Технология СБИС / sbis / rost / def1

Справка: Линейные дефектыЛинейные дефекты (справка) К линейным дефектам относятся:краевая дислокация (см. рис. 1),

винтовая дислокация (см. рис. 2).

Краевые дислокации возникают за счет параллельного смещения атомов одной плоскости относительно другой на одинаковое расстояние b в направлении, параллельном возможному перемещению дислокации. Винтовые дислокации также возникают за счет смещения атомных плоскостей, но атомы смещаются на разные расстояния в направлении перпендикулярном перемещению дислокации.

Оба типа дефектов образуются за счет механических напряжений, существующих в кристалле, и обусловлены градиентом температуры или большой концентрации примесных атомов. Краевые дислокации в кристаллах, используемых для производства ИС, как правило, отсутствуют.

Рис. 1.   Рис. 2