Технология СБИС / sbis / metkontr / mkd_prs
.htmПросвечивающая электронная микроскопияПросвечивающая электронная микроскопияРазрешение данного метода составляет ~ 0.2 нм.
Образец в виде тонкой пленки просвечивается электронным пучком (60 - 350 кэВ). Максимальная толщина Si для исследования ПЭМ ~ 1.5 мкм.
При исследовании кристаллических структур: имеет место дифракция на кристаллической решетке. При этом на экране (фотопластинке) получаются дифракционные полосы, которые в зависимости от толщины имеют разную интенсивность и контрастность.
При исследовании аморфных структур наблюдается дифракционная картина от отдельных атомов. Контраст изображения определяется локальным изменением рассеяния электронов, связанным с изменением толщины образца, его химического или фазового состава.
Основной недостаток - необходимость специальных методов приготовления образцов, способных пропускать электронный пучок (пленки толщиной около 1 мкм).