRанизотропен. Однако, если направлениеНотносительно кристаллографических осей выбрано так, что не возникает открытых сечений поверхности Ферми, то выражение дляR аналогично 4,б.
Заключение
В работе были рассмотрены общие свойства датчиков измерения скорости и область их применения. Более подробно затрагиваются датчики скорости, объясняется принцип действия на примере конкретных моделей.
Сегодня индустрия полупроводниковых датчиков уже использует второе поколение активных сенсорных технологий, включающих схемы компенсации ошибок и обработки сигнала. Новейшее направление развитие новых цифровых интерфейсов для аналоговых линейных датчиков, оснащенных блоком управления, которые характеризуются как повышенной помехоустойчивостью, так и большей эффективностью коммуникации в реальном времени. Преимуществом датчиков, созданных на основе новых технологий, является их бесконтактность, но, несмотря на это, потенциометры очень не скоро сдадут свои рыночные позиции, поскольку имеют низкую цену и увеличенную надежность.
Список используемой литературы.
«Современные датчики. Справочник» Под ред. Дж. Фрайден,— Млсква: Техносфера,2006.
http://www.freepatent.ru;
Пат. 2150114 Российская Федерация, МПК G01P3/48. Датчик измерения скорости/ Дремов М.В. , Каплунов Г.В., Россия; заявитель и патентообладатель ООО «Счетмаш» . - ; заявл. 30.06.1998; опубл. 20.04.2000.
Пат. 2270452Российская Федерация, МПК G01P3/488. Бесконтактный датчик скорости автомобиля/ Захаров И.С., Яцун С.Ф., Россия; заявитель и патентообладатель «ГОУ КурскГТУ». - ; заявл. 26.01.2004; опубл. 20.02.2006.
Пат. 2260188Российская Федерация, МПК G01P3/488. Бесконтактный датчик скорости автомобиля/ Сысоева С.С., Яцун С.Ф., Россия; заявитель и патентообладатель «ГОУ КурскГТУ» . - ; заявл. 26.01.2004; опубл. 10.09.2005.
http://www.luksavtoservis.ru/ds.html;
https://blamper.ru/auto/wiki/salon/spidometr-3660
https://wikipedia.ru/wiki/
Изм. Лист №
документа Подпись Дата КР
УЛГТУ-20010062 12/437-2014
ПЗ
стр.