Характеристики интегральных резисторов

Тип резисторов	Толщина слоя, d, мкм	Удельное поверх­ностное сопротивление, , Ом/	Допуск, §, %
Диффузионный на базовом слое	2,53,5	100300	±(520)
Диффузионный на эмиттерном слое	1,22,5	1 10	±20
Пинч - резистор	0,51,0	10003000	±30

Конструкция конденсаторов

В полупроводниковых ИМС две разновидности: МДП - конден­сатор и диффузионный конденсатор. Конструкция первого приведена на рис. 2. Нижняя обкладка такого конденсатора образована n⁺- эмиттерным слоем, диэлектриком является окись кремния, а верх­няя обкладка алюминиевая. Отсюда следует, что МДП - конденсатор полностью совместим с технологией производства полупроводнико­вых ИМС и не требует дополнительных технологических операций.

Величина емкости определяется по формуле:

C=C₀S ( 4 )

где: -удельная емкость проводящего слоя на пластину, пФ/мм²;

S- площадь перекрытия обкладок;

-диэлектрическая проницаемость окиси кремния;

d- толщина диэлектрика.

Для получения больших удельных емкостей необходимо приме­нять тонкий диэлектрик, однако это приводит к уменьшению пробив­ного напряжения конденсатора.

Для формирования диффузионных конденсаторов используются барьерные емкости обратно-смещенных p-n-переходов: эмиттер-база, база-коллектор и коллектор-пластина. Конструкция диффузионного конденсатора совпадает с конструкцией транзистора (рис. 4) и отли­чается числом выводов, которых по числу обкладок будет два. Ис­пользование данных конденсаторов имеет особенность:p-n-переход, используемый в качестве конденсатора должен быть во всех режимах работы смещен в обратном направлении.

В табл. 3 приведены параметры конденсаторов различных кон­струкций.

Таблица 3 Параметры интегральных конденсаторов

Тип конденсатора	Удельная емкость, Со, пФ / мм2	Пробивное напряжение Unp? В	Добротность, Q, отн.ед.	Допуск, §, %
МДП с диэлектриком:
SiO2	200 600	3050	2580	±20
Si3N4	8001600	50	201100	±20
Диффузионный на р-n-переходах
Б-К	150		50100	± 15 - 20
Э-Б	600		520	+20
К-П	100		—	± 15 - 20

Конструкции диодов

Диоды полупроводниковых ИМС можно сформировать на лю­бом из р-n-переходов планарно-эпитаксиального транзистора. Наи­более удобны для этих целей переходы эмиттер-база и база-коллектор. Пять возможных вариантов диодного включения транзисторов приведены на рис.3, где в качестве диода используются: переход база-эмиттер с коллектором, закороченным на базу ( а ); переход коллек­тор - база с эмиттером, закороченным на базу ( б ); параллельное включение обоих переходов ( в ); переход эмиттер - база с разомкну­той цепью коллектора ( г ); переход база - коллектор с разомкнутой цепью эмиттера (д).

При соответствующем выборе варианта диодного включения транзистора возможно подобрать оптимальные параметры по бы­стродействию, пробивному напряжению, обратному току (см. табл. 4).

Таблица 4. Параметры диодов

Вариант диодного включения транзистора	Пробивное напряжение, UПР, В	Обратный ток, Iобр, нА	Быстродействие, время Восстановления обрат­ного тока,, нс
БК-Э	7-8	1,0	10
БЭ-К	40-70	30,0	50
Б-КЭ	7-8	40,0	100
Б-Э	7-8	1,0	50
Б-К	40-70	3,0	75