- •Изучение элементной базы, топологии и конструкции полупроводниковых интегральных микросхем
- •Цель работы
- •Аппаратура и принадлежности.
- •Теоретические сведения Термины и определения
- •Характеристика полупроводниковых пластин
- •Конструкция и топология элементной базы полупроводниковых имс
- •Конструкция и топология резисторов
- •Характеристики интегральных резисторов
- •Конструкция конденсаторов
- •Конструкции диодов
- •Конструкция биполярных транзисторов
- •Конструкции мдп - транзисторов
- •Конструкция полевых транзисторов
- •Вспомогательные элементы пимс
- •Способы изоляции элементов
- •Описание изучаемых имс
- •Характеристики и параметры изучаемых имс
- •Лабораторное задание Домашнее задание
- •Работа в лаборатории
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Рекомендуемая литература
Лабораторное задание Домашнее задание
1. Ознакомиться с описанием лабораторной работы.
25
2. Изучить по описанию: материалы и свойства исходных пластин для изготовления полупроводниковых ИМС; виды и конструкцию элементов биполярных и униполярных элементов полупроводниковых ИМС; виды изоляции элементов на кристалле.
3. Выполнить пп. 1-3 раздела "Требования к отчету".
4. Подготовить форму табл. 6 и 7.
5. Подготовиться к ответам на контрольные вопросы 1-12.
6. Приготовить миллиметровку (1-2 листа ), карандаш и линейку.
Работа в лаборатории
1. Рассмотреть образцы исходных пластин, находящиеся в кассете 2-1, и определить их характерные признаки, свойства и область применения. Результаты анализа занесите в форму табл. 6.
2. Рассмотреть под микроскопом семь образцов полупроводниковых ИМС по заданному варианту, размещенные в кассете 2-1.
3. Заполнить графы формы табл. 7, используя результаты визуального осмотра, табл. 5, принципиальные схемы ИМС и результаты расчета по формулам ( 3 ) и ( 4 ).
4. Зарисовать эскизы топологии элементов ИМС по заданному варианту, указанному в табл. 8, и произвести оптические измерения размеров отдельных областей.
5. Рассчитать удельное поверхностное сопротивление или удельную емкость изученных пассивных элементов по формулам ( 1 ) и ( 2 ) соответственно, используя значение параметра из табл. 8 и результаты оптических измерений.
6. Показать преподавателю результаты выполнения работы и оформить отчет в соответствии с разделом "Требования к отчету".
26
Форма табл. 6 Характеристики исходных полупроводниковых пластин
|
Материал пластины |
Характерные признаки внешнего вида |
Область применения |
Параметры и характеристики, определяющие область применения |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Форма табл. 7
Характеристики и параметры ПИМС
|
Обозна |
Выпол |
Способ |
Количест |
Коли |
Степень |
Плот |
Приме |
|
чение |
няемая |
изоляции |
во внеш |
чество |
интегра |
ность |
чание |
|
микросхе |
функция |
элемен |
них кон |
элемен |
ции, К |
упаков |
|
|
мы |
|
тов мик |
тактных |
тов |
|
ки, Ку, |
|
|
|
|
росхемы |
площадок |
|
|
см-3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
27


Рис. 13. Электрическая схема ИМС 134ЛА8.
Рис. 14. Фрагмент электрической схемы ИМС 134ТМ2

Рис. 15. Фрагмент электрической схемы ИМС 140УД6.
VT2

Рис. 16. Фрагмент электрической схемы ИМС 140УД8.

Рис. 17. Фрагмент электрической схемы ИМС 564ЛЕ5 и 564КТЗ
Рис. 18. Фрагмент электрической схемы ИМС 142ЕН5


Рис. 19. Фрагмент электрической схемы ИМС К590КН9
Рис. 20. Фрагмент электрической схемы ИМС К590КН8
