32. Разводка в корпусе ис. Применение проводящих материалов на основе оксидов.

Применяется проводка из AL b Au ,d~ 25-50мкм. Для контактирования золотой проволки к контактной площадке используют термокомпрес и пайка, алюминиевой – ультразвуковая пайка При использовании алюмин прволки может происходить её обрыв непосредственно в месте контакта. Соединения из золотой проволки более надежны . Однако могут формироваться интерметаллические соединения в случае контакта золота с алюмин контактной площадкой , что приводит к разрушению контакта . Для предотвращения интеметалич соединений необходимо сводить к минимуму время контакта алюмин и золота . Применение проводящих материалов на основе оксидов. Подавляющее большинство чстых оксидов металлов в норм условиях яв-ся хорошим диэлектриком. Однако при этом окисл проводимость некоторых мет оксидов резко возрастает. Такие материалы можно использовать в качестве контактных и резистирующих слоев. Наибольший интерес представляет SnO2 . удельное сопротивление пленок зависит от степени отклонения от стехеометрического состава , может составлять 10 в минус 5 Om *cm. Кроме того , такие слои обладают высокой прозрачностью в видимой и инфракрасной частях спектра . Сочетание таких свойств , оптической прозрачности и высокой электрич проводимости обусловливает их применение в качестве проводящих покрытий в жидкокристаллических экранах , теевизионных трубках и т.д. Кроме диоксида олова для таких же целей используют In2O3 и сплавы оксидов In и олова.

33. Классификация полупроводниковых материалов

Полупроводники представляют собой очень многочисленный класс материалов. Самым существенным признаком полупроводника является электропроводность, меньшая, чем у проводников, и большая, чем у ди­электриков. Удельное электросопротивление полупроводников изменяет­ся а пределах 10^-2 -10⁹ Ω*cм.

Полупроводниковыми свойствами могут обладать как неорга­нические, так и органические вещества. Основу электроники составляют неорганические полупроводники. Неорганические полупроводники делят­ся на твердые и жидкие. Твердые - на кристаллические, поликристал­лические и аморфные. Кристаллические в свою очередь делятся на эле­ментарные, химические соединения и твердые растворы. К элементар­ным относятся Si и Gе. К химическим соединениям - соединения типа A³B⁵, A²B⁶, A⁴B⁴, A⁴B⁶

Полупроводники являются основой активных приборов, способных усиливать мощность или преобразовывать один в другой различные виды энергии в малом объеме твердого тела без существенных потерь. Это обусловило широкое применение полупроводников в микроэлектронике и оптоэлектронике.

Примеси в полупроводниках

Различают примесные и собственные (т.е. беспримесные) полупро­водники. В собственных полупроводниках переход электронов в зону проводимости осуществляется только из валентной зоны, поскольку в за­прещенной зоне отсутствуют разрешенные уровни, вносимые примесными атомами. Носителями заряда в таком полупроводнике являются электроны в зоне проводимости и дырки в валентной зоне. Общее ко­личество носителей в обеих зонах совпадает.

Понятие о чистоте материала относительно. В каждом веществе обязательно присутствуют малые количества многих примесей. Опреде­ление этих примесей зависит от уровня методов химического анализа.

Оценка чистоты вещества осуществляется двумя способами: по хи­мическому составу и по физическим свойствам. Первый способ является прямым, а второй - косвенным. При физическом способе о суммарном со­держании примесей судят по величине электросопротивления, подвиж­ности носителей тока, диффузионной длине. Примеси в чистом кремнии не должны превышать уровня 10^-7 ат.%. Большинство лабораторных методов не позволяет определить содержание примеси на уровне ниже 10^-7 ат.%, поэтому значение уровня легирования получают, исходя из из­мерений удельного сопротивления тестовых слитков.

Существует большое количество методов глубокой очистки ве­щества. Как правило, для достижения необходимого предела очистки ис­пользуются несколько стадий очистки разными методами.

Очистив полупроводниковый материал, далее его начинают снова "загрязнять", так как основным способом придания полупроводниковым материалам необходимых свойств является введение в них тех или иных примесей. Преднамеренное введение таких примесей называют легиро­ванием, соответствующие примеси - легирующими, а полупроводник - примесным.