Технология СБИС / sbis / rost / getter

Справка: ГеттерированиеГеттерирование (справка) Геттерирование - процесс вытягивания примесей из различных частей монокристалла в области их стока. Такими областями может служить, например, район скопления дефектов, введенный в кристалл специальными способами.

В кремниевой технологии под процессом геттерирования обычно понимают удаление нежелательных примесей из активных областей транзисторов. Такими примесями являются, в частности, атомы тяжелых элементов, увеличивающих токи утечки p-n переходов.

Задача геттерирования решается двумя способами.Внешнее геттерирование. В нерабочую часть монокристалла вводят большое количество дефектов. Это осуществляется, например, путем механической или лазерной обработкой (Е= 5 Дж/см2) непланарной части кремниевой пластины.

Внутреннее геттерирование. Дефекты вводятся во внутреннюю область подложек. Одним из способов является преципитация кислорода, поставляемого туда путем предварительного ионного легирования, или за счет существования под слоем кремния слоя SiO2, как, например, в КНИ технологии. 

При внутреннем геттерировании производят предварительный отжиг пластин в атмосфере азота при Т= 1050 °С для удаления скопления кислорода (будущих возможных мест стока нежелательных примесей) из приповерхностных областей кремния.