- •5 Оптика. Квантовая природа излучения Глава 21 Элементы геометрической и электронной оптики § 165. Основные законы оптики. Полное отражение
- •§ 166. Тонкие линзы. Изображение предметов с помощью линз
- •§ 187. Аберрации (погрешности) оптических систем
- •§ 168. Основные фотометрические величины и их единицы
- •§ 189. Элементы электронной оптики
- •Глава 22 Интерференция света § 170. Развитие представлений о природе света
- •§ 171. Когерентность и монохроматичность световых волн
- •§ 172. Интерференция света
- •§ 173. Методы наблюдения интерференции света
- •§ 174. Интерференция света в тонких пленках
- •§ 175. Применение интерференции света
- •Глава 23 Дифракция света § 176. Принцип Гюйгенса — Френеля
- •§ 177. Метод зон Френеля. Прямолинейное распространение света
- •§ 178. Дифракция Френеля на круглом отверстии и диске
- •§ 178. Дифракция Фраунгофера на одной щели
- •§ 180. Дифракция Фраунгофера на дифракционной решетке
- •§ 181. Пространственная решетка. Рассеяние света
- •§ 182. Дифракция на пространственной решетке. Формула Вульфа — Брэггов
- •§ 183. Разрешающая способность оптических приборов
- •§ 184. Понятие о голографии
- •Глава 24 Взаимодействие электромагнитных волн с веществом § 185. Дисперсия света
- •§ 186. Электронная теория дисперсии светя
- •§ 187. Поглощение (абсорбция) света
- •§ 188. Эффект Доплера
- •§ 189. Излучение Вавилова — Черенкова
- •Глава 25 Поляризация света § 190. Естественный и поляризованный свет
- •§ 191. Поляризация света при отражении и преломлении на границе двух диэлектриков
- •§ 192. Двойное лучепреломление
- •§ 193. Поляризационные призмы и поляроиды
- •§ 194. Анализ поляризованного света
- •§ 195. Искусственная оптическая анизотропия
- •§ 196. Вращение плоскости поляризации
- •Глава 26 Квантовая природа излучения § 197. Тепловое излучение и его характеристики
- •§ 188. Закон Кирхгофа
- •§ 199. Законы Стефана — Больцмана и смещения Вина
- •§ 200. Формулы Рэлея — Джинса и Планка
- •§ 201. Оптическая пирометрия. Тепловые источники света
- •§ 202. Виды фотоэлектрического эффекта. Законы внешнего фотоэффекта
- •§ 203. Уравнение Эйнштейна для внешнего фотоэффекта. Экспериментальное подтверждение квантовых свойств света
- •§ 204. Применение фотоэффекта
- •§ 205. Масса и импульс фотона. Давление света
- •§ 206. Эффект Комптона и его элементарная теория
- •§ 207. Единство корпускулярных и волновых свойств электромагнитного излучения
- •6 Элементы квантовой физики атомов, молекул и твердых тел Глава 27 Теория атома водорода по Бору § 208. Модели атома Томсона и Резерфорда
- •§ 209. Линейчатый спектр атома водорода
- •§ 210. Постулаты Бора
- •§ 211. Опыты Франка и Герца
- •§ 212. Спектр атома водорода по Бору
- •Глава 28 Элементы квантовой механики § 213. Корпускулярно-волновой дуализм свойств вещества
- •§ 214. Некоторые свойства волн да Бройля
- •§ 215. Соотношение неопределенностей
- •§ 216. Волновая функция и ее статистический смысл
- •§ 217. Общее уравнение Шредингера. Уравнение Шредингера для стационарных состояний
- •§ 218. Принцип причинности в квинтовой механике
- •§ 219. Движение свободной частицы
- •§ 220. Частице в одномерной прямоугольной «потенциальной яме» с бесконечно высокими «стенками»
- •§ 221. Прохождение частицы сквозь потенциальный барьер. Туннельный эффект
- •§ 222. Линейный гармонический осциллятор в квантовой механике
- •Глава 29 Элементы современной физики атомов и молекул § 223. Атом водорода в квантовой механике
- •§ 225. Спин электрона. Спиновое квантовое число
- •§ 226. Принцип неразличимости тождественных частиц. Фермионы и бозоны
- •§ 227. Принцип Паули. Распределение электронов в атоме по состояниям
- •§ 228. Периодическая система элементов Менделеева
- •§ 229. Рентгеновские спектры
- •§ 230. Молекулы: химические связи, понятие об энергетических уровнях
- •§ 231. Молекулярные спектры. Комбинационное рассеяние света
- •§ 232. Поглощение. Спонтанное и вынужденное излучения
- •§ 233. Оптические квантовые генераторы (лазеры)
- •Глава 30 Элементы квантовой статистики § 234. Квантовая статистика. Фазовое пространство. Функция распределения
- •§ 235. Понятие о квантовой статистике Бозе — Эйнштейна и Ферми — Дирака
- •§ 236. Вырожденный электронный газ в металлах
- •§ 237. Понятие о квантовой теории теплоемкости. Фононы
- •§ 238. Выводы квантовой теории электропроводности металлов
- •§ 239. Сверхпроводимость. Понятие об эффекте Джозефсона
- •Глава 31 Элементы физики твердого тела § 240. Понятие о зонной теории твердых тел
- •§ 241. Металлы, диэлектрики и полупроводники по зонной теории
- •§ 242. Собственная проводимость полупроводников
- •§ 243. Примесная проводимость полупроводников
- •§ 244. Фотопроводимость полупроводников
- •§ 245. Люминесценция твердых тел
- •§ 246. Контакт двух металлов по зонной теории
- •§ 247. Термоэлектрические явления и их применение
- •§ 248. Выпрямление на контакте металл — полупроводник
- •§ 249. Контакт электронного и дырочного полупроводников (p-n-переход)
- •§ 250. Полупроводниковые диоды и триоды (транзисторы)
- •7 Элементы физики атомного ядра и элементарных частиц Глава 32 Элементы физики атомного ядра § 251. Размер, состав и заряд атомного ядра. Массовое и зарядовое числа
- •§ 252. Дефект массы и энергия связи ядра
- •§ 253. Спин ядра и его магнитный момент
- •§ 254. Ядерные силы. Модели ядра
- •§ 255. Радиоактивное излучение и его виды
- •§ 256. Закон радиоактивного распада. Правила смещения
- •§ 257. Закономерности-распада
- •§ 259. Гамма-излучение и его свойства
- •§ 260. Резонансное поглощение-излучения (эффект Мёссбауэра*)
- •§ 261. Методы наблюдения и регистрации радиоактивных излучений и частиц
- •§ 262. Ядерные реакции и их основные типы
- •§ 264. Открытие нейтрона. Ядерные реакции под действием нейтронов
- •§ 265. Реакция деления ядра
- •§ 266. Цепная реакция деления
- •§ 267. Понятие о ядерной энергетике
- •§ 268. Реакция синтеза атомных ядер. Проблема управляемых термоядерных реакций
- •Глава 33 Элементы физики элементарных частиц § 269. Космическое излучение
- •§ 270. Мюоны и их свойства
- •§ 271. Мезоны и их свойства
- •§ 272. Типы взаимодействий элементарных частиц
- •§ 273. Частицы и античастицы
- •§ 274. Гипероны. Странность и четность элементарных частиц
- •§ 275. Классификация элементарных частиц. Кварки
- •Заключение
§ 249. Контакт электронного и дырочного полупроводников (p-n-переход)
Граница соприкосновения двух полупроводников, один из которых имеет электронную, а другой — дырочную проводимость, называется электронно-дырочным переходом (илиp-n-переходом). Эти переходы имеют большое практическое значение, являясь основой работы многих полупроводниковых приборов.p-n-Переход нельзя осуществить просто механическим соединением двух полупроводников. Обычно области различной проводимости создают либо при выращивании кристаллов, либо при соответствующей обработке кристаллов. Например, на кристалл германия n-типа накладывается индиевая «таблетка» (рис. 335, а). Эта система нагревается примерно при 500°С в вакууме или в атмосфере инертного газа; атомы индия диффундируют на некоторую глубину в германий. Затем расплав медленно охлаждают. Так как германий, содержащий индий, обладает дырочной проводимостью, то на границе закристаллизовавшегося расплава и германияn-типа образуетсяp-n-переход (рис. 335,б).
Рассмотрим физические процессы, происходящие в p-n-переходе (рис. 336). Пусть донорный полупроводник (работа выхода —Аn,уровень Ферми —EFn) приводится в контакт (рис. 336,б) с акцепторным полупроводником (работа выхода —Ар,уровень Ферми —ЕF0). Электроны изn-полупроводника, где их концентрация выше, будут диффундировать вp-полупроводник, где их концентрация ниже. Диффузия же дырок происходит в обратном направлении — в направлениирп.
В n-полупроводнике из-за ухода электронов вблизи границы остается нескомпенсированный положительный объемный заряд неподвижных ионизованных донорных атомов. Вp-полупроводнике из-за ухода дырок вблизи границы образуется отрицательный объемный заряд неподвижных ионизованных акцепторов (рис. 336,а). Эти объемные заряды образуют у границы двойной электрический слой, поле которого, направленное отn-области кp-области, препятствует дальнейшему переходу электронов в направлениипри дырок в направлениирп.Если концентрации доноров и акцепторов в полупроводникахn- иp-типа одинаковы, то толщины слоев d1и d2(рис. 336,в), в которых локализуются неподвижные заряды, равны (d1=d2).
При определенной толщине p-n-перехода наступает равновесное состояние, характеризуемое выравниванием уровней Ферми для обоих полупроводников (рис. 336,в). В областиp-n-перехода энергетические зоны искривляются, в результате чего возникают потенциальные барьеры как для электронов, так и для дырок. Высота потенциального барьераеопределяется первоначальной разностью положений уровня Ферми в обоих полупроводниках. Все энергетические уровни акцепторного полупроводника подняты относительно уровней донорного полупроводника на высоту, равнуюе, причем подъем происходит на толщине двойного слоя d.
Толщина dслояp-n-перехода в полупроводниках составляет примерно10–6—10–7м, а контактная разность потенциалов — десятые доли вольт. Носители тока способны преодолеть такую разность потенциалов лишь при температуре в несколько тысяч градусов, т. е. при обычных температурах равновесный контактный слой является запирающим(характеризуется повышенным сопротивлением).
Сопротивление запирающего слоя можно изменить с помощью внешнего электрического поля. Если приложенное к p-n-переходу внешнее электрическое поле направлено отn-полупроводника кp-полупроводнику (рис. 337,a), т. е. совпадает с полем контактного слоя, то оно вызывает движение электронов вn-полупроводнике и дырок вp-полупроводнике от границыp-n-перехода в противоположные стороны. В результате запирающий слой расширится и его сопротивление возрастет. Направление внешнего поля, расширяющего запирающий слой, называетсязапирающим(обратным). В этом направлении электрический ток черезp-n-переход практически не проходит. Ток в запирающем спое в запирающем направлении образуется лишь за счет неосновных носителей тока (электронов вp-полупроводнике и дырок вn-полупроводнике).
Если приложенное к p-n-переходу внешнее электрическое поле направлено противоположно полю контактного слоя (рис. 337,б), то оно вызывает движение электронов вn-полупроводнике и дырок вp-полупроводнике к границеp-n-перехода навстречу друг другу. В этой области они рекомбинируют, толщина контактного слоя и его сопротивление уменьшаются. Следовательно, в этом направлении электрический ток проходит сквозьp-n-переход в направлении отp-полупроводника кn-полупроводнику; оно называетсяпропускным (прямым).
Таким образом, p-n-переход (подобно на контакте металл — полупроводник) обладает односторонней(вентильной) проводимостью.
На рис. 338 представлена вольт-амперная характеристика p-n-перехода. Как уже указывалось, при пропускном (прямом) напряжении внешнее электрическое поле способствует движению основных носителей тока к границеp-n-перехода (см. рис. 337,б). В результате толщина контактного слоя уменьшается. Соответственно уменьшается и сопротивление перехода (тем сильнее, чем больше напряжение), а сила тока становится большой (правая ветвь на рис. 338). Это направление тока называется прямым.
При запирающем (обратном) напряжении внешнее электрическое поле препятствует движению основных носителей тока к границе p-n-перехода (см. рис. 337,а) и способствует движению неосновных носителей тока, концентрация которых в полупроводниках невелика. Это приводит к увеличению толщины контактного слоя, обедненного основными носителями тока. Соответственно увеличивается и сопротивление перехода. Поэтому в данном случае черезp-n-переход протекает только небольшой ток (он называетсяобратным), полностью обусловленный неосновными носителями тока (левая ветвь рис. 338). Быстрое возрастание этого тока означает пробой контактного слоя и его разрушение. При включении в цепь переменного токаp-n-переходы действуют как выпрямители.