Шпоры по предм Физика Хим Полупроводников (Шерченков ЭТМ 3) / Шпоры по предм Физика Хим Полупроводников (Шерченков ЭТМ 3) / Шпоры по отдельности / 15

15. Закон действующих масс для носителей заряд. В п/п.

Из соотношения для уровня ферми в собственном п/п следует,

Сравнивая (2)и(3) получаем

Соотношение (4) - это выражение для закона действующих масс в невырожденном п\п. В невырожденном п\п при данной температуре n*p=const зависящая от св-в п\п через ∆Е m_n* и m_p* .

График зависимости

– практически прямая линия.

Т.к. зависимостью lnT по сравнению с линейным членом можно пренебречь.

Угол наклона этой примой определяется шириной З.З. tgφ= -∆Е/2k; ∆Е=2k*| tgφ|

При Т=300К получаем n_i^Si_=2*10¹⁰ см^-3 n_i^Ge_=2*10¹³ см^-3