- •Курсовая работа
- •2001 Г. Задание на курсовую работу
- •Упрощение заданной функции.
- •Справочные данные и принятые обозначения.
- •Разработка электрической схемы в заданном схемотехническом базисе.
- •Расчет характеристик схемы с помощью программы pspice.
- •Технологический маршрут формирования n-моп транзистора.
- •Выводы по результатам курсовой работы
- •Список используемой литературы :
Выводы по результатам курсовой работы
В данной курсовой работе произведена разработка логического элемента по упрощению заданной функции. Упрощение было произведено с помощью карты Карно, упрощенная функция приведена к базису И-, ИЛИ-НЕ и имеет вид :
Далее, в соответствии с упрощением, была составлена электрическая схема, включающая заданную квазилинейную нагрузку- общую для группы переключающих транзисторов. Затем произвели аналитический расчет параметров транзисторов схемы и определили геометрические размеры затворов последних.
Геометрические размеры транзисторов Т3, Т4:
L = 3 (мкм).
W = 14 (мкм).
Геометрические размеры транзисторов Т2:
L = 3 (мкм).
W = 7 (мкм).
Геометрические размеры для нагрузочного транзистора Тн:
W = 2 (мкм),
L = 29 (мкм).
Электрическая схема, описанная в PSPICE, обсчитывалась для определения статических и динамических параметров схемы.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Логический уровень “0” получился отличным от заданного на 16%.
Логический уровень “1” получился отличным от заданного на 9%.
По полученным геометрическим размерам построена топология логического элемента и рассказаны основные этапы технологического маршрута изготовления МДП-транзистора с не совмещенным алюминиевым затвором, что является главной особенностью данной технологии. Вообще технологический маршрут с Al- затвором включаетпять фотолитографий :
Разделительная диффузия.
Формирование областей стока и истока.
Формирование тонкого под затворного окисла.
Формирование защитного окисла и контактных окон.
Металлизация.
В моем случае получился логический элемент с длинной 48 мкм, шириной 46 мкм и общей площадью 2208 мкм2. Топология разработана по методу -проектирования с учетом всех заданных топологических ограничений и допусков.
Список используемой литературы :
Конспект лекций по микросхемотехнике.
Основы топологического проектирования, Онацько В. Ф.
Микросхемотехника, Алексенко А. Г.
-