Требования к отчету

Отчет содержит:

1. Титульный лист.

2. Цель работы.

3. Краткое описание конструкции элементов полупроводнико­вых ИМС с эскизами поперечных сечений диффузионного резистора, МДП конденсатора, планарно - эпитаксиального транзистора, п-канального и р-канального МДП транзисторов.

4. Заполненные по результатам анализа формы табл. 6 и 7.

5. Эскизы топологий активных и пассивных элементов в произ­вольном масштабе с указанием типа проводимости, названия и разме­ров областей в микрометрах.

6. Результаты расчета удельного поверхностного сопротивления и удельной емкости.

Контрольные вопросы

1.Поясните следующие термины: полупроводниковая микросхе­ма, полупроводниковая пластина и кристалл.

2. Как вычисляют показатели степени сложности микросхем: сте­пень интеграции и плотность упаковки?

3. Какие материалы используют для изготовления исходных пластин?

4.Поясните следующие термины: серия, тип и типономинал мик­росхем?

5.Из каких элементов состоит обозначение микросхем? 6.Что относят к характерным признакам внешнего вида исход­ных полупроводниковых пластин?

7.Как классифицируют микросхемы по конструктивно - техноло­гическим типам?

34

8. Как в данной работе можно распознать конструктивно - техно­логический тип микросхемы?

9. Как в данной работе определить оптическим путем способ изо­ляции элементов в микросхеме?

10.Как проще определить количество внешних контактных пло­щадок кристалла?

11.Как найти нужный элемент микросхемы для оптического ана­лиза и измерений?

12. Чем задается и как определяется цена деления шкалы окуляра микроскопа?

13. Как рассчитать удельное поверхностное сопротивление диф­фузионного резистора по известной топологии и номиналу сопротив­ления?

14.Как рассчитать удельную емкость конденсатора по известной топологии и номиналу емкости?

15.Сравните кремний, германий и арсенид галлия как материалы для полупроводниковых ИМС.

16.Изобразите конструкцию диффузионного резистора в базо­вом слое, в эмиттерном слое и в базовом слое под эмиттерным.

17.Изобразите конструкцию диффузионного конденсатора на эмиттерном р-п-переходе.

18.Изобразите конструкцию МДП - конденсатора.

19. Изобразите конструкцию четырехэмиттерного планарно -эпитаксиального транзистора.

20. Изобразите конструкцию мощного планарно - эпитаксиаль­ного транзистора.

21.Изобразите конструкцию р - канального МДП - транзистора.

22. Изобразите конструкцию п - канального МДП - транзистора.

23. Изобразите конструкцию полевого транзистора.

35

24.* Изобразите конструкцию внешней контактной площадки.

25.* Назначение и последовательность формирования фигур со­вмещения. Как по ним оценивают качество операции совмещения?

26.* Какие схемотехнические меры принимают для защиты вхо­дов МДП - микросхем от пробоя?

27.* Как обеспечивают запирание изолирующего р-п-перехода в микросхеме?

28.* Назначение и конструкция охранных колец в МДП - струк­турах.

29.* Нарисовать эскиз сечения топологии активного элемента плоскостью, указанной преподавателем.

* Вопросы повышенной сложности.

Рекомендуемая литература

1. ГОСТ 17021-88. Микросхемы интегральные. Термины и опре­деления.

2. Коледов Л. А. Технология и конструкции микросхем, микро­процессоров и микросборок. М. "Радио и связь", 1989, с. 44.

3. Симонов Б. М., Митрофанов О. В. Изучение материалов, де­талей, элементов и конструкции интегральных микросхем. М. МИЭТ, 1991,с. 5.

36