Порядок выполнения работы

Внимание!

Пластины с образцами очень хрупки. После рассмотрения плас­тин сразу же ставьте их в кассету.

1. Получить кассету 2-1 с номером варианта, соответствующим номеру бригады. Номер варианта является третьим элементом обо­значения кассеты.

Таблица 8 Варианты элементов ПИМС для изучения топологии

№ бригады	1и7	2и8	Зи9	4 и 10	5 и 11	6 и 12
№ варианта	1	2	3	4	5	6
1 Микросхема	140УД6	140УД6	134ЛА2	140УД8	564ЛЕ5	134ЛА8
Элемент	С1	R5	R3	С1	Rl	Rl
Значение
параметра	35 пФ	40к0м	4,2 кОм	30 пФ	1 к0м	12 к0м
2 Микросхема	140УД6	134ЛА2	133ЛА6	134ЛА2	134ТМ2	K142EH5
Элемент	VT27	VT4	VT6	VT1	VT3	VT2
3 Микросхема	К590КН9	564РУ2	564ТЛ 1	564РУ2	140УД8	564ТЛ 1
Элемент	VT2	Тестовый	Тестовый	Тестовый	VT3, VT4	Тестовый
		р-МДП	п- МДП	n-МДП		р-МДП
Форма	Меандр	Прямоуг.	Прямоуг.	Прямоуг.	Кольцо	Прямоуг.
затвора
4 Микросхема	134ЛА2	134ТМ2	133ЛА6	К590КН8	564КТЗ	140УД9
Элемент	VD1	VD1	VD1	VD1	VD3	VD1

2. Рассмотреть под микроскопом образцы исходных пластин с номерами от 01 до 04:

01 - кремниевая пластина;

02 - германиевая пластина;

03 - арсенидгаллиевая пластина;

04 - фосфидгаллиевая пластина.

31

3. Заполнить характерные признаки внешнего вида пластин ( цвет, матовая или зеркальная поверхность, наличие рисок ) и занести данные в форму табл. 6.

4. Заполнить остальные графы формы табл. 6, используя описа­ние лабораторной работы и другие источники.

5. Подготовиться к изучению семи образцов полупроводниковых микросхем, размещенных в кассете 2-1 , для чего необходимо:

а) занести в форму табл. 7 в порядке размещения образцов в кассете обозначение микросхем, выполняемую функцию и число эле­ментов, используя данные табл. 5 описания.

6. Внимательно рассмотреть каждую микросхему под микроско­пом и определить:

а ) способ изоляции элементов в микросхеме;

б ) количество внешних контактных площадок.

Примечание:1. Контур области изоляции диэлектриком ( контур "кармана" ) имеет вид темной утолщенной линии, при этом прямые углы в контуре обязательно закруглены. Вне контура "кармана" на поверхности кристалла наблюдаются характер­ные крапинки.

2. Контур области изоляции р-п-переходом имеет вид тонких темных линий с прямыми углами без закруглений. Результаты выполнения п. 6 занести в форму табл. 7.

7. Рассчитать значение степени интеграции по формуле ( 1 ), плотности упаковки по формуле ( 2 ), используя данные табл. 5 описа­ния, и занести результаты в форму табл. 7.

8. Зарисовать эскизы топологии пассивных и активных элемен­тов микросхем по варианту, указанному в табл. 8 описания, без со­блюдения масштаба с указанием типа проводимости и названия об­ластей. Для чего необходимо:

32

а) установить на столик микроскопа необходимую ИМС и, пользуясь ее принципиальной схемой ( рис. 11-20 ), найти интересую­щий элемент топологии, начав поиск от внешней контактной площад­ки кристалла с соответствующим номером;

б) поиск тестового или вспомогательного элементов ( фигур со­вмещения ) ведут на периферии кристалла или между внешними кон­тактными площадками.

9. Произвести оптические измерения конструктивных пара­метров элементов полупроводниковых микросхем по п.8, для чего не­обходимо:

а) определить цену деления шкалы окуляра микроскопа ( для окуляра "10х" и объектива F= 25 цена деления равна 16 мкм );

б) поместить в поле зрения микроскопа топологию измеряемого элемента и произвести отсчет:

для диффузионного резистора — длины / и ширины Ь;

для МДП - конденсатора — длины /о и ширины boверхней об­кладки;

для биполярного транзистора — длины /^ и ширины Ь^ базо­вой области;

для МДП - транзистора — длины /зи ширины Ьззатвора;

в) нанести эти размеры в микрометрах на эскизы топологии.

10. Рассчитать значение удельного поверхностного сопротивле­ния и удельной емкости по формулам ( 3 ), ( 4 ) соответственно, ис­пользуя значения параметров элементов из таблицы 8 описания и ре­зультаты оптических измерений.

11. Показать преподавателю результаты выполнения работы и оформить отчет в соответствии с разделом "Требования к отчету".

33