Технология СБИС / sbis / metall / met_eli

Металлизация с использованием электронно-лучевого испаренияМеталлизация с использованием

электронно-лучевого испарения Идея метода

Схема установки приведена на рисунке. Горячий катод (Cu) испускает пучок электронов (величина тока порядка 1 А), ускоряемых напряжением 10 кВ. Эти электроны направляются магнитным полем на участок мишени, где располагается испаряемый материал (Al). Траекторию движения электронов подбирают такой, чтобы примеси из катода не попадали на подложку.

Сканирование луча по поверхности расплава предотвращает неоднородность в скорости осаждения.

Оптимальная скорость роста пленки составляет 0.5 мкм/мин. С помощью данного метода наносят пленки алюминия и его сплавов, а также Si, Pd, Au, Ti, Mo, Pt, W.

Преимущества метода

возможность использования больших по массе источников (не требуется перезагрузка при нанесении толстых пленок);

возможность последовательного нанесения различных пленок из соседних источников, расположенных в одной камере;

высокая скорость роста пленок;

возможность напыления тугоплавких материалов.

Недостаток метода

наличие ионизирующего излучения, проникающего в приповерхностные слои кремниевых подложек.