Шпоры по предм Физика Хим Полупроводников (Шерченков ЭТМ 3) / Шпоры по предм Физика Хим Полупроводников (Шерченков ЭТМ 3) / Шпоры по отдельности / 19

19. Критерий образования примесной зоны.

Локальность примесных уровней имеет место до тех пор, пока примеси расположены на большом расстоянии друг от друга, т.е. пока их мало в кристалле. При увеличении их концентрации расстояние между примесными атомами уменьшается и при некоторой концентрации примесей возникает перекрытие орбит е в соседних приметных атомах. Происходит их обобществление и приместные уровни сливаются в приметную зону. Если приметные атомы распределяются в решетке кристалла строго на равных расстояниях друг от друга, то расстояние между ними равно a_n=1/, N- число атомов в 1см³. При случайно хаотическом распределении N атомов примеси, среднее расстояние между ними уменьшается в 0.7 раз в данном случае. a_n=0.7/. В тоже время, радиус электронной орбиты водородоподобного атома увеличится и будет равен

Где а₀ – радиус первой боровской орбиты атома водорода.

Перекрытие волновых функций е в соседних атомах примеси произойдет при условии а_n=r. N – концентрация при которой начинается образование примесной зоны [см^-3]